導讀：外媒：EUV光刻機真的要來了

在2025年的曙光初現之際，中國科技創新領域捷報頻傳，從六代機的成功首飛到兩棲攻擊艦四川艦的震撼下水，每一項成就都彰顯了國家實力的飛速提升。而在半導體這一關乎國家信息安全與高科技產業發展的關鍵領域，中國同樣傳來了一系列振奮人心的消息。

國產芯片出口金額首次突破萬億元大關，標志著中國半導體產業在國際市場上的競爭力顯著增強。更為引人注目的是，高端EUV光刻機的研發取得了重要進展，這一里程碑式的突破，不僅預示著中國在芯片制造領域的自主能力大幅提升，更是對全球半導體產業格局的一次深刻沖擊。

ASML的言論與EUV的重要性

ASML（高級半導體材料光刻公司）作為全球EUV光刻機的壟斷供應商，其總裁富凱近期關于EUV光刻機禁運效果的言論，無疑在全球范圍內引發了廣泛關注。他指出，由于美國和荷蘭聯合實施的出口管制，中國大陸在芯片制造技術方面相較于西方落后了10至15年。這番言論雖然在一定程度上反映了EUV光刻機在先進芯片制造中的不可或缺性，但也從側面折射出ASML對于中國市場潛力的認識以及其面對全球半導體供應鏈重組時的復雜心態。

EUV光刻機，作為制造7納米及以下先進制程芯片的核心設備，其重要性不言而喻。它利用極紫外光作為曝光光源，能夠實現更高精度、更高效率的芯片圖案轉移，是提升芯片集成度和性能的關鍵。然而，高昂的成本、復雜的技術壁壘以及國際因素的干擾，使得EUV光刻機的獲取成為眾多國家和地區半導體產業發展的巨大挑戰。

自主突破：從困境到希望

面對外部封鎖，中國半導體產業選擇了最為艱難但也是最根本的道路——自主研發。早在2018年，中芯國際曾嘗試向ASML訂購EUV光刻機，卻因外部因素未能如愿。這一事件成為中國半導體產業加速自研EUV光刻機的催化劑。

近年來，中國與企業加大了對半導體產業的投入，特別是在基礎研究和關鍵技術攻關方面。哈爾濱工業大學（哈工大）在這一領域的突破尤為引人注目。近日，哈工大宣布其“放電等離子體極紫外光刻光源”項目榮獲大賽一等獎，這一成果直接針對EUV光刻機的核心難題——光源技術。極紫外光源作為EUV光刻機的三大核心技術之一，其研發難度極大，對材料、工藝、光學設計等多方面都有極高要求。哈工大的這一突破，無疑為中國自主EUV光刻機的研發奠定了堅實基礎。

全面突破：光源之外的努力

值得注意的是，哈工大在極紫外光源方面的突破只是中國半導體產業自主研發EUV光刻機征途上的一個縮影。在物鏡系統、雙工作臺等關鍵部件上，中國科研人員同樣取得了顯著進展。物鏡系統負責將極紫外光精確聚焦到硅片上，其精度要求極高；而雙工作臺則確保了高效、連續的芯片生產流程。這些技術的突破，意味著中國在EUV光刻機的整體設計和制造能力上正在快速逼近國際先進水平。

外媒評價與展望

外媒對于中國EUV光刻機自研進展的報道，普遍持樂觀態度。他們認為，中國在半導體領域的持續投入和創新活力，使得國產EUV光刻機的實現成為可能。一旦中國成功突破EUV光刻機技術，不僅將極大提升國內芯片制造的自給率，減少對外依賴，還將對全球半導體供應鏈產生深遠影響，推動產業格局的重塑。

更重要的是，中國EUV光刻機的自主研發成功，將是對“技術封鎖”最有力的回應。它將證明，即使面臨重重困難，憑借堅韌不拔的創新精神和強大的科研實力，中國半導體產業完全有能力走出一條獨立自主的發展道路。

結語：未來已來，挑戰與機遇并存

盡管前路依舊充滿挑戰，但中國半導體產業正以前所未有的決心和行動力，向著高端制造的目標邁進。EUV光刻機的自主研發，不僅是對技術高峰的攀登，更是對國家科技自立自強戰略的生動實踐。隨著技術的不斷突破和國際合作的逐步深化，中國半導體產業有望在全球舞臺上扮演更加重要的角色，為構建開放、公平、非歧視的半導體市場環境貢獻力量。

在這個過程中，ASML等國際巨頭或許需要重新審視其市場策略，而美國等國家的出口管制也可能面臨調整的壓力。畢竟，在全球化的今天，合作與共贏才是推動科技進步、促進經濟發展的正道。中國的EUV光刻機之路，雖長且艱，但未來已來，光明可期。