據(jù)ETNews報(bào)道，蘋果公司正在開發(fā)多項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新以紀(jì)念 iPhone 誕生 20 周年，而其正在考慮的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)是移動(dòng)高帶寬內(nèi)存 (HBM)。HBM 是一種 DRAM，它將內(nèi)存芯片垂直堆疊，并通過稱為“硅通孔 (TSV)”的微型垂直互連技術(shù)連接起來，從而顯著提高信號(hào)傳輸速度。

HBM 目前主要用于 AI 服務(wù)器，由于能夠與 GPU 協(xié)同支持 AI 處理，因此通常被稱為 AI 內(nèi)存。

顧名思義，移動(dòng) HBM 是移動(dòng)設(shè)備技術(shù)的一種變體，旨在提供極高的數(shù)據(jù)吞吐量，同時(shí)最大限度地降低功耗和 RAM 芯片的物理占用空間。蘋果正在尋求增強(qiáng)設(shè)備上的 AI 功能，據(jù)ETNews報(bào)道，將移動(dòng) HBM 連接到 iPhone 的 GPU 單元被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的有力候選方案。

該技術(shù)可能是在設(shè)備上運(yùn)行大規(guī)模人工智能模型的關(guān)鍵，例如大型語(yǔ)言模型推理或高級(jí)視覺任務(wù)，而不會(huì)耗盡電池或增加延遲。

報(bào)道指出，蘋果可能已經(jīng)與三星電子和 SK 海力士等主要內(nèi)存供應(yīng)商討論了其計(jì)劃，這兩家公司都在開發(fā)自己的移動(dòng) HBM 版本。

據(jù)報(bào)道，三星正在使用一種名為 VCS（垂直銅柱堆疊）的封裝方法，而 SK 海力士正在研究一種名為 VFO（垂直線扇出）的封裝方法。兩家公司都計(jì)劃在 2026 年后實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

不過，制造方面依然存在挑戰(zhàn)。移動(dòng)HBM的制造成本遠(yuǎn)高于目前的LPDDR內(nèi)存。在iPhone等輕薄設(shè)備中，它還可能面臨散熱限制，而且3D堆疊和TSV技術(shù)需要高度復(fù)雜的封裝和良率管理。

如果蘋果確實(shí)在其 2027 年 iPhone 系列中采用這項(xiàng)技術(shù)，這將是該公司突破其 20 周年紀(jì)念版 iPhone 極限的又一例證，據(jù)傳這款 iPhone 將采用完全無邊框的顯示屏，環(huán)繞設(shè)備的所有四個(gè)邊緣彎曲。