01
前沿導讀
美國商務部長吉娜·雷蒙多 (Gina Raimondo) 在接受采訪時表示,美國應該更多地關注對國內創新的投資,而不是實施禁令和制裁。她還補充說,“試圖阻止中國是愚蠢的差事。”
拜登政府的《芯片和科學法案》,導致該國在建設芯片基礎設施方面的投入比過去 28 年的總和還要多,“比出口管制的重視程度更高”。
盡管如此,《華爾街日報》稱,拜登總統仍然推動對中國公司的禁令和制裁,甚至敦促包括荷蘭和日本在內的盟友阻止中國獲得先進技術,尤其是那些包含美國技術的領域。
02
《芯片法案》現存的影響
自從美國頒布了《芯片法案》之后,美國的芯片制造業便獲得了大量的資金注入。
根據美國人口普查局的一份報告,計算機和電氣制造建設資金的增長如此之大,以至于美國政府僅在 2024 年就將為該行業增加與過去 28 年一樣多的資金。
美國的芯片制造業增長最早開始于 2021 年,但其爆炸式的繁榮情況,是由于拜登政府于 2022 年通過的 2800 億美元支出計劃《芯片與科學法案》的資金大幅增加。
該法案的簽署是為了支持美國半導體行業,包括英特爾、三星和美光在內的公司都獲得了數十億美元,用于在美國建造新的制造工廠,美國本土的科技研發也是該資助計劃的一大重點。
建設資金正在對美國預計的芯片擴充產生重大影響,美國半導體行業協會最近的一項研究發現,到 2032 年,美國的國內芯片制造能力將增加兩倍,預計到同年將生產全球 30% 的尖端芯片,這種期望甚至超過了政府夸大的目標。
美國商務部長吉娜·雷蒙多 (Gina Raimondo) 僅在 2 月份就大膽宣布了將全球領先芯片占 20%的目標,現在預計這一目標將遠遠超過。
她還曾經就《芯片法案》的資源投入做出了回應:“我們認為,我們對尖端邏輯芯片制造的投資將使這個國家走上正軌,到本十年末,生產出大約 20% 的全球領先邏輯芯。”
臺積電以 N3B 和 N3E 3nm 級工藝技術量產芯片,這些可以被認為是世界上最先進的生產節點。與此同時,英特爾即將開始在其英特爾 20A 制造工藝上大規模生產芯片,這是一種 2nm 級制造工藝,可以提供比臺積電的 N3B 更好的特性。
然后,英特爾預計將在 2025 年開始使用其英特爾 18A 工藝技術制造芯片,該公司表示,該節點的表現顯然將優于臺積電的競爭對手。
大多數通過《芯片法案》獲得補貼的新工廠,都還在建設當中。
例如英特爾的新俄亥俄州園區,英特爾的俄亥俄州工廠和許多同行將成為芯片制造領域的主要參與者,領先的芯片工藝開發預計將最終進入美國,與通常由美國晶圓廠承擔的更大、更簡單的工藝相比,這是一個進步。
盡管花費了大量資金,但全國各地的大部分晶圓廠建設都出現了重大延誤:三星、臺積電和英特爾都比計劃晚了一年或更長時間。這主要歸咎于監管不力,使美國成為世界上芯片制造建設最慢的國家之一。
《芯片法案》的通過,為臺積電提供數十億美元的贈款和貸款,用于在美國建造和擴建制造設施。臺積電的協議包括 66 億美元的贈款和高達 50 億美元的貸款,用于開發亞利桑那州鳳凰城的 Fab 21。
03
《芯片法案》未來的影響
雷蒙多部長在最近的采訪中說:“擊敗中國的唯一方法是保持領先,我們必須跑得更快,超越創新,這就是獲勝的方式。”
目前來說,美國本土的晶圓企業,沒有一家擁有7nm芯片的制造能力,英特爾也是如此。英特爾雖然擁有EUV設備,但是一直在打磨老舊的10nm工藝。就算擁有一批7nm技術的芯片,也是基于10nm的變體技術。
英特爾的業務板塊以移動終端的CPU為主,不集成GPU等其他模塊,而英特爾發家的存儲器技術,早在格魯夫當CEO的時代,就已經砍掉了。
終端CPU并不太需要先進制程的芯片,手機的SOC集成度相對來說更高,需要的制程工藝也就越好,先進的制程工藝可以有效的提升內部零部件跟CPU之間的數據抓取速度。
全球內擁有先進制程工藝制造能力的晶圓企業,只有韓國的三星以及中國臺灣的臺積電。
美國《芯片法案》的推動,目的就是讓這些擁有先進制造技術的企業,在美國建廠,以此來彌補美國沒有先進制造技術的弱點。
只有讓美國本土的企業掌握了先進制造技術,才能讓美國在芯片制造業占據主導地位,擁有行業的話語權。
臺積電當初被三星在制造工藝上面反超,張忠謀緊急啟動了夜鶯計劃,以年薪增加30%,分紅增加50%的待遇提升,要求全部的研發工程師實行三班倒,24小時不間斷的進行技術研發,成功的在制造技術上面再次壓制了三星。
由于美國對中國的制裁,倒逼了中國芯片企業在技術上面的快速研發時代。目前為止,中國芯片的制造能力已經來到了快速增長的時期,市場占比迅速擠壓了其他海外企業的份額。
雖然在先進技術上面,中國芯片的性能與工藝還無法與國外的技術相比。但是在整體的制造規模上面,中國大陸的晶圓企業已經獲得了顯著的增長優勢。預計在未來幾年內,這個優勢還會繼續擴張,并且持續壓制其他晶圓企業的制造規模。
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