前言

近年來，功率器件領域的創新持續不斷。為提高電源的功率密度與轉換效率，各功率器件廠商紛紛投身于更新型功率器件封裝工藝及形態的探索。如今，功率器件的封裝形式已歷經變遷，從早期的TO引線封裝逐漸演變為TOLL、QFN、SOP、STP等表面貼裝類型。

TOLL封裝，全稱為Transistor Outline Leadless，即無引線功率器件。相較于傳統的D2PAK（TO263）封裝，TOLL封裝體積更輕巧，與PCB板貼合度更高，且具有封裝電阻低、寄生電感低、熱阻低、電壓過沖低以及電流承載能力高等諸多優勢，在戶外電源、逆變器、電動自行車充電器、BMS系統以及眾多大功率電源中得到了廣泛應用。

TOLL功率器件一覽

充電頭網整理了市面部分廠商已推出的部分TOLL功率器件，同時為便于讀者朋友查閱，小編將文中出現的多款TOLL部分參數匯總至上表，詳細參數請查閱下文。

AOS萬國半導體

萬國AOTL66810Q

萬國AOTL66810Q是通過AEC-Q101認證的車規級80V耐壓NMOS，導阻1.25mΩ，采用AlphaSGTTM技術，工作結溫175°C，符合RoHS規范。

萬國AOTL66912Q

萬國AOTL66912Q是通過AEC-Q101認證的車規級100V耐壓NMOS，導阻1.7mΩ，采用AlphaSGTTM技術，耐浪涌電流能力強，工作結溫175°C，符合RoHS規范。

DanXl氮矽

氮矽DX65TA030

DX65TA030是一款650V, 30mΩ增強型硅基氮化鎵（GaN）晶體管，采用TOLL封裝與寬禁帶技術，實現高功率密度。具備開爾文連接，抗干擾能力強，符合工業標準，具備高可靠性，是高性能電力電子應用的優選方案。該器件采用TOLL封裝，能承載高達60A的大電流，適合數據中心電源、AC-DC轉換器、PFC 電路、逆變器、Class-D等場景應用。

GaNext鎵未來

鎵未來G1N65R070TL-H

鎵未來G1N65R070TL-H氮化鎵器件耐壓650V，導阻70mΩ，采用TOLL封裝，具有高閾值的強柵極，無需負柵極驅動，導通/關斷速度快，可交叉損耗，適合數據中心電源、電信電源、微型逆變器、高電壓 DC/DC 轉換器以及基于半橋和/或全橋拓撲結構的電動汽車OBC和DC-DC，用于硬開關和/或軟開關等場景應用。

鎵未來G1N65R035TL-H

鎵未來G1N65R035TL-H氮化鎵器件耐壓650V，導阻35mΩ，采用TOLL封裝，具有超低的反向壓降，支持簡單的柵極驅動，具有更優性能和出色的可靠性。該器件導通/關斷速度快，可交叉損耗，適合數據中心電源、電信電源、微型逆變器、高電壓 DC/DC 轉換器以及基于半橋和/或全橋拓撲結構的電動汽車OBC和DC-DC，用于硬開關和/或軟開關等場景應用。

Innoscience英諾賽科

英諾賽科SolidGaN

英諾賽科發布多款基于700V SolidGaN平臺新品，具備高開關頻率、高功率密度及高散熱能力，可實現氮化鎵在更高功率電源應用中的極致高效與穩定，兼容傳統控制器和驅動器應用生態，實現簡單易用，可在1KW~6KW服務器電源、空調電源、工業電源等大功率應用。其中ISG6123TA和ISG6124TA兩款型號采用TOLL封裝，導阻分別為42mΩ和59mΩ。

Navitas納微

納微NV6512C

納微NV6512C是一顆氮化鎵功率開關管，內置驅動器，無需外置，耐壓650V，漏極電流41A，導阻55mΩ，支持2MHz開關頻率，采用散熱增強的TOLL-4L封裝，適用于數據中心CRPS、太陽能逆變器、電動汽車充電系統、DC-DC轉換器以及電機驅動等場景應用。

納微NV6513

納微NV6512C是一顆氮化鎵功率開關管，內置驅動器，無需外置，耐壓650V，導阻45mΩ，漏極電流53A，支持2MHz開關頻率，采用散熱增強的TOLL-4L封裝，適用于數據中心CRPS、太陽能逆變器、電動汽車充電系統、DC-DC轉換器以及電機驅動等場景應用。

納微NV6514C

納微NV6514C是一顆氮化鎵功率開關管，內置驅動器，無需外置，耐壓650V，導阻25mΩ，漏極電流90A，支持2MHz開關頻率，采用散熱增強的TOLL-4L封裝，適用于數據中心CRPS、太陽能逆變器、電動汽車充電系統、DC-DC轉換器以及電機驅動等場景應用。

納微NV6515

納微NV6515是一顆氮化鎵功率開關管，內置驅動器，無需外置，耐壓650V，導阻35mΩ，漏極電流65A，支持2MHz開關頻率，采用散熱增強的TOLL-4L封裝，適用于數據中心CRPS、太陽能逆變器、電動汽車充電系統、DC-DC轉換器以及電機驅動等場景應用。

納微NV6522

納微NV6522是一顆氮化鎵功率開關管，內置驅動器，無需外置，耐壓650V，導阻55mΩ，漏極電流41A，支持2MHz開關頻率，采用散熱增強的TOLT-16L封裝，適用于數據中心CRPS、太陽能逆變器、電動汽車充電系統、DC-DC轉換器以及電機驅動等場景應用。

納微NV6523

納微NV6523是一顆氮化鎵功率開關管，內置驅動器，無需外置，耐壓650V，導阻45mΩ，漏極電流53A，支持2MHz開關頻率，采用散熱增強的TOLT-16L封裝，適用于數據中心CRPS、太陽能逆變器、電動汽車充電系統、DC-DC轉換器以及電機驅動等場景應用。

納微NV6524

納微NV6524是一顆氮化鎵功率開關管，內置驅動器，無需外置，耐壓650V，導阻25mΩ，漏極電流90A，支持2MHz開關頻率，采用散熱增強的TOLT-16L封裝，適用于數據中心CRPS、太陽能逆變器、電動汽車充電系統、DC-DC轉換器以及電機驅動等場景應用。

納微NV6525

納微NV6525是一顆氮化鎵功率開關管，內置驅動器，無需外置，耐壓650V，導阻35mΩ，漏極電流65A，支持2MHz開關頻率，采用散熱增強的TOLT-16L封裝，適用于數據中心CRPS、太陽能逆變器、電動汽車充電系統、DC-DC轉換器以及電機驅動等場景應用。

1、批量上車準備就緒，納微八款氮化鎵通過車規認證！

Vergiga威兆

威兆VS4401AKH

威兆VS4401AKH是一顆增強型NMOS，耐壓40V，導阻低至0.85m?。

威兆VSK003N08HS-G

威兆VSK003N08HS-G是一顆耐壓80V，導阻為2.4m?的NMOS，采用VitoMOSⅡ技術制造，具有更低的導通損耗和開關損耗以及優越的開關性能。

威兆VSK002N08HC-G

威兆VSK002N08HC-G是一顆耐壓80V，導阻為1.3m?的NMOS，采用VitoMOSⅡ技術制造，具有更低的導通損耗和開關損耗以及優越的開關性能。

威兆VS1696GKH

威兆VS1696GKH是一顆采用VitoMOSⅡ技術制造，耐壓100V，導阻為1.8m?的NMOS，具有更低的導通損耗和開關損耗以及優越的開關性能。

威兆VS1891GKH

威兆VS1891GKH是一顆采用VitoMOSⅡ技術制造，耐壓110V，導阻為1.5m?的NMOS，具有更低的導通損耗和開關損耗以及優越的開關性能，并通過優化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率，將開關損耗降至更低。

威兆VSK002N10HS-G

威兆VSK002N10HS-G是一顆NMOS，耐壓100V，導阻1.7m?。

威兆VSK009N15HS-G

威兆VSK009N15HS-G是一顆采用VitoMOSⅡ技術制造，耐壓150V，導阻為9.2m?的NMOS，具有更低的導通損耗和開關損耗以及優越的開關性能，并通過優化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率，將開關損耗降至更低。

威兆VSK006N15HS-G

威兆VSK006N15HS-G是一顆采用VitoMOSⅡ技術制造，耐壓150V，導阻為4.7m?的NMOS，具有更低的導通損耗和開關損耗以及優越的開關性能，并通過優化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率，將開關損耗降至更低。

威兆VSK004N15HS-G

威兆VSK006N15HS-G是一顆耐壓150V，導阻為3.9m?的NMOS，采用VitoMOSⅡ技術制造，具有更低的導通損耗和開關損耗以及優越的開關性能，并通過優化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率，將開關損耗降至更低。

1、占板面積減少30%，威兆發布9款采用TOLL封裝NMOS

充電頭網總結

TOLL封裝實現了功率器件的表面貼片封裝，該封裝將功率器件的體積大幅縮減。這對于各類電源設備而言意義重大，使得電源在追求輕量化、小型化的道路上得以加速前行。TOLL 封裝的出現，為相關行業工程師在設計高功率密度電源時提供了有力的技術支持和解決方案，助力實現更高效、更緊湊的電源系統設計，滿足現代電子設備對電源性能和體積的嚴苛要求。