來源：制造界 作者：秀二

美國制造業(yè)復興計劃，的確存在。但當下，遭遇了前所未有的困難。中國制造業(yè)呢？正在克服困難，挑起中國經(jīng)濟的大梁。昨天，我國半導體設(shè)備企業(yè)中微公司，起訴了美國國防部，對美國無端打壓表示抗議。

1/制造業(yè)，挑起中國經(jīng)濟大梁

2024 年上半年，中國經(jīng)濟呈現(xiàn)出一定的特點，雖內(nèi)需不足，國內(nèi)經(jīng)濟困難，但出口數(shù)據(jù)很漂亮！

在主要裝備行業(yè)中，電子和汽車行業(yè)增長迅速，增速分別為 13.3%、9.8%，兩個行業(yè)對上半年全部規(guī)模以上工業(yè)增長的貢獻率接近三成。

根據(jù)海關(guān)總署的最新數(shù)據(jù)，2024 年 1-6 月，家電產(chǎn)品累計出口 214,024 萬臺，同比增長 24.9%，芯片出口達到了 5427 億元，同比增幅 25.6%。新能源汽車出口 60.5 萬輛，同比增長 13.2%。

今年以來，制造業(yè)投資維持高位，領(lǐng)跑三大投資板塊。1月-6月，制造業(yè)投資同比增長9.5%，增速比全部投資高5.6個百分點；對全部投資增長的貢獻率為57.5%，比一季度提高5.2個百分點。

制造業(yè)是新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展的主陣地。當前，中國制造業(yè)向“新”向“綠”的轉(zhuǎn)型升級態(tài)勢明顯。7月，高技術(shù)產(chǎn)業(yè)投資同比增長10.4%，其中高技術(shù)制造業(yè)和高技術(shù)服務(wù)業(yè)投資分別增長9.7%、11.9%。高技術(shù)制造業(yè)中，航空、航天器及設(shè)備制造業(yè)，計算機及辦公設(shè)備制造業(yè)投資分別增長37.7%、10.8%。高技術(shù)服務(wù)業(yè)中，專業(yè)技術(shù)服務(wù)業(yè)、電子商務(wù)服務(wù)業(yè)投資分別增長25.4%、17.9%。

制造業(yè)投資快速增長的原因主要包括：大規(guī)模設(shè)備更新政策的實施，持續(xù)釋放技改投資需求，拉動效應(yīng)加大，其中設(shè)備工器具購置投資同比增長 17.3%，制造業(yè)技術(shù)改造投資增長 10.0%；結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化，高技術(shù)產(chǎn)業(yè)投資成為關(guān)注對象，上半年高技術(shù)產(chǎn)業(yè)投資同比累計增長 10.6%；金融支持力度加大，6 月末制造業(yè)中長期貸款同比增長 18.1%，明顯快于貸款平均增長水平；民間投資也有所改善，上半年民間固定資產(chǎn)投資累計增長 0.1%。

當前經(jīng)濟運行中仍存在一些問題，例如國內(nèi)有效需求不足，部分行業(yè)企業(yè)面臨去庫存和盈利壓力等。但隨著外需回暖、新動能培育、政策支撐以及國內(nèi)需求的逐步改善，制造業(yè)有望繼續(xù)保持良好發(fā)展態(tài)勢，為中國經(jīng)濟挑起大梁。

2/中微公司，起訴美國國防部

2024 年 8 月 16 日，國產(chǎn)半導體設(shè)備大廠、刻蝕設(shè)備龍頭企業(yè)中微公司宣布，已向美國法院正式提交訴狀，起訴美國國防部將其列入中國軍事企業(yè)清單的決定。

2024 年 1 月 31 日（美國東部時間），美國國防部根據(jù)《2021 財年國防授權(quán)法案》第 1260H 條，將中微公司列入 CMC 清單。此前在 2021 年 1 月 14 日，美國國防部也曾將中微公司列入涉軍企業(yè)的 CMC 清單，不過在其提出申訴并提供充分證據(jù)后，于同年 6 月 3 日成功被移除。而此次美2024 年 國國防部再次將中微公司列入 CMC 清單。直接原因是，中微公司曾在 2019 年獲得了由中國工信部參與頒發(fā)的刻蝕機系列產(chǎn)品 “制造業(yè)單項冠軍產(chǎn)品獎”。

中微公司認為，該獎項只是一項榮譽，并非能夠證明企業(yè)涉軍。美國國防部做法是錯誤且毫無根據(jù)的。自被列入 CMC 清單以來，中微公司積極地同美國國防部進行溝通、澄清事實，提供了充分的證據(jù)證明其不符合 CMC 清單的認定標準，并要求將其從清單中移除。然而，截至正式起訴之日，中微公司 仍被列入該清單。

中微公司董事長兼總經(jīng)理尹志堯稱：“我們對美國國防部將中微公司再次列入涉軍清單深表震驚。我們相信法院會作出一個公正的裁決，將中微公司從 CMC 清單中移除。同時，我們也愿意繼續(xù)與美國國防部保持溝通，友好妥善地解決所存在的爭議。”

3/美國制造業(yè)復興，遭遇困難！

《財經(jīng)》8月14日報道，題為“美制造業(yè)復興雄心受挫，40%的大型投資延后或暫停。文章提到，美國各地建造新工廠和擴建現(xiàn)有工廠成為一大景觀。根據(jù)美國半導體行業(yè)協(xié)會的數(shù)據(jù)，到2022年底，美國芯片行業(yè)已投入近2000億美元，在16個州建造和擴建40家工廠，未來將創(chuàng)造4萬個就業(yè)機會。看來美國制造復興的雄心挺大！

最新的媒體調(diào)查卻發(fā)現(xiàn)，在投資超過1億美元的大型項目中，總計投資價值840億美元的項目被推遲了兩個月到數(shù)年不等，或被無限期暫停，占大型項目總數(shù)的約40%。其中，一些規(guī)模最大的項目處于停滯狀態(tài)，包括意大利能源巨頭國家電力公司（ENEL）在俄克拉荷馬州的10億美元太陽能電池板工廠，LG能源解決方案公司在亞利桑那州的23億美元電池存儲設(shè)施，以及全球最大鋰生產(chǎn)商雅寶（Albemarle）在南卡羅來納州的13億美元鋰加工廠。

自2020年5月首次宣布赴美設(shè)廠以來，臺積電已陸續(xù)規(guī)劃在美國亞利桑那州建3座工廠，累計投資高達650億美元，是美國史上最大的外方直接投資項目。但4年過去了，臺積電亞利桑那廠還未產(chǎn)出生產(chǎn)一顆芯片。

臺積電美國廠延后的原因很多，包括機臺安裝困難、熟練勞動力難尋。臺積電美國工廠需要建水廠。臺積電美國工廠建水廠的成本可能會高出很多。臺積電 1 月 12 日舉行的財報會議上，CFO 黃仁昭表示，由于勞動力、許可證、職業(yè)安全、近年來的 通貨膨脹、人員學習曲線等因素，臺積電在美國建廠的成本會比在中國臺灣高出 4-5 倍。再加上高昂建設(shè)成本和運營成本，生產(chǎn)一顆芯片的成本要比臺灣高出十幾倍。這些成本轉(zhuǎn)嫁到老客戶蘋果、英偉達、高通身上，能接受嗎？還不如從臺灣當?shù)啬秘洷阋恕?/strong>

臺灣前“經(jīng)濟部長”尹啟銘此前撰文稱，臺積電赴美投資完全是為了配合美國的政治和經(jīng)濟利益，不僅未能得到應(yīng)有的協(xié)助，反而得如此屈膝卑躬地應(yīng)對各方索取和強悍態(tài)度對待，“不禁要呼吁臺積電：該離開美國的時候就離開吧！”

4/加州參議員，警告拜登

在半導體領(lǐng)域，臺積電亞利桑那州第二工廠的投產(chǎn)時間由原定的2026年推遲至2027到2028年。英特爾也推遲了作為補貼對象的俄亥俄州新工廠項目。半導體相關(guān)計劃也因技術(shù)人員等人才的短缺而停滯不前。

在此背景下，拜登政府推動的供應(yīng)體系與中國的“脫鉤斷鏈”計劃可能也面臨困難。分析人士認為，《芯片與科學法》和《通脹削減法案》提供的支持不足以支撐美國與中國“斷鏈”。

據(jù)路透社 8 月 14 日報道，加州參議員亞歷克斯?帕迪拉（Alex Padilla）和眾議員佐伊?洛夫格倫（Zoe Lofgren）聯(lián)合致信拜登內(nèi)閣的商務(wù)部，信中表示：“我們要求你們暫停額外的單邊出口管制，直到有充分的理由證明這些管制不會損害美國在先進半導體和半導體制造設(shè)備方面的競爭力。”

美國商務(wù)部對議員的這一行為頗為震驚，因為這是總統(tǒng)的政策決定，卻遭到了議員的質(zhì)疑。不過商務(wù)部表示，已按照流程通知了 拜登，等待他的答復。

報道稱，此前拜登政府計劃進一步收緊對華芯片出口限制，預(yù)計將于 8 月頒布新規(guī)定，批準美國對其他國家進行 “額外管制計劃”，屆時中國的芯片如果被其他國家進口，很可能失去和美國做生意的機會。而議員們此次挑戰(zhàn)該法案，并非是為了中國考慮，而是在嘗試維護自身利益，管制政策損害了不少美國企業(yè)的利益，企業(yè)向議員施壓，且議員的選票和企業(yè)掛鉤。此外也有評論認為，議員們警告拜登，打壓中國的同時不能損害關(guān)聯(lián)方的利益。

5/說一下尹志堯

刻蝕機與光刻機并稱為芯片制造的兩大核心設(shè)備。中微公司在刻蝕機領(lǐng)域取得了顯著成就，其產(chǎn)品已應(yīng)用于全球先進的生產(chǎn)線。

尹志堯 在半導體行業(yè)前沿領(lǐng)域是學術(shù)精英、技術(shù)專家、領(lǐng)軍人物。其個人在半導體行業(yè)擁有 86 項美國專利和 200 多項各國專利，被譽為 “硅谷最有成就的華人之一”。全世界超過一半的刻蝕設(shè)備都有他參與領(lǐng)導和開發(fā)的身影。

2024 年 3 月 19 日，中微公司董事長、總經(jīng)理尹志堯在 2023 年度業(yè)績說明會上表示，中微公司絕大部分刻蝕設(shè)備的零部件已實現(xiàn)國產(chǎn)化，并且在很短的時間內(nèi)將全面實現(xiàn)自主可控。預(yù)計在 2024 年三季度末實現(xiàn) 100% 的自主可控。

尹志堯堪稱中國半導體領(lǐng)域的泰斗，他的一些觀點和言論對于了解光刻機及中國芯片行業(yè)的發(fā)展具有重要參考價值。尹志堯在近期接受采訪時稱，基本上在今年夏天左右，中國芯片將實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈的完全自主可控，這也意味著包括光刻機等半導體設(shè)備以及光刻膠等半導體材料，我國都已經(jīng)可以自主化。

他還提到在半導體設(shè)備方面，目前暫時沒有看到什么發(fā)展瓶頸，接下來中國芯在光刻機等領(lǐng)域的技術(shù)水平還會有不小的提升和發(fā)展。此前也有一些國內(nèi)的研究院、高校透露出了關(guān)于國產(chǎn) EUV 光刻機核心零部件技術(shù)突破的相關(guān)消息。尹志堯認為，國產(chǎn)光刻機在離子注入和電子束領(lǐng)域仍存在短板，有待補齊。

尹志堯，1944 年出生于北京。1967 年，尹志堯畢業(yè)于中國科技大學化學物理系，之后在石油化工部和中科院工作，負責催化劑產(chǎn)品的研究。1978 年，他考入北京大學化學系，并于 1980 年獲碩士學位。同年，他前往加利福尼亞大學洛杉磯分校留學，僅用三年半時間就獲得物理化學博士學位。

1984 年獲博士后，尹志堯進入 英特爾 研發(fā)中心應(yīng)用開發(fā)部，參與關(guān)鍵半導體設(shè)備的研發(fā)。1986 年，他加入 Lam 公司，主導研發(fā)了彩虹號 氧化物 刻蝕機。1991 年，他加入應(yīng)用材料公司的等離子刻蝕事業(yè)群。2000 年，他成為該事業(yè)群總經(jīng)理，負責 16 億美元的生意。在硅谷工作的二十年里，他參與并領(lǐng)導了國際幾代等離子體刻蝕機的研發(fā)，成為微觀設(shè)備領(lǐng)域的 “最強大腦” 之一。

盡管在國外有著優(yōu)越的生活和輝煌的成就，但尹志堯心中的愛國情懷始終熾熱。2004 年，已經(jīng) 60 歲的他，在時任上海市經(jīng)委主任江上舟的邀請下，毅然回國創(chuàng)業(yè)。面對 江上舟“我們能不能自己把刻蝕機造出來” 的詢問，以及 “哪怕豁出命去，也要為國家造出刻蝕機” 的決心，他帶著 15 人專業(yè)團隊回到上海，創(chuàng)辦了中微半導體設(shè)備公司并擔任董事長兼總裁，主攻薄膜制造設(shè)備與等離子體刻蝕設(shè)備。

中微開發(fā)出的生產(chǎn) 7nm 到 5 納米器件的設(shè)備，已與世界最前沿技術(shù)比肩。中微的等離子體刻蝕設(shè)備應(yīng)用于國際先進的 14 納米、7 納米和 5 納米生產(chǎn)線，短時間內(nèi)就讓我國突破了國際刻蝕機的技術(shù)壟斷。

聯(lián)系我們：txm176（值班微信）廣告及商務(wù)合作：電話18660411611投稿及采訪約談：郵箱447377407@qq.com

版權(quán)聲明：制造界除發(fā)布原創(chuàng)文章外，亦致力于優(yōu)秀文章的交流分享。轉(zhuǎn)載須注明文章來源和作者；申請轉(zhuǎn)載授權(quán)請在文末或后臺留言。版權(quán)所有，違者必究。