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近年來，美國實施多項芯片管制措施，意圖遏制中國在尖端科技領域的發展，特別是在高端半導體制造環節采取了系統性封鎖策略。

不過，事態并未按照美方預期軌跡演進。中國不僅未在既定技術路徑上遭遇瓶頸，反而展現出“新戰略”，在前沿領域實現突破，成功繞開美對華芯片出口限制。

在此壓力下，快速調整方向，在多個新興技術領域取得實質性進展，甚至在部分細分賽道實現了全球領先。

突破新技術

當初，美國目睹華為5G迅速崛起，深感不安，隨即啟動“先發制人”策略，出臺芯片禁令、關鍵科技出口管控等手段。

從光刻設備、EDA設計軟件到先進制程工藝，每一項措施都直指核心環節，目標明確，即切斷人工智能、超級計算等領域發展的基礎支撐。

我們同樣采取反制措施，例如此前對鎵、鍺等稀有金屬實施出口管制，正是巧妙的“后發制人”。這些材料是芯片制造與雷達系統不可或缺的“工業催化劑”，一旦缺失，將直接抬升美國半導體與國防產業的成本門檻。

你封鎖我這條通道，我可以開辟另一條路線；你限制這個供應商，我可以扶持另一個替代方。雖然仍處于同一競爭維度，但若僅靠此類局部博弈就想扭轉全局，顯然并不現實。

當外界普遍認為我們將專注于傳統芯片突圍時，我們卻悄然布局了一條全新賽道——“光子芯片”。雖然只差一個字，但在底層原理與架構上已完全不同。電子芯片依賴電子在硅基結構中傳輸，而光子芯片則讓光子成為信息載體。

光的速度有多快？數據傳輸效率提升可達千倍，能耗卻能降低近九成，同時有效緩解芯片散熱這一長期難題。更關鍵的是，它徹底擺脫了傳統芯片的發展邏輯。

美國賴以“卡脖子”的EUV光刻機體系，在光子芯片面前幾乎失去作用。它試圖用象棋規則來壓制，但我們早已跳出棋盤之外。

就在今年，我國首條6英寸薄膜鈮酸鋰光子芯片產線正式投入量產，核心技術達到國際領先水平。目前，全球范圍內能夠穩定生產6英寸光子芯片晶圓的國家，唯有中國。

趁對手尚未完全反應之際，我們在邊緣地帶悄然構建起一片“戰略根據地”。這塊陣地，無法依靠傳統手段攻破。

未來如果由我們主導光子芯片行業標準的制定，那么在6G通信、人工智能等關鍵技術領域，美國的發展進程或將不得不參考我們的立場。

除了光子芯片這枚“奇兵”，我們還在持續夯實自身的“防御工事”。除鎵和鍺外，手中又多出兩張重要牌：碳化硅與氮化鎵，這兩者屬于第三代半導體核心材料。

封鎖核心材料

碳化硅具備高耐壓、高耐溫特性，是新能源汽車與高端裝備的核心組件。我們現已掌握6英寸晶圓量產能力，成功打破美國在高端襯底領域的壟斷地位。

至于氮化鎵射頻器件，華為與中芯國際均已建成自主生產線，大幅削弱了美國在5G通信領域的控制力。

它們的技術壁壘遠高于稀土提純本身。提純與深度加工過程極為復雜，我們已實現高純鎵99.9999%的極致純度，背后凝聚的是數十年的技術積累。這種難以復制的“硬實力”，才是真正的戰略支點。

這場科技博弈甚至蔓延至能源領域。在第四代核電技術——釷基熔鹽堆方面，我國已實現全球唯一穩定運行。

地球上釷資源儲量遠超鈾，僅我國儲量就足以支撐千年使用周期。這不僅從根本上解決了能源安全問題，也徹底擺脫了對外部鈾資源的依賴。

更重要的是，小型化熔鹽堆未來可應用于航母、潛艇甚至太空基地供電系統，其潛在的戰略價值不可估量。

釷基熔鹽堆的技術難度遠超上述任何一項成果，涉及材料科學、核工程、高溫工藝等多個頂尖學科領域，短期內美國難以追趕。

此外，我們在推進光子芯片的同時，并未放棄傳統技術路線。中科院在EUV光源技術方面已取得重大突破，盡管距離商業化仍有距離，但這項成就如同懸于美國頭頂的利劍，時刻提醒著對方：你的封鎖并非無解。

更為關鍵的是，我們正逐步構建起屬于自己的全球合作網絡。通過“一帶一路”倡議與金磚國家機制，我們與馬來西亞、新加坡等國開展芯片產業鏈深度協作，聯合歐洲推動光子芯片國際標準制定，爭取未來話語權。

與此同時，龐大的國內市場——從新能源汽車到智能電網——本身已成為國產芯片成長的“蓄水池”。這場較量早已超越單純比拼芯片制程微縮的時代。

結語

美國為此付出的代價是顯而易見的。英偉達因出口限制損失數十億美元訂單，而它的封鎖政策反而加速了我們的技術迭代進程。

美國人仍在執著于那盤舊棋，思考如何“將軍”，但他們或許未曾察覺，耳邊傳來的，已是圍棋落子時那堅定而清晰的聲音。

文章信源：觀察者網---2025.06.03：《“美國想擺脫中國稀土還要十年，中國已造出多數美國芯片替代品”》人民網---2025.06.07：《首片6寸薄膜鈮酸鋰光子芯片晶圓在無錫濱湖中試下線》央廣網---2025.07.04：《吉爾吉斯斯坦前總理：美“芯”機算盡只能幫倒忙 中國市場至關重要》