導(dǎo)讀：老美徹底攔不??？俄羅斯比中國先造出EUV光刻機，更狠的還在后頭

據(jù)俄媒報道，莫斯科市長宣布，澤廖諾格勒創(chuàng)新科技集群已實現(xiàn)350納米制程工程樣機下線，計劃2024年實現(xiàn)年產(chǎn)12臺的量產(chǎn)目標。

此外，俄媒《Dzen》同步刊發(fā)題為《俄羅斯，會比先造出EUV》的評論文章，宣稱其微電子發(fā)展路徑將跳過深紫外（DUV）階段，直攻目前最先進的極紫外（EUV）。

要知道，俄羅斯受嚴重美方管制，截止到目前僅研發(fā)出一臺350nm的，何來底氣“夸下?？凇保?strong>關(guān)稅戰(zhàn)愈演愈烈背景下，此番又透露出什么信號呢？

一、打破印象，俄方“扮豬吃老虎”

產(chǎn)業(yè)博弈版圖中，已實現(xiàn)28nm制程全產(chǎn)業(yè)鏈自主化，而EU所需的13.5nm極紫外光源技術(shù)仍是戰(zhàn)略制高點。

而俄羅斯雖在整機制造領(lǐng)域暫處350nm制程階段（相當于我國90年代末水平），但其在關(guān)鍵子系統(tǒng)領(lǐng)域的積累不容小覷。

先別笑，也先別急。

此前，多國媒體仍停留在“俄方光刻技術(shù)不行”的刻板印象中。事實上，光刻三大核心系統(tǒng)中，俄羅斯在光源技術(shù)領(lǐng)域具有獨特優(yōu)勢：圣彼得堡國立精密機械與光學(xué)大學(xué)（ITMO）主導(dǎo)的X射線光學(xué)實驗室，早在1997年就突破6.7nm波長激光等離子體光源技術(shù)，其研究成果直接助力ASML完成首代EUV原型機開發(fā)。

至今，ASML仍依賴俄羅斯科學(xué)院光譜研究所（ISAN）提供的多層膜反射鏡技術(shù)，在EUV光源產(chǎn)品上，就連英特爾、臺積電都離不開俄方合作。

而且除了光源，在雙工件臺系統(tǒng)領(lǐng)域，白俄羅斯Planar公司是東歐最大的公司，其總經(jīng)理表示：“全世界只有兩家公司能夠生產(chǎn)靈敏度高達06-0.15nm的傳感器，一家來自美國，另一家就是我們。”

二、中方“前車之鑒”，突破即可超車

核心技術(shù)在手，下一步就是彎道超車。這不是假想，我國就是最好例證。

就拿來說，中國不僅實現(xiàn)全球75%的封裝測試產(chǎn)能，更在第三代材料領(lǐng)域形成技術(shù)代差，迫使蘋果A16仿生組采用長電科技2.5D封裝技術(shù)，英偉達H100計算卡依賴中微公司蝕刻設(shè)備；而在前沿男生科技術(shù)上，我國科學(xué)家成功攻克M-ReActive技術(shù)，使科技“成本直降90%，打破歐美進口原料控制。

公開資料顯示，我國之所以能夠?qū)崿F(xiàn)追趕，關(guān)鍵就是攻克了核心萃取工藝、迭代吸收技術(shù)。同樣，在光刻技術(shù)代際博弈中，有專家預(yù)測，俄方若能在等離子體光源領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)0.01nm級波長穩(wěn)定性突破（當前國際最高水平為0.05nm），其多層膜反射鏡技術(shù)反射率若能提升至94%以上（ASML現(xiàn)行標準為88.2%），便可構(gòu)建起"技術(shù)鎖喉點"。

三、取長補短，三國鼎立正式形成

俄羅斯雖在EUV光源理論領(lǐng)域保持全球第一梯隊，但其高端制造能力仍受制于也是事實，俄方科技更多停留在基礎(chǔ)研究、理論階段，在產(chǎn)業(yè)化上還有很長的路要走。

不過俄方研究進程仍值得我們密切關(guān)注，俄科院下屬機構(gòu)年度發(fā)表論文中，82.4%刊載于《俄羅斯科學(xué)院院報》等國內(nèi)核心期刊。與全球通行的SCI導(dǎo)向不同，其學(xué)者更注重國防應(yīng)用導(dǎo)向研究，如托木斯克理工大學(xué)在太赫茲雷達領(lǐng)域的，遲至2022年才通過技術(shù)轉(zhuǎn)化展披露。

此番“閉門造車”的舉動，導(dǎo)致俄方在國際上遮蔽了其真是技術(shù)實力，甚很多人對俄方科技的認知還停留在“從冰箱空調(diào)里拆”的段子中。

實際上，沖突過后，俄羅斯科學(xué)研究與高技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，正煥發(fā)出新的氣象，近年來，其在工業(yè)母機、關(guān)鍵軟件等領(lǐng)域，俄羅斯國產(chǎn)替代工作業(yè)已全面鋪開，EUV，正是這一浪潮的小小縮影。

以往大多數(shù)國家在尋找技術(shù)合作伙伴時，首選美、日、西歐等技術(shù)強國，鮮少注意到俄羅斯。

目前，國際市場有3個方向的光刻，不久的將來會呈現(xiàn)中、美、俄三國鼎立。