前言

隨Ai數(shù)據(jù)中心耗電量日益增長(zhǎng)，服務(wù)器電源效率成為該領(lǐng)域被頻繁關(guān)注的問(wèn)題，因此，80PLUS Ruby（紅寶石）認(rèn)證適時(shí)推出，針對(duì)數(shù)據(jù)中心常用的230V~480Vac以及380Vdc電壓段制定了更嚴(yán)格的效率要求。該新認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)要求5%負(fù)載時(shí)效率超過(guò)90%，而在50%負(fù)載和100%負(fù)載下，效率分別需要超過(guò)96.5和92%，可謂是史上最嚴(yán)格的80PLUS認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，屆時(shí)可助力企業(yè)選擇更具效率的電源產(chǎn)品。

近期，充電頭網(wǎng)了解到，納微針對(duì)數(shù)據(jù)中心電源市場(chǎng)推出一款12kW OCP電源參考設(shè)計(jì)，該電源是基于納微Gen-3Fast和GaNSafe平臺(tái)研發(fā)的創(chuàng)新產(chǎn)品。據(jù)悉，該產(chǎn)品277Vac峰值效率可達(dá)97.8%以上，滿載效率可達(dá)96.9%以上，遠(yuǎn)超80 PLUS Ruby認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)需求，用于替換原有鈦金標(biāo)準(zhǔn)電源，每年可為相關(guān)企業(yè)節(jié)約可觀的電費(fèi)支出。

納微12kW OCP AI數(shù)據(jù)中心電源參考設(shè)計(jì)

納微本次推出12kW OCP AI數(shù)據(jù)中心電源參考設(shè)計(jì)相較于目前常用的5.5kW供電方案，該方案將輸出功率提升兩倍以上，體積僅增加不到1/4，等效功率密度提升77%，完美解決當(dāng)下數(shù)據(jù)中心供電難題，同時(shí)滿足80 PLUS紅寶石認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。

該電源參考設(shè)計(jì)方案具體參數(shù)如下：輸入電壓范圍為180~305 Vac寬幅設(shè)計(jì)，支持277 Vac電壓工況；207Vac以上最高輸出12kW，低于該閾值時(shí)輸出10kW，支持50V 240A MAX輸出；峰值效率97.5%，額定滿載效率超過(guò)96.5%；12kW斷電工控下可維持20ms輸出，浪涌電流控制為穩(wěn)態(tài)電流的三倍；尺寸為790×73.5×40mm，對(duì)比當(dāng)下5.5kW設(shè)計(jì)，僅在長(zhǎng)度上多150mm，功率密度可達(dá)85 W/inch3；同時(shí)，該參考設(shè)計(jì)具備防雷功能以及主動(dòng)均流功能及過(guò)流、過(guò)壓、欠壓、過(guò)熱保護(hù)機(jī)制，內(nèi)部采用雙排風(fēng)扇散熱。

另外，該12kW OCP電源參考設(shè)計(jì)方案采用Gen-3Fast碳化硅MOSFET、IntelliWeave數(shù)字技術(shù)，以及高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片，通過(guò)三相交錯(cuò)TP-PFC和FB-LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了更極致的效率與性能，同時(shí)元件布局極簡(jiǎn)。

三相交錯(cuò)TP-PFC拓?fù)?/h5>

該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)由采用“溝槽輔助平面柵”技術(shù)的Gen-3Fast碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)。憑借納微半導(dǎo)體在碳化硅領(lǐng)域超過(guò)20年的技術(shù)積累，該技術(shù)在全溫度范圍內(nèi)展現(xiàn)卓越性能，具備低溫升、快速開(kāi)關(guān)和出色的魯棒性。它能夠?yàn)殡妱?dòng)汽車(chē)提供更快速的充電能力，或使AI數(shù)據(jù)中心的功率提升3倍。

IntelliWeave數(shù)字控制技術(shù)

納微半導(dǎo)體獨(dú)家的IntelliWeave數(shù)字控制技術(shù)，融合了臨界導(dǎo)通模式（CrCM）與連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）的混合控制策略，能夠覆蓋從輕載到滿載的全工況。在保持簡(jiǎn)潔設(shè)計(jì)的同時(shí)，最大化效率，相比傳統(tǒng)CCM方案，可降低30%的功率損耗。

三相交錯(cuò)FB-LLC拓?fù)?/h5>

該拓?fù)溆杉{微半導(dǎo)體的第四代GaNSafe氮化鎵功率芯片驅(qū)動(dòng)。這款芯片集成了控制、驅(qū)動(dòng)、感測(cè)和關(guān)鍵保護(hù)功能，為高功率應(yīng)用提供了前所未有的可靠性和魯棒性。GaNSafe是全球氮化鎵功率芯片的安全標(biāo)桿，具備最大延遲僅350ns的短路保護(hù)、所有引腳均具備2kV HBM ESD保護(hù)、消除負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)并具備可編程的斜率控制，上述所有功能僅通過(guò)芯片的4個(gè)引腳實(shí)現(xiàn)，封裝方式與普通氮化鎵FET相同，無(wú)需額外的VCC引腳。650V的GaNSafe提供TOLL與TOLT封裝，適用于1kW至22kW的應(yīng)用場(chǎng)景，其導(dǎo)阻典型值范圍為18mΩ至70mΩ。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

納微本次推出的12kW OCP AI數(shù)據(jù)中心電源參考設(shè)計(jì)，峰值效率達(dá)97.8%，遠(yuǎn)超80 PLUS紅寶石標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)相比以往5.5kW方案，功率提升兩倍以上，體積僅增加不到1/4，功率密度顯著提升。同時(shí)，該電源方案內(nèi)置納微Gen-3Fast碳化硅MOSFET、GaNSafe氮化鎵芯片，結(jié)合先進(jìn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，為數(shù)據(jù)中心提供節(jié)能、穩(wěn)定且高效的電源解決方案，助力相關(guān)企業(yè)每年節(jié)約數(shù)額可觀的電費(fèi)支出。

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專(zhuān)注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司，于2024年迎來(lái)了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)、控制、感應(yīng)及保護(hù)集成在一起，為市場(chǎng)提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補(bǔ)的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過(guò)優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點(diǎn)市場(chǎng)包括移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場(chǎng)。納微半導(dǎo)體擁有超過(guò)300項(xiàng)已經(jīng)獲頒或正在申請(qǐng)中的專(zhuān)利。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。