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在 2025 年北大研究生畢業典禮上，長江存儲首席科學家霍宗亮回顧公司十余年發展。

長江存儲首席科學家霍宗亮表示，“在長江存儲的這十來年里，我們的團隊臥薪嘗膽，一路披荊斬棘，使我國的三維閃存芯片技術從無到有、從落后到趕超，實現了跨越式的發展。”

在畢業典禮上，霍宗亮表示，北大與民族復興緊密相連，應選擇與國家同行，與民族共命運，投身到國家需要的產業中去。

數資料顯示，長江存儲成立于 2016 年 7 月，是國內專注于 3D NAND 閃存及存儲器解決方案的重要企業。

該公司產品涵蓋 3D NAND 閃存、嵌入式存儲、移動硬盤、固態硬盤等，還在 2021 年推出零售存儲品牌 “致態”。

技術突破方面，長江存儲曾于 2020 年 4 月宣布第三代 TLC/QLC 兩款產品研發成功，其中X2-6070 型號作為當時首款第三代 QLC 閃存，在發布時創下了業界最高的 I/O 速度、存儲密度和單顆容量紀錄。

近期，長江存儲在閃存技術領域的創新突破仍在持續。

2025 年 2 月，長江存儲宣布全球首款 294 層 3DNAND閃存芯片量產，其讀寫速度突破 7000MB/s，良率超 90%，性能全面比肩三星頂級產品。

同年，長江存儲宣布開始出貨其第五代 3DTLCNAND閃存，該閃存在性能、容量以及可靠性等方面均有顯著提升，已成功追趕上全球領先的存儲企業。

此外，三星在2025 年下半年宣布采用長江存儲的 “混合鍵合” 專利技術生產下一代 V-NAND 芯片，這是中國存儲技術首次獲得國際巨頭認可。

霍宗亮補充道，“存儲產業在我畢業的那個時代不是一個最熱門的產業，但我堅信它一定是國家需要的產業，所以我們所要做的就是沉下心來，不害怕坐冷板凳，不貪圖快速的回報，在自主研發的道路上默默奮斗。”

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