中國上海，2025年1月9日——中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）和南昌中微半導體設備有限公司共同擁有的發明專利“一種化學氣相沉積裝置及其清潔方法”（專利號：ZL201510218357.1）榮獲第二十五屆中國專利獎銀獎。

中國專利獎是我國專利領域的最高榮譽，由國家知識產權局和世界知識產權組織聯合主辦，旨在鼓勵和表彰專利權人和發明人對技術創新及經濟社會發展所作出的突出貢獻。至此，中微公司已榮獲中國專利獎2項金獎、1項銀獎和3項優秀獎，這標志著中微公司在技術創新和知識產權保護方面所取得的卓越成就。

本次獲獎的發明專利是中微公司MOCVD設備產品的基礎核心專利。MOCVD設備是寬禁帶半導體各種微觀器件制造的最關鍵設備，采用單晶外延生長技術生產LED芯片、功率器件以及其它第三代半導體器件，具有廣闊的應用前景。中微公司的MOCVD設備在業界享有盛譽，其氮化鎵基LED生產用MOCVD設備的市場占有率在過去幾年內躍居全球第一，市場占有率超過70%。

本次獲獎專利從反應腔內流體動力學和氣流分布的角度提供了一種構思新穎、巧妙的設計，使反應氣體排氣與反應副產物沉積物的收集、存儲相互分離，避免了固體沉積物對排氣口的堵塞，巧妙解決了MOCVD設備領域一直困擾的排氣不均勻、工藝良率低、維護頻繁和生產效率低等業界難題。這一突破性的技術，為客戶提供了更可靠、更高效的生產解決方案，有力推動了MOCVD設備的技術進步，促進了LED照明與顯示產業的新發展。這一創新成果進一步鞏固了中微公司在MOCVD設備市場的領先地位，也為國家節能減排、降低能耗作出了巨大貢獻。

“中微公司連續斬獲中國專利獎，彰顯了中微公司在研發創新和知識產權管理方面的領先地位。”中微公司董事長兼總經理尹志堯博士表示，“創新是中微公司發展的核心驅動力。中微公司將始終秉承技術創新、產品差異化和知識產權保護的產品開發原則，強化研發投入，不斷突破技術瓶頸，為客戶提供更具創新性和卓越品質的產品和服務，為全球半導體產業的發展貢獻更大的力量。”

關于中微半導體設備（上海）股份有限公司

中微半導體設備（上海）股份有限公司（證券簡稱：中微公司，證券代碼：688012）致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領先的加工設備和工藝技術解決方案。中微公司開發的CCP高能等離子體和ICP低能等離子體刻蝕兩大類，包括十幾種細分刻蝕設備已可以覆蓋大多數刻蝕的應用。中微公司的等離子體刻蝕設備已被廣泛應用于國內和國際一線客戶，涵蓋從65納米到5納米及更先進工藝的眾多刻蝕應用。中微公司最近十年著重開發多種導體和半導體化學薄膜設備，如MOCVD，LPCVD，ALD和EPI設備，并取得了可喜的進步。中微公司開發的用于LED和功率器件外延片生產的MOCVD設備早已在客戶生產線上投入量產，并在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場占據領先地位。此外，中微公司也在布局光學和電子束量檢測設備，并開發多種泛半導體微觀加工設備。這些設備都是制造各種微觀器件的關鍵設備，可加工和檢測微米級和納米級的各種器件。這些微觀器件是現代數碼產業的基礎，它們正在改變人類的生產方式和生活方式。在美國TechInsights（原VLSI Research）近五年的全球半導體設備客戶滿意度調查中，中微公司三次獲得總評分第三，薄膜設備三次被評為第一。