近日，山西省科學技術廳發(fā)布重要通知，經(jīng)2025年5月19日省科技廳第13次黨組（擴大）會議審議通過，同意7項省科技重大專項計劃“揭榜掛帥”（半導體與新材料領域）項目延期至2025年12月。這一舉措旨在給予科研團隊更充足的時間，全力攻克關鍵核心技術，推動山西在半導體與新材料領域?qū)崿F(xiàn)技術飛躍，助力產(chǎn)業(yè)升級。

此次延期的7個項目來頭不小，個個聚焦行業(yè)前沿技術與關鍵難題。大尺寸4H-SiC單晶襯底材料制備產(chǎn)業(yè)化技術研發(fā)項目，由山西爍科晶體有限公司發(fā)起需求，河北普興電子科技股份有限公司揭榜。SiC單晶襯底作為制造高性能半導體器件的關鍵材料，在新能源汽車、5G通信等領域有著廣泛應用。大尺寸的4H-SiC單晶襯底制備技術難度極大，此前，國內(nèi)相關技術受國外限制，嚴重制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展。該項目自2022年1月啟動，原計劃2024年12月完成，此次延期至2025年12月，科研團隊有望進一步優(yōu)化制備工藝，實現(xiàn)大尺寸4H-SiC單晶襯底的量產(chǎn)技術突破，打破國外壟斷，為山西乃至全國的半導體產(chǎn)業(yè)提供自主可控的原材料保障 。

8英寸SiC單晶生長設備研發(fā)項目同樣備受關注。山西爍科晶體有限公司聯(lián)合中國電子科技集團公司第二研究所，致力于研發(fā)8英寸SiC單晶生長設備。SiC單晶生長設備是生產(chǎn)SiC單晶的核心裝備，設備性能直接影響SiC晶體的質(zhì)量和生產(chǎn)效率。目前，國際上先進的SiC單晶生長設備被少數(shù)企業(yè)壟斷，該項目的成功研發(fā)，將填補國內(nèi)在這一領域的技術空白，提升我國SiC晶體生產(chǎn)的自主化水平，推動山西在半導體高端裝備制造領域嶄露頭角。

在新材料方面，國產(chǎn)超高強高韌T1100碳纖維及預浸料工程化制備項目，由山西科林化工新材料有限公司與中國科學院山西煤炭化學研究所攜手攻關。T1100碳纖維是航空航天、高端裝備等領域不可或缺的關鍵材料，長期依賴進口。通過此次項目延期，科研團隊能夠有更多時間優(yōu)化制備工藝，解決工程化生產(chǎn)中的難題，實現(xiàn)T1100碳纖維及預浸料的國產(chǎn)化生產(chǎn)，對于保障我國高端裝備制造業(yè)的供應鏈安全，提升山西新材料產(chǎn)業(yè)的競爭力具有重要意義。

通用級瀝青碳纖維長絲制備技術開發(fā)、低（不含）重稀土高性能釹（鈰、鑭）鐵硼磁體、SiC晶體激光誘導剝離工藝與裝備研發(fā)、微波射頻GaN外延缺陷檢測技術研究與設備開發(fā)等項目，也分別從不同角度發(fā)力，聚焦稀土永磁材料、半導體加工工藝與檢測技術等關鍵領域，力求突破技術瓶頸，推動產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

根據(jù)《山西省人民政府辦公廳關于印發(fā)山西省科技計劃項目管理辦法的通知》等相關規(guī)定，此次項目延期是綜合考慮科研實際進展與項目難度后做出的審慎決策。省科技廳相關負責人表示，后續(xù)將加強對這些項目的跟蹤管理與服務保障，協(xié)調(diào)解決項目實施過程中遇到的困難和問題，確保項目順利推進，早日取得突破性成果，為山西的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型和經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展提供強有力的科技支撐。

7項延期省科技重大專項計劃“揭榜掛帥”（半導體與新材料領域）項目清單