前言

在高功率電源領域，工程師面臨服務器電源功率不斷攀升，光伏逆變器對效率的追求日益提高，車載OBC也在追求更高功率密度等諸多挑戰。這些因素導致電源系統設計復雜性增加，熱管理難度增加，可靠性風險上升。行業亟需更低損耗、更高效率的功率器件新品。

近日，英諾賽科推出 4 款基于700V SolidGaN平臺的新品，采用TOLL和TOLT封裝，具備高開關頻率、高功率密度和高效散熱能力，為新一代電源設計提供簡單易用且高效的解決方案。下文將深入剖析該系列產品的創新特性及優勢等實際應用價值。

英諾賽科612X系列產品矩陣

隨英諾賽科本次推出4款無引腳封裝氮化鎵新品，至此，英諾賽科612X系列700V SolidGaN產品矩陣共具備8款產品，提供三類封裝可選，可為產品工程師提供更靈活多樣的器件選擇。

新品創新特性

無感替換

該產品具備“無感替換”生態優勢。其10-24V寬柵壓驅動設計，兼容SiC和IGBT控制器，適用多種應用場景。引腳兼容設計使TP與TA版本功能引腳精準對應，便于替換操作。集成LDO柵極鉗位，可有效消除Vgs過沖風險，保障器件安全穩定運行。

性能突破

本次新品具備100V/ns dv/dt保護與0.5Ω強下拉米勒鉗位，消除負壓需求。零反向恢復電荷（Qrr=0）特性，使開關損耗較傳統產品降低40%。同時本次芯片采用超低熱阻設計，TOLT封裝熱阻0.48℃/W（以ISG6124TP為例），TOLL封裝熱阻0.46℃/W（以ISG6123TA為例），有助于確保器件高功率運行時的散熱效率。

應用優勢

該產品適用于1KW至6KW的服務器電源、空調電源及工業電源等大功率場景。對比傳統方案，效率提升1-2%，功率密度提高50%，在能耗與體積方面更具優勢，為系統設計提供更大靈活性。

性能對比

與同類型產品相比，該系列產品優勢突出。開關頻率可達2MHz，是傳統650kHz SiC產品的3倍。實測功率密度提高50%，且通過整合驅動與保護電路，系統元件減少60%，簡化電路設計，降低設計難度與生產成本，并提升系統可靠性和穩定性。

新品詳細參數

ISG6123TA/ISG6123TP

ISG6123TA/ISG6123TP為700V耐壓42mΩ的E-Mode GaN，瞬態耐壓可達800V，具備10V~24V寬柵極輸入電壓范圍，開啟和關閉掃描速率可調。

這兩款芯片的差異點為封裝帶來的散熱效率差異，ISG6123TA采用TOLL-11L封裝，而ISG6123TP采用TOLT-16L封裝，前者功率耗散271W，后者為338W。

ISG6124TA/ISG6124TP

ISG6124TA/ISG6124TP為耐壓700V，導阻59mΩ的E-Mode GaN，瞬態耐壓可達800V，支持10V~24V寬柵極輸入電壓范圍，開啟和關閉掃描速率可調。

這兩款芯片的差異點同樣為封裝，ISG6124TA采用TOLL-11L封裝，而ISG6124TP采用TOLT-16L封裝，前者功率耗散227W，后者為260W。

上述四款芯片適用于高功率開關電源、AC-DC/DC-DC/DC-AC轉換電路、半橋和全橋電路、電視電源和空調電源、數據中心/Ai服務器電源、電機驅動以及太陽能逆變等諸多場景。

充電頭網總結

英諾賽科推出四款700V SolidGaN平臺新品，其具備高開關頻率、高功率密度和高效散熱能力，能為電源設計工程師提供高效解決方案，在高功率場景中可顯著提升效率與功率密度，優于傳統方案。

英諾賽科 (02577.HK) 是全球領先的第三代半導體高新技術企業，致力于硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 的研發與制造。公司擁有全球最大規模的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產基地，產品設計及性能處于國際先進水平。公司氮化鎵產品用于各種低中高壓應用場景，產品研發范圍覆蓋15V至1200V，涵蓋晶圓、分立器件、IC、模組，并為客戶提供全氮化鎵解決方案。成立至今，英諾賽科擁有近700項專利及專利申請，產品可廣泛應用于消費電子、可再生能源及工業應用、汽車電子及數據中心等前沿領域。