散英魂寄千萬雄鷹翱翔神州，

盡智魄載十億慧芯呼喚華夏。

——《國務院給予江上舟同志挽聯》

01

前沿導讀

據韓國媒體《中央日報》報道稱，其和大韓商工會議在針對韓國、美國、中國、日本、歐盟等五大知識產權局所申請的半導體芯片專利進行分析后發現，由中國企業申請的半導體專利數量，從當初的14%，一路上升到了71%，并且呈現出持續上升的趨勢。

02

技術增長

中國企業在被美國封鎖的情況下，進行了全產業鏈的技術發展。在存儲器領域，韓國三星、SK海力士、日本東芝、美國的美光等企業，一直都是行業的龍頭老大。三星依靠著3D堆疊技術的先發優勢，申請了大約2.3萬件相關的技術專利，并且已經在閃存顆粒的堆疊層數上面達到了280層，成為了閃存市場的技術先行者。

但是中國的長江存儲依靠全新的自研Xtacking架構，實現了232層的閃存顆粒堆疊，通過晶圓鍵合技術將讀取速度比上一代產品提升了50%以上。

根據歐洲專利局在全年的存儲技術專利報告上面指出，來自于長江存儲自研架構的專利申請數量，已經達到了6892件。而韓國的三星、海力士等老牌企業，在新專利群的申請數量上面有明顯優勢，分別是12206件和8743件。

盡管中國企業的閃存專利申請數量對比韓國企業有較為明顯的差距，但是來自于中國的長江存儲，從成立到現在也才不到10年的時間。用10年的技術發展，追趕韓國企業幾十年的發展成果，后發制人的優勢在中國企業身上已驗證成功。

而在邏輯芯片領域，曾經被美國企業主導，隨后演變成了三星、臺積電兩家企業在先進芯片制造上面的博弈。

由于美國對中國企業進行了技術與制造設備上面的雙重封鎖，導致中國企業在先進芯片的技術發展當中落后一截。

但是中國企業通過多重圖案化和3D封裝技術，將晶體管的后道金屬互連層增至17層，通過銅-釕復合阻擋層將電阻降低18%，成功在原本14nm工藝芯片的基礎上，實現了等效7nm工藝的性能水平。

盡管這些國產技術的7nm芯片，在產能、成本、能效上面不算特別優秀，但是在被美國封鎖制裁的情況下推出先進芯片的制造工藝，已經屬于超水平發揮了。

在中國企業頂著美國壓制推出了先進芯片之后，國際技術機構techinsights對此發表了評價，該機構認為，中國企業能在被全面制裁下通過新技術制造先進芯片，這本身已經超出了行業內的認知，中國企業完成了一個看似不可能完成的技術項目。

韓國大韓商工會的首席研究院尹正錫也表示，隨著美國對中國企業的矛盾加深，給中國企業帶來了前所未有的危機感。這種危機感，是刺激中國半導體技術發展的關鍵因素。想要以后不被中美兩國的技術淘汰，韓國部門要前瞻性的考慮對本國內的芯片企業提供特殊補貼。

03

持續發展

據產業報告顯示，在美國初步打壓中國企業的2018年，中國半導體產業的自主設備自給率僅僅只有5%。經過了五六年的發展，如今的自給率已經達到了25%左右，并且這個數值呈現出持續上升的趨勢。

以北方華創、中微半導體等芯片設備企業為核心，進行自主設備的全產業鏈協同發展。

根據美國半導體協會發布的全球技術報告顯示，中國北方華創公司所推出的ICP刻蝕機產品，其脈沖射頻電源技術可以將等離子體密度穩定在±1.5%區間。而南大光電的AfF光刻膠產品，可以有效的將線寬粗糙度控制在1.8nm以下，與中國國產技術的刻蝕機產品相匹配。

中電科裝備集團自主研發的28nm中束流離子注入機，已經在中芯國際的12英寸生產線當中投入使用，其穩定流片的晶圓數量超過200萬片。

從2015年開始，中電科的芯片制造設備已經成功進入了中芯國際90nm、55nm、40nm、28nm的芯片生產線，成功實現了量產商用。

并且其自主研發的200mmCMP化學拋光設備，也已經在中芯國際的工廠中進行了技術驗證。而且由中電科推出的CMP設備，是在突破了10項技術封鎖、改進了50多項技術環節之后，研發出的國內首臺擁有自主知識產權的化學拋光設備，實現了自主技術的市場化發展。

中國的半導體產業鏈，已經在多個技術環節實現了自主化技術的更替。根據世界知識產權組織的數據表示，中國企業在芯片領域的PCT申請數量占比達到了38%，高價值專利占比提升到了22%，并且由中國企業開創的設備技術，將會繼續占據全球的芯片市場。

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