前言

在當下電子產品與系統對性能與能效的雙重要求持續攀升的背景下，芯片廠商正不斷突破工藝與架構的邊界，以滿足更小體積、更高功率密度以及更低靜態功耗的需求。無論是移動終端的續航延長，還是工業控制與通信設備的穩健運作，都離不開高集成度、高可靠性的電源管理與控制器件。當前電源芯片已從傳統的離散方案轉向集成度更高、功能更豐富的智能化器件，助力系統在有限空間內實現更高開關頻率、更精確的電流監測及多級保護。

與此同時，多場景、多協議的兼容性也成為新品芯片設計的重要考量。從低壓驅動的功率開關到支持多種通信接口與安全算法的嵌入式微控制單元，再到面向快充與高瓦數應用的協議控制器和標記芯片，不同應用領域對功耗、熱管理、EMI抑制以及瞬態響應速度的綜合要求日益苛刻。為了回應市場對高效、可靠、易集成解決方案的呼聲，業界紛紛推出了一系列橫跨從電源轉換、數字控制到安全加密的全鏈路產品，全面優化系統架構并縮短產品開發周期。

充電頭網已匯總了各大芯片企業推出的多款充電行業的新品芯片，接下來將詳細介紹一下，排名不分先后，按企業英文首字母排序。

BPS 晶豐明源

晶豐明源 Smart DrMOS

晶豐明源最新推出的Smart DrMOS智能集成功率器件芯片，采用自主研發的單晶BCD工藝與大電流框架／疊層封裝，憑借全集成設計實現高效有序的電源管理解決方案，支持3V–24V寬輸入、電流50A–90A輸出及高達1.5MHz的開關頻率，可滿足高瓦數、高功率密度場景下的小型化供電需求；芯片內置高精度（5μA/A或10μA/A）電流檢測與實時結溫監測電路，具備過溫、過流、短路及欠壓鎖定等全面保護功能，既能與核心處理器實現精準閉環調控，又可在靜態工作時將電流降至100μA，從而大幅降低移動設備待機功耗并延長電池續航，全面提升系統能效與可靠性。

CHIPSEA 芯海科技

芯海CS32G501

芯海科技全新推出的?CS32G501?系列 MCU 基于 120?MHz 32 位高性能內核，集成 1?MB Flash 與 256?KB SRAM，并配備 8?KB 指令緩存、8?KB 數據緩存及 192?KB 緊耦合內存，以支持硬件浮點運算和數字信號處理加速，為復雜多線程與實時操作系統應用提供確定性執行；芯片內置 12 位 1?MSPS ADC、多路可配置 PWM 與 21 個 1.8?V 通用 IO，還通過雙通道高速?I3C、四模?QSPI（240?MHz）與六路?I2C（1?MHz）等高速總線滿足高清顯示與多攝模組帶寬需求；

該芯片具備四級電源管理與動態電壓調節，配合 DeepSleep2（15?μA）及 Shutdown（5?μA）模式，使其在 TWS 耳機及智能手表等移動設備中實現超低功耗；內置國密?SM2/SM3/SM4 及 AES/SHA/ECC 安全引擎并提供豐富的接口（USB?1.1 主／設備、TACH 轉速監測與矩陣鍵盤掃描），可運行輕量級 Linux 系統，且憑借完善的 EVB 開發套件與圖形化配置工具，大幅縮短產品開發周期，助力智能終端設計邁向更高性能與安全新標桿。

ETA鈺泰

鈺泰ETA5220

鈺泰半導體 ETA5220 是專為熱成像與高端圖像設備量身打造的超低噪聲線性穩壓器，輸出噪聲僅 0.96?μV?RMS，1?MHz PSRR 高達 69?dB，可有效抑制數字電路干擾，實現畫面條紋減少 40%、信噪比提升 6–8?dB；全溫區電壓精度 ±1%、偏移電壓僅 1?mV，使測溫誤差由 ±1.2?°C 縮小至 ±0.5?°C，均勻性校正更平滑；10?μs 快速瞬態響應保證幀率切換無卡頓，500?μs 啟動時間匹配智能硬件迅速喚醒；內置過熱保護（160?°C 自動關斷）與可調限流，實測高溫環境下芯片溫度 ≤?110?°C；支持 2.5?V–10.5?V 寬范圍輸出，并提供電源良好（PG）信號，可靈活聯動主控，滿足各類傳感器與邏輯模塊的多元供電需求，從而大幅提升熱成像系統的靈敏度、測溫一致性與抗干擾性能。

FASTSOC速芯微

速芯微FS2302

速芯微最新推出的?FS2302?是一款采用SOT23?6封裝的3.3?V驅動高壓NMOS開關，其創新地將控制偏置電源（VBIAS，2.8?V–20?V）與功率開關供電（VIN，0?V–20?V）獨立管理，且VBIAS需高于VIN并保持0–5?V差值，以實現諸如1?V低壓路徑切換等特殊應用。

FS2302導通電阻僅32?mΩ，峰值電流可達4?A，靜態功耗在VBIAS?=?5?V時典型值僅23?μA，使能閾值0.9?V–1.1?V（關斷0.4?V–0.7?V），并支持–40?°C?至?125?°C寬溫度，該芯片具備高耐壓性能與極簡布局，是成為充電頭、電動工具及各類高壓開關場景中提升開關效率與系統可靠性的理想之選。

Greehy極海半導體

極海 APM32F402系列

極海APM32F402系列工業級MCU采用先進55?nm工藝，內置Arm??Cortex??M4F核心，主頻可達120?MHz，配備128?KB Flash與32?KB SRAM，在高效處理能力與成本控制之間實現優異平衡；該系列通過USB?IF認證，認證TID：13708。該芯片嚴格遵循USB電氣規范和協議標準，確保電氣性能與兼容性達到國際水平；豐富的模擬與數字外設接口、2.0?V～3.6?V寬電源電壓支持以及?40?℃～105?℃寬溫度范圍，使其在編碼器、儀器儀表、電力監控、工業控制、家電、電梯控制、游戲外設和掃碼槍等多種復雜應用場景中，既能提升開發效率，又可明顯縮短項目落地周期。

Hynetek慧能泰

慧能泰HUSB385

HUSB385 是一款高度集成的多口 USB?PD 快充控制器，符合 USB Type?C?2.1 和 USB?PD?3.1 標準，支持 5?V/9?V/12?V/15?V/20?V 多檔輸出及兩個可編程 APDO，并兼容 BC1.2 DCP、Apple 5?V?2.4?A、QC2.0/3.0、AFC、FCP、LVSCP/HVSCP、PE1.1+、UFCS 等快充協議。

HUSB385 內置兩個低導通電阻NMOS管、恒壓/恒流閉環及豐富的保護功能，僅需極少外部元件，可簡化電路板設計并提升系統可靠性；該芯片采用 4?mm?×?4?mm QFN?32L 封裝，支持 3 端口（2C1A 或 2A1C）應用、I2C 通信實時上報三路獨立電流與協議狀態、動態功率分配和多檔線纜補償，以及 ±6?kV HBM ESD 抗擾度，能夠根據負載需求無限次調整輸出功率，為各類智能終端提供靈活高效的快充解決方案。

慧能泰HUSB253

慧能泰 HUSB253 是一款面向新一代大功率 USB?C 設備的雙向 PD DRP 控制芯片，完整兼容 USB?PD?3.2 標準及其擴展功率范圍（EPR），可實現最高 240?W、48?V 輸出并承受 60?V 耐壓；內置 DP/DM PHY 支持 QC2.0–QC5、AFC、FCP、SCP、UFCS 等多種專有快充協議，集成 N?MOSFET 驅動器（軟啟動）、eMarker 檢測與 VCONN 供電、死電池喚醒等功能，還配備過流、短路、過壓、過溫及熱關斷等全方位硬件保護及 11 位 ADC 實時監測；24 引腳 QFN?24L 封裝設計，待機功耗低至 2.5?mW，能夠智能調節電源路徑與保護策略，為電動工具、移動電源、筆記本、平板、E?Bike、機器人及家電等高壓大功率 USB?C 應用提供高效、可靠的雙向供電解決方案。

Hypower瀚昕微

瀚昕微 HP961X 系列

瀚昕微的HP961X系列是應用于高端快充線纜的eEmarker芯片產品。符合最新的USB-IF PD3+規范及Type-C R2+規范，支持雙口VCONN和Ra，單顆芯片就能滿足C to C線纜的需求。為Passive Cable提供極簡單的節省BOM成本的解決方案。

瀚昕微的HP961X系列始終保持快充線纜eEmarker的領先地位，HP9610已通過USB-IF PD3.1認證，HP9610B及HP9612M首批通過USB-IF PD3.2 TID認證，且兼容Type-C 2.3和USB4標準。

JADARD天德鈺

天德鈺JD6625

JD6625 是天德鈺推出的一款專為 USB?C 數據線設計的 E?Marker 芯片，支持雷電三/四，支持USB4 2.0 80Gbps，符合 USB Type?C 2.3 和 PD 3.1 規范，并通過了 USB?IF 認證，TID:12068，XID:0016373。

該芯片內置隔離二極管、Ra 阻值陣列與 PD 控制器，將電纜性能檢測與標識功能高度集成于一體，可有效降低外部元件數量和整機成本。通過片內一次性可編程存儲器（OTP），可一次性寫入線纜的額定電流能力、USB 標準版本、廠商身份等信息，完成 VDM命令的響應與上報，實現端口即插即用時對電纜特性的精確識別。

在功能實現上，JD6625 支持高達 240?W 的 PD 最大功率標記，并全面兼容 BMC 模式下的 SOP 通信，以及結構化 VDM 版本 1.0 與 2.0。芯片提供對 Ra 阻值和 VCONN 二極管的驅動控制，VCONN 供電電壓覆蓋 2.7?V 至 5.8?V 范圍，能夠適配不同線纜與應用場景的供電需求。同時，器件內置過溫保護電路，可在高溫環境下自動限流或關斷，以提高系統的可靠性和安全性。

為了應對電磁干擾與靜電放電風險，JD6625 在 CC、VCONN1、VCONN2 引腳上均提供高達 ±8?kV HBM 的靜電防護，并具備可調的邊沿斜率控制功能，用以抑制 BMC 信號中的電磁騷擾。通過 CC 引腳即可完成對定制 VDM 命令的在線編程，無需額外接口，簡化了生產測試流程并提升產品良率。

JD6625 提供多種封裝形式，包括TDFN?4L（1.6x1.6mm）、TDFN?6L（2?×?2?mm） 以及常見的 SOT23?6L，便于設計人員根據不同的 PCB 布局與成本需求靈活選型，可為高功率 USB?C 數據線提供種成熟、可靠且易于量產的E?Marker 芯片解決方案。

1、支持雷電四與 USB4 80Gbps，天德鈺 E-Marker 芯片 JD6625 過 USB-IF PD3.1 240W認證

OCS燦瑞科技

燦瑞 OCD2996

OCD2996是一款適用于重載機型的單相無刷直流（BLDC）電機驅動車規級芯片。它集成了功率MOSFET，支持內置傳感器、外部霍爾開關和霍爾元件，方案可選并有效降低解決方案成本。內置了PWM軟開關功能，效率高，靜音好。內置了速度開/閉環功能，速度曲線，軟開關角度等各種參數，提供參數硬件型和參數可編程型，機型適配性強。

燦瑞 OCP82131

OCP82131 是一款專為支持高達 10 英寸正／負驅動 TFT?LCD 面板（從 SFF 到 MFF，如平板電腦）而設計的高集成度電源管理器件，采用單電感架構實現雙通道輸出，典型應用下兩個輸出直接驅動源極驅動 IC；其寬輸入電壓范圍（2.7?V–5?V）與針對單節鋰電池優化的升壓 DC?DC 轉換器可提供對稱 120?mA 輸出，LDO 與電荷泵則生成默認 ±5.8?V（可通過 I2C 接口靈活編程至 ±4?V 至 ±6.5?V，步進 100?mV），整體轉換效率超過 89%；高達 1.2?MHz 的開關頻率使得電感與電容均可選用超小尺寸元件，內置補償、軟啟動、欠壓／過流保護及過溫關斷等功能，關機電流低于 1?μA，全部集成于 WLCSP?15B 封裝中，可實現解決方案體積與外部組件數量的最小化，同時保持 ±1.5% 的輸出精度和出色的負載／線性調整特性。

Power Integrations

PI TinySwitch-5

Power?Integrations? TinySwitch-5?是其標志性TinySwitch產品系列的最新成員，該系列已累計出貨60億顆，為電源設計提供了簡潔可靠的開關IC解決方案；TinySwitch?5?在傳統反激式設計中可輸出高達175?W，在使用功率因數校正時可達190?W，滿載效率高達92%，即使在1%輕載條件下也能保持最高87%的效率，從而在待機狀態下為顯示、控制與通信功能持續提供220?mW輸出，完美滿足歐盟ErP 300?mW待機功耗標準。

TinySwitch-5無需對現有原理圖作重大修改，該器件采用先進控制引擎自動調節開關頻率與每周期能量傳輸，并提供通孔與表貼兩種封裝，后者可利用PCB散熱實現無散熱片75?W輸出；內置輸入欠壓/過壓保護，延續EcoSmart節能技術自1998年以來已節省約200?太瓦時電力的傳統優勢，廣泛適用于家電、計算、通信、工業及醫療領域的偏置與輔助電源。

PI HiperLCS-2

Power?Integrations?HiperLCS?2?離線式?LLC?開關IC芯片組由集成高帶寬?LLC?控制器、同步整流驅動器和?FluxLink?隔離鏈路的隔離器件HiperLCS2?SR與采用600?V?FREDFET?半橋功率器件?HiperLCS2?HB?構成，借助全新?POWeDIP?封裝及電絕緣陶瓷導熱墊，可實現高達1650?W?連續輸出，峰值更是可達2450?W，效率超過98%，空載功耗低于65?mW，且無需風扇或通風設計。

器件在400?V?DC輸入下可提供出色的0%–100%動態響應，同時相較于分立式方案元件數與PCB面積最多減少60%，通過自供電啟動功能還可為后級?PFC?芯片提供偏置電源，極大提升工業電源及戶外電動工具充電器的可靠性、防塵防潮性能和散熱簡便性。

Power X 博爾芯

博爾芯 PXPG05RxxxCS

PXPG05RxxxCS系列芯片基于耗盡型D-mode GaN 器件，封裝為QFN 6×8mm。

PXPG05RxxxCS系列芯片內部集成自主設計的電流采樣/保護功能的驅動IC，產品覆蓋240mΩ、170mΩ與120mΩ三檔導通電阻，支持5V至40V的超寬電源電壓輸入，可直接與主控芯片共享單電源供電，極大地簡化了系統架構并提升了布板靈活性。

不同于傳統依賴外置電阻的電流檢測方式，該芯片通過創新拓撲實現“無損”電流采樣，電流檢測比例誤差控制在3%以內，既避免了額外的功耗與PCB熱點問題，也使得整體方案的效率和穩定性有著顯著提升，也實現了更小的布板面積。

在電磁干擾（EMI）管理方面，PXPG05RxxxCS內置可調Slew-rate功能，結合外部驅動電流調節，能夠在滿足高頻開關的同時，有效壓制副邊MOSFET的Vds尖峰與系統EMI。

此外，芯片集成了過流保護（OCP）、過溫保護（OTP）及欠壓鎖定（UVLO）功能，其中過流保護響應時間小于30 ns，可在最短時間內截斷異常電流，為電源系統構筑了更為堅實的安全防線。

在控制接口方面，PXPG05RxxxCS支持3–20V寬域數字PWM信號輸入，與主流MCU及DSP高度兼容，可靈活配置至MHz級的開關頻率，以滿足快充、小型化和高頻化設計需求。該系列重點面向300 W及以下PD快充、筆記本適配器、電動兩輪車充電器等應用，兼容QR、LLC、AHB等多種電源架構。

1、博爾芯推出集成無損電流采樣保護GaN IC PXPG05RxxxCS

Primechip 元芯半導體

元芯氮化鎵智能驅動芯片系列

元芯半導體有多款氮化鎵驅動芯片產品，包括YX4505G、YX4725G、YX4707G等氮化鎵驅動芯片。

元芯半導體 YX4505G

元芯高性能柵極驅動器YX450XG系列產品具有超短傳輸時延（僅5ns）和超強驅動能力的特點，內部集成高精度LDO、高精度電流及溫度檢測。可實現上下管驅動強度及斜率調節以及完備的保護功能如OTP(過溫保護)和OVP(VDD過壓保護)，非常適用于光伏儲能、數據中心、電動汽車以及高端消費電子的應用場景。YX450XG高性能柵極驅動器憑借5V驅動電壓與納秒級的響應特性，可精準驅動低開啟閾值的MOSFET及增強型GaN器件，實現系統能效與功率密度的雙重躍升。

元芯半導體 YX4725G

YX4725G 是一款高性能半橋柵極驅動器，專為 Si FET 和高速 GaN FET 應用而設計。它集成了高達100V 的柵極驅動器和自舉二極管，并支持三重PWM 輸入。高壓側驅動電壓在內部箝位，以防止GaN FET 超過柵極源電壓額定值。YX4725G 具有分離式柵極驅動器，可靈活調整輸出導通和關斷時間。YX4725G 可提供高達 4A 拉電流和 8A 灌電流的高峰值電流。它支持軌到軌驅動能力，最大電源輸入電壓為 7V。其超短的傳播延遲和快速的上升和下降時間適合 Si 和 GaN FET 應用。

元芯半導體 YX4513X

YX4513X系列通過單片集成增強型(e-mode)GaN HEMT與全功能柵極驅動電路，實現高頻開關與能效突破；其創新電流檢測技術獨立于GaN動態Rds(on)特性，實現精確的電流采樣，顯著提升系統穩定性與過流響應速度——此為核心優勢為分立GaN FET方案所無法企及。YX4513X系列同時集成40V輸入5V輸出的高精度LDO，兼容TTL/CMOS輸入邏輯（帶遲滯抗干擾），并配備欠壓鎖定(UVLO)、過溫保護(OTP)及低待機電流設計，全面優化高密度電源的系統魯棒性與空載能效。

元芯氮化鎵電源管理控制器產品

元芯半導體 YX2265G

元芯單向DC-DC控制器系列產品適用于光伏儲能、數據中心、電動汽車以及高端消費電子 的應用場景。量產產品支持100V，65V，45V，35V四個電壓等級，支持的拓撲結構包含升降壓Buck-Boost，升壓Boost和降壓Buck。

元芯半導體 YX2865G

元芯雙向DC-DC控制器系列產品適用于光伏儲能、數據中心、電動汽車以及高端消費電子的應用場景。量產產品支持100V，65V，45V，35V四個電壓等級，支持的拓撲結構包含升降壓Buck-Boost，升壓Boost和降壓Buck。

元芯半導體 YX8265G

元芯DC/DCLED驅動系列產品適用于攝影器材、舞臺燈、電動汽車等應用場景。量產產品支持100V，65V，45V，35V四個電壓等級，支持的拓撲結構包含升降Buck-Boost，升壓Boost和降壓Buck。

元芯半導體 YX5311G

YX5311G 是一款隔離式反激式控制器，在 2.7V 至100V 的寬輸入電壓范圍內具有高效率。它直接測量原邊反激波形的輸出電壓，無需光耦合器或第三繞組進行調節。只需一個電阻即可設置輸出電壓。YX5311G 提供 5V 柵極驅動電壓，用于驅動外部N 溝 MOSFET 或 GaN。內部補償和軟啟動功能減少了外部元件的數量。為了保持高效率并最大限度地降低輸出電壓紋波，YX5311G 在輕負載下以 DCM 模式運行。

Si-Power硅動力

硅動力新一代數模混合信號反激控制芯片

SP9800/SP9810與SP9801/SP9811是硅動力最新推出的新一代數模混合信號反激控制芯片，該芯片采用了獨特的數模混合信號設計，將關鍵模擬信號進行數字化處理，并通過狀態機驅動的數字內核完成綜合邏輯運算，從而在復雜工況下實現高精度的電壓、電流控制及保護功能。

這兩款芯片均采用SSOP-10封裝，支持130/180/260/350kHz四檔可選限頻，可配置精準 CC/CV/CP 曲線，并支持17種保護故障碼上報功能，具備包括過壓、欠壓、過流、短路、過溫等保護功能，支持單次可編程OTP寄存器確保出廠前一次性配置存儲，使系統在高效、可靠之間獲得最佳平衡。

其中SP9800與SP9810系列的最大亮點在于SP9800支持硅動力自研的Cap-Less技術與外部參數靈活配置。SP9800可以在僅0.8~1 μF/W的母線電容條件下，通過記錄首波峰值電流與關斷時間，并動態減少Toff使電流不歸零，從而平滑過渡到深度CCM模式，有效提升系統效率并縮小電容體積。同時，BIAS與CS管腳提供450 μA啟動配置電流，用戶可通過接入不同阻值電阻精確設置Ki恒流基準、CP/CC/CV模式等關鍵參數。

SP9801/SP9811則更強調數字化自適應控制與系統簡化，支持更高的功率應用。兩者均內建高壓啟動模塊、X電容放電與VDD維持功能，待機功耗符合6級能效要求；在交流低壓與高壓之間，BIAS管腳可實時并／斷輸入母線電容，實現電容體積優化與沖擊電流抑制。SP9801進一步引入自適應CCM控制，當母線電容容量不足時，芯片通過檢測CS引腳上的VCS_CCM與ΔV差值，自動減少Toff，無縫在DCM與CCM間切換，保證小電容場景下依然能夠維持高效輸出；而SP9811則保留QR/DCM與Burst模式切換，取消CCM，適應于高輸入AC母線場合，可以滿足對系統一致性與靜音特性的要求。

SP9800/SP9801系列詳細資料

在啟動與電壓監測方面，SP9800/SP9810與SP9801/SP9811都融合了Brown-in/out與AC OVP延遲檢測、ZCD電阻自檢、前沿消隱與CS短路／OVP保護等多重機制，確保芯片在各種工況下都能安全可靠工作。

在應用場景方面，SP9800/SP9810與SP9801/SP9811兼容單口及多口快充、高功率密度適配器等場景，尤其適用于需要兼顧體積、效率與安全性的充電器、適配器及工業電源方案。

1、讓體積更小、能效更高！硅動力新一代Cap-Less數模混合反激控制芯片登場！

2、如何破解小型化與能效平衡難題，Cap-Less 數模電源芯片發布會精華解讀

SOUTHCHIP南芯科技

南芯SC3601

南芯科技宣布推出自主研發的 190Vpp 壓電微泵液冷驅動芯片 SC3601，可在移動智能終端實現低功耗液冷散熱。SC3601 可實現 10 倍的節電效率提升，驅動波形的總諧波失真加噪聲 (THD+N) 低至 0.3%，待機功耗低至微安級。搭載該芯片的液冷方案可大幅提升移動智能終端散熱性能，填補了國產技術空白。目前，SC3601 已在多家客戶導入驗證并即將量產。

SC3601 采用雙向轉換架構的創新設計，實現能量回收機制，相比傳統單向能量轉換的驅動方案，節電效率可顯著提升至 10 倍。同時，驅動波形的總諧波失真加噪聲 (THD+N) 低至 0.3%，可實現即時精確的反饋。

南芯SC2006A&SC2007A

SC2006A 和 SC2007A 定位于需要定制邏輯的復雜場景，SC2006A 可用于磁吸充電寶、大功率私有協議和 3C 應用，SC2007A 可支持 2C1A 應用。

SC2006A & SC2007A 應用框圖

這兩顆芯片采用 ARM Cortex M0 內核，集成大容量flash、雙路 11-bit DAC（支持 10mV 步進）等大量模擬外設，可支持 PD3.2 EPR & AVS、UFCS、高低壓 SCP、SVOOC、MI 等全部主流快充協議，以及高精度電量計和阻抗追蹤算法等復雜應用。同時，端口 pin 高耐壓，內置 LDO、優化選電邏輯和放電電路，可實現極簡 BOM 和極致的性價比。在能量效率上，這兩顆芯片采用多級低功耗模式，shipping 模式下最低電流低至 10μA。SC2006A 還集成了 ePWM 輸出、48MHz 時鐘、Q 值檢測和 VMO/IMO 處理后的 BMC 解碼。

SC2006A 和 SC2007A 支持多種保護機制，包括過壓保護、欠壓保護、過流保護、短路保護、過溫保護、DPDM 過壓保護、CC 過壓保護、VCONN 過壓/過流/短路保護等，從而有效確保系統穩定可靠運行。

1、

南芯SC2016A&SC2017A

SC2016A 和 SC2017A 集 PD、MCU 和 Charger 于一身，實現了極致的集成度，進一步簡化系統設計，可應用于 100W 以下的單節或多節電池應用。其中，SC2016A 集成升降壓芯片，可支持 2-5 節電池；SC2017A 集成降壓芯片，可支持 20V 單節電池，MOS 管外置。

SC2016A & SC2017A 應用框圖

這兩顆芯片同樣采用 ARM Cortex M0 內核，以最低的成本提供最充足的 MCU 資源，通過軟件控制充電狀態機，實現高靈活性，滿足不同電池特性的需求，可支持雙獨立 CC&DPDM 快充協議控制，也可搭配通用外置 DCDC 做雙口獨立應用。產品可支持全部主流快充協議，集成多種保護功能，shipping 模式下待機電流低至 10μA。

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ST意法半導體

意法半導體 VIPerGaN65D

意法半導體全新推出的?VIPerGaN65D?反激式轉換器采用傳統?SOIC?16?封裝，集成了?700?V?GaN?晶體管與優化柵極驅動器，支持85?V～265?V通用輸入下最高65?W輸出（185?V～265?V時可達85?W），并在工作頻率最高240?kHz下實現零電壓開關，極大降低開關損耗，使得配合小型反激變壓器與微型無源元件即可構建高功率密度、低成本電源適配器和USB?PD快充器；器件內置SENSEFET電流檢測MOSFET，實現3.5?A限流與精確電流監測，并提供過流、過壓、欠壓、過載、短路、熱關斷等自動重啟保護功能，動態消隱與前饋補償技術可在不同線路與負載條件下保持效率最優化，待機功耗低于30?mW，全面滿足最新國際能效標準，可廣泛應用于便攜充電器、家電、樓宇自動化與工業控制等多種場景。

意法半導體 STDRIVEG610/STDRIVEG611

意法半導體最新推出的?STDRIVEG610?和?STDRIVEG611?高壓GaN半橋柵極驅動器，集成了高邊自舉二極管與小于10?ns的高低邊線性穩壓器，可提供2.4?A／1.2?Ω吸電流與1.0?A／3.7?Ω拉電流的獨立驅動路徑，顯著提升GaN功率器件的開關性能；STDRIVEG610針對300?ns級啟動時間優化，完美契合LLC與ACF等電源轉換拓撲的精確關斷控制需求，而STDRIVEG611在電機硬開關場景中增強了高邊UVLO欠壓保護與過流保護智能關斷，可大幅提高家電、工業伺服及自動化驅動裝置的能效和可靠性；兩款器件支持軟硬開關拓撲、互鎖防交叉導通、±200?V/ns?dV/dt抗擾度，并內置過熱保護及待機節能引腳，所有功能封裝于4?mm×5?mm?QFN中，為設計者在電源適配器、功率因數校正、充電器和電機控制等領域提供了更高的設計靈活性和系統魯棒性。

充電頭網總結

從行業發展維度審視，當下電源與充電芯片領域正沿著 “集成化、智能化、高頻化” 的技術路徑加速革新。一方面，新型功率器件與驅動架構的深度融合打破傳統能效邊界，通過將控制邏輯、保護功能與功率器件集成于單芯片，在提升轉換效率的同時縮小方案體積，為終端設備的小型化與高功率密度設計提供核心支撐；另一方面，多協議兼容性與安全機制的迭代成為行業破局關鍵，芯片方案從單一功能實現向全鏈路協議適配與信息安全集成演進，推動充電生態從碎片化走向標準化，為物聯網、工業控制等場景構建更通用的底層技術框架。