在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，那絕對(duì)是三星、美光、SK海力士這三大巨頭的天下。

這三大巨頭，拿走了全球80%+的份額，其它眾多的廠商，合計(jì)份額也不過20%左右，完全不是三星、SK海力士、美光等的對(duì)手。

而中國存儲(chǔ)芯片廠商，起步晚，和三星、美光等相比，那真的是差距太大了。

在很多人的認(rèn)知中，在這樣的局勢之下，中國存儲(chǔ)芯片，只能跟在三星、美光等后面，慢慢追，至于要超過三星、美光，很多人覺得這似乎不太可能。

但是最近發(fā)現(xiàn)，事情的發(fā)展，并不完全是這樣的，在3D NAND閃存上，發(fā)生了一件有意思的事情。

當(dāng)三星、美光、SK海力士們不斷的突破，積極推進(jìn)技術(shù)最，居然發(fā)現(xiàn)盡頭竟然是長江存儲(chǔ)，他構(gòu)建了強(qiáng)大的專利群，在等著它們呢。

存儲(chǔ)芯片其實(shí)是分為兩個(gè)部分的，一個(gè)是存儲(chǔ)芯片部分，一個(gè)是外圍電路部分。

存儲(chǔ)芯片這一塊，不能無限的微縮工藝，基本上在18nm之后就很慎重了，再微縮，可能會(huì)導(dǎo)致存儲(chǔ)數(shù)據(jù)不穩(wěn)定，所以一般是堆疊，即200層，300層這種，蓋更高的樓，可以住的人更多，這樣就可以住進(jìn)更多的“小姐姐”。

而外圍電路部分，可以縮小工藝，比如3nm、5nm等，采用更先進(jìn)的工藝，能夠有更快的讀、寫速度。

這兩塊采用不同的工藝，然后封裝在一起，這個(gè)技術(shù)就叫做混合鍵合技術(shù)(Hybrid Bonding)。

并且目前，混合鍵合已成為半導(dǎo)體和異質(zhì)集成行業(yè)實(shí)現(xiàn)超細(xì)間距互連的首選技術(shù)，而長江存儲(chǔ)，早在幾年前，就搞出了一種叫作“晶棧”（Xtacking），它其實(shí)就是這種混合鍵合技術(shù)。

前段時(shí)間，有機(jī)構(gòu)分析了關(guān)于存儲(chǔ)芯片方面混合鍵合技術(shù)專利，發(fā)現(xiàn)長江存儲(chǔ)最多，三星、美光、SK海力士三家加起來，都沒長江存儲(chǔ)一家多。

所以三星找長江存儲(chǔ)合作，獲得了相關(guān)的專利，據(jù)稱Sk海力士也在尋求合作，畢竟對(duì)于它們而言，獲得授權(quán)，遠(yuǎn)比最后打官司好。

可見，這次確實(shí)是當(dāng)三星、美光、SK海力士不斷的努力突破后，發(fā)現(xiàn)長江存儲(chǔ)在3D NAND的盡頭等著他們了……