前言
近期,英嘉通與銘普聯合推出了一款65W碳化硅PD快充產品。經拆解發現,與傳統的氮化鎵充電器有所不同,此款65WPD快充的初級開關管運用了英嘉通IGC380R075C3P碳化硅方案?;谠撈骷脑O計,充電器體積得以大幅縮減,三圍尺寸僅為60.5×31×34mm,功率密度高達1.02W/cm3。
以往,行業內通常認為碳化硅更適合應用于高功率、高密度電源以及汽車、工業等千伏高壓平臺,而氮化鎵則主要在650V以下的較低壓、低功率的消費級場景中發揮優勢。然而,隨著英嘉通8英寸碳化硅產線的逐步建設推進,碳化硅成本呈現出不斷下降的趨勢,在部分產品中,其系統成本已低于氮化鎵,打破了碳化硅以往的應用局限,使其成功踏入消費級PD適配器市場。
此外,充電頭網依據Canalys調研數據獲知,2025年第一季度,全球智能手機市場出貨量達到2.969億臺,其中三星、蘋果兩大廠商累計出貨量高達1.155億臺,由此催生了規??捎^的充電器需求缺口。在此背景下,碳化硅在PD快充領域的發展前景廣闊,有望開拓出一片新的藍海市場。
Mentech銘普65W碳化硅充電器外觀
本場充電頭網收到的充電器,僅有產品本體,充電器采用主流柱狀造型設計,外殼為PC阻燃防火塑料材質,機身表面啞光工藝處理抗指紋。腰身一面印有mentech銘普。另一面印有英嘉通宣傳語“SiC To Go”,證明這是一款內置碳化硅器件的充電器。
簡單看過產品外觀,充電頭網繼續為您介紹其內置的英嘉通碳化硅功率器件IGC380R075C3P。
英嘉通碳化硅功率器件IGC380R075C3P
銘普這款充電器內置的初級開關管來自INGACOM英嘉通,型號IGC380R075C3P,這是一顆耐壓750V的碳化硅開關管,采用PDFN5*6封裝。
英嘉通IGC380R075C3P作為一款高性能碳化硅(SiC)功率開關管,具備高阻斷電壓與低導通電阻特性,結合高速開關與低寄生電容設計,可顯著降低開關損耗,提升系統效率。其雪崩耐量強,驅動簡單且支持并聯,便于高功率應用擴展,同時符合無鹵素與RoHS環保標準,滿足嚴苛的工業要求。
采用IGC380R075C3P可帶來多重優勢:通過降低導通與開關損耗,實現更高系統效率;優化的熱性能減少散熱需求,降低冷卻成本;緊湊設計助力提升功率密度,并支持更高開關頻率,適用于高頻電力電子系統。
器件可廣泛應用于光伏逆變器、開關電源(SMPS)、高壓DC/DC變換器等新能源領域,以及電池充電器、電機驅動和脈沖功率系統(如激光、雷達),助力客戶構建高效、高可靠性的電力轉換解決方案。
充電頭網總結
英嘉通IGC380R075C3P 750V碳化硅功率器件具有高阻斷電壓、低導通電阻和低開關損耗特性,可提升系統效率。其設計優化了熱性能,減少了散熱需求,同時支持更高開關頻率和功率密度,兼具更小的器件尺寸、性能與成本優勢,在PD快充產品中,廠商可在原有硅MOS和氮化鎵方案基礎上拓展,直接選擇750V碳化硅方案。
本次在銘普65W碳化硅充電器的應用,展示了英嘉通750V碳化硅器件在消費級快充電源領域的應用潛力,有望引發其他品牌商合作,推動碳化硅在消費級市場的擴展。
充電頭網了解到,英嘉通半導體主要聚焦第三代半導體的研發和銷售,主要產品包括GaN功率器件、SiC功率器件和GaN射頻器件等。產品應用于消費、工業和汽車等領域。國家高新技術企業,江蘇省潛在獨角獸企業,江蘇省雙創企業,廣東省科技進步二等獎等榮譽。累計獲得專利等知識產權100多項。
英嘉通氮化鎵功率器件量產規格超過20款,高壓和低壓種類齊全,出貨量位居國內前列;氮化鎵射頻芯片已大批量出貨,細分領域龍頭;碳化硅功率器件在消費、工業和車規行業批量出貨,750V-3300V,13mΩ-55Ω,產品系列全,出貨量行業領先。
GaN To Go,SiC To Go,英嘉通團隊始終堅持做客戶滿意和用戶喜愛的好產品。英嘉通長期堅持引領射頻和功率半導體的技術革新服務人類,攜手合作伙伴共同推進第三代半導體的全球大規模應用。
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