無限期的終結 豁免權取消沖擊全球芯片巨頭

美國商務部副部長杰弗里·凱斯勒近日正式通知三星電子、SK海力士和臺積電，計劃取消這些企業在中國大陸工廠使用美國技術的豁免權。這一消息由《華爾街日報》于6月20日率先披露，迅速引發全球半導體產業震動。

若政策落地，上述企業向中國工廠輸送美國芯片制造設備將需要逐案申請許可證，終結自2023年10月延續至今的“無限期豁免”狀態。

消息傳出當日，美國三大芯片設備制造商股價應聲下跌：KLA下跌2.4%，Lam Research下跌1.9%，應用材料下跌2%。

這項引發行業震蕩的豁免權，源起于2022年10月美國對華半導體出口管制政策。當時，美國政府限制中國大陸晶圓廠獲取先進制程芯片制造設備的能力。

在政策出臺數日后，三星、SK海力士和臺積電獲得了為期一年的豁免許可3。2023年10月，在豁免即將到期之際，美國商務部又將其升級為 “無限期豁免”。

如今不足一年，這一特權面臨被撤銷的命運。

根據美國原有規定，這些企業向中國大陸工廠運送美國芯片制造設備無需每次申請單獨許可證。一旦豁免取消，每次設備運輸都需要經過美國政府的單獨審批，為這些企業在中國大陸的運營設置了更高門檻。

美國商務部發言人回應稱：“芯片制造商仍將能夠在中國運營。新的芯片執行機制與適用于其他向中國出口的半導體公司的許可要求相同，將確保美國有一個平等和互惠的過程?！?/p>

臺積電南京廠的經營狀況凸顯了中國生產基地的價值。2024年該廠盈利達25954億新臺幣（約合58億元人民幣），同比增長19%。與此同時，臺積電在美國亞利桑那州的新廠去年虧損約32億元人民幣。

豁免權撤銷的政策實質與直接沖擊

國擬將當前“無限期豁免”改為逐案許可審查制，意味著企業每次進口美系設備都需單獨申請許可，大幅增加時間和行政成本，帶來設備供應的不確定性。

三星西安工廠承擔其全球40%的NAND閃存產能，且正在推進286層堆疊先進制程升級；SK海力士無錫工廠貢獻其近50%的DRAM產能；臺積電南京廠雖以成熟制程（16/12nm）為主，但設備供應若中斷，將影響其全球產能調配能力。若無法及時獲得美系設備，現有產線維護與制程迭代將面臨實質性癱瘓風險。

當然，在短期內，三星、SK海力士和臺積電的在華工廠不會立即關閉。但業內人士指出，隨著時間的推移，它們可能會發現有效運營變得更加困難10。這主要源于設備維護更新受阻和技術升級受限。

“目前主流的NAND Flash芯片正在邁向了128層以上的更高的堆疊層數，主流的DRAM芯片也在進入10納米級。”芯智訊報道指出3。若無法獲得美系先進設備，這些企業在華工廠的技術升級路徑將被阻斷。

韓國政府已迅速采取行動。韓國貿易談判代表、產業通商資源部通商交涉本部長呂翰九于6月22日啟程赴美前表示，將在與美方展開磋商時就芯片制造商可能面臨限制表示擔憂。

全球產業鏈的連鎖反應

三星與SK海力士合計控制全球70%的DRAM和50%的NAND市場，其在華產能若受限，可能引發存儲芯片價格上漲，波及智能手機、數據中心和汽車電子等行業。

韓國60%的芯片出口依賴中國市場，三星西安工廠是其唯一海外存儲芯片基地。韓國政府與企業界已表達強烈擔憂，可能加速推動設備“去美化”或尋求政府介入談判。臺積電同樣面臨技術升級與地緣政治的雙重擠壓。

短期內，企業或嘗試轉向日本東京電子、荷蘭ASML的DUV光刻機等非美設備，但技術認證與供應鏈調整需時數月甚至數年。長期看，中國國產設備商（如北方華創、中微公司）可能獲得意外發展機遇，加速本土化替代進程。

中芯國際等企業雖未被直接點名，但美系設備許可門檻提高將增加其設備維護與擴產難度，14nm以下先進制程研發可能進一步受阻。值得一提的是美國制裁已推動中國半導體設備國產化率年均提升10%，長江存儲128層NAND良率達90%，中芯國際28nm產能提升至月產15萬片。若外企被迫采用中國設備維護產線，將為中國供應商提供難得的驗證與迭代機會。