據(jù)韓國媒體報道，三星電子啟動了危機預(yù)案和韓國的商業(yè)銀行簽署了價值約72.7億美元的信貸額度協(xié)議。作為韓國重要的經(jīng)濟支柱，啟動危機預(yù)案的舉措清晰地展示了三星的“不舒適”的日常。

對于三星電子來說，如今的存儲市場，老對頭、新對手與自己的距離越來越近。

01

老對頭：迅速成長的海力士

AI的快速發(fā)展，讓海力士借助HBM技術(shù)迎頭而上。相對來說，三星則更依賴傳統(tǒng)DRAM。相關(guān)報告指出，該公司約80%至90%的芯片銷售額來自傳統(tǒng)芯片。然而，由于中國廠商憑借更具價格優(yōu)勢的替代品迅速崛起，傳統(tǒng)存儲芯片的需求正在減弱，價格也在持續(xù)下降。正因如此，擁有HBM領(lǐng)先技術(shù)的SK海力士得以獲得進一步發(fā)展的優(yōu)勢。

2025年4月，Counterpoint Research的2025年第一季度內(nèi)存追蹤報告指出SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營收的領(lǐng)導(dǎo)者；而在2024年第一季度，SK海力士的市占率還落后于三星10%以上。

這樣的超越對SK海力士來說是一個重要的里程碑；同時，對于存儲市場來說這一數(shù)據(jù)也證明了HBM內(nèi)存的“帶貨能力”。在2024年，高盛就曾經(jīng)預(yù)測HBM市場供不應(yīng)求的情況互相SK海力士持續(xù)受益，其中海力士在未來2～3年將保持其50%以上的市場份額。

自從HBM技術(shù)開始受到關(guān)注，三星一直試圖追趕上SK海力士的進度；但現(xiàn)實情況沒有那么順利。

在HBM3E（第五代HBM）市場，三星不僅被SK海力士超越，還被美光超越。隨著美光的HBM3E進入了“大客戶”英偉達的供應(yīng)鏈，尚未通過英偉達HBM3E質(zhì)量測試的三星，正在面對窘迫的現(xiàn)狀。

已知HBM市場依舊會高速發(fā)展，且兩位“小老弟”都已經(jīng)進入金主的供應(yīng)鏈。求此刻苦于產(chǎn)品質(zhì)量的三星心理陰影的面積。這也就不難解釋三星電子在2025年4月將半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)部的部分人力轉(zhuǎn)崗到HBM業(yè)務(wù)。

據(jù)韓國業(yè)界透露，三星電子已經(jīng)將“生死押在HBM4”上。三星計劃在下一代HBM4技術(shù)中，將負(fù)責(zé)核心運算和控制的“邏輯芯片”部分也采用自家的芯片代工技術(shù)來生產(chǎn)。 這樣做有兩個主要好處：第一，大幅提升數(shù)據(jù)傳輸性能，能顯著提高邏輯芯片與其他部分溝通通道的速度；第二，實現(xiàn)高度定制化，可以根據(jù)不同客戶的設(shè)計專利（IP）和具體應(yīng)用需求，來“量身定制”HBM4產(chǎn)品。

三星電子認(rèn)為，與競爭對手SK海力士和美光不同，三星自身擁有強大的芯片代工能力，這成為其開發(fā)HBM4的獨特優(yōu)勢。因此，三星正將其經(jīng)驗豐富的代工技術(shù)人員調(diào)配到HBM業(yè)務(wù)部門，以充分發(fā)揮這一優(yōu)勢。

雖然三星的劇本寫得很好，但其競爭對手似乎并沒有落后太多。

SK 海力士已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)下一代12 層HBM 3E 芯片。SK海力士計劃于2025年下半年完成HBM4的開發(fā)并準(zhǔn)備量產(chǎn)，隨后開始供貨。HBM4的供貨將首先從12層堆疊芯片開始，隨后是16層堆疊芯片，預(yù)計16層堆疊芯片將根據(jù)客戶需求在2026年下半年交付。

美光成立了云內(nèi)存業(yè)務(wù)部門，聚焦超大規(guī)模云服務(wù)商的定制化HBM及存儲解決方案，直接負(fù)責(zé)HBM技術(shù)研發(fā)與商業(yè)化。在HBM4的技術(shù)突破上，美光選擇了Fluxless無焊劑鍵合的技術(shù)路線；在設(shè)備供應(yīng)商，美光向韓美半導(dǎo)體采購50臺熱壓TC鍵合機，同時推進HBM4產(chǎn)線設(shè)備采購與測試，以最大限度加速進度。

02

新對手：迅速成長的中國存儲廠商

除了老對手，三星還面臨著來自中國存儲市場的一眾新玩家。

大摩的一份研報就指出，中國存儲廠商在HBM技術(shù)與頭部企業(yè)的差距正在縮小。目前，國內(nèi)存儲廠商與三星在技術(shù)上的差距僅為3～4年。對于國內(nèi)的HBM買家來說，這些差距是可以通過AI芯片生產(chǎn)規(guī)模的能力進行彌補。

在DRAM產(chǎn)品上，中國存儲廠商已經(jīng)向市場推出了 16Gb DDR5 芯片，采用最先進的 G4 DRAM 代際，在 16nm 節(jié)點上，其芯片尺寸比當(dāng)前的 18nm G3 DRAM 小約 20%。根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，中國頭部存儲商計劃到 2025 年底將其 DDR5/LPDDR5 產(chǎn)能提升至 11 萬片 / 月（占全球 DRAM 產(chǎn)能的 6%），其中 51 萬片 / 月的 G3 專用于中國大陸客戶；剩余的 16-16.5 萬片 / 月將用于 LPDDR4x 和 HBM 研發(fā)。

雖然先進制程及相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備受限，但中國存儲廠商并未在技術(shù)上完全處于下風(fēng)。TrendForce表示，DRAM 行業(yè)對 HBM 產(chǎn)品的關(guān)注正轉(zhuǎn)向hybrid bonding等先進封裝技術(shù)。

Hybrid bonding通過無凸點直接連接芯片，實現(xiàn)更薄的堆疊、更多的層數(shù)、更低的信號損耗以及更小間距下的更高良率。以此來解決超過 16 層的 HBM 產(chǎn)品中TC 鍵合面臨的良率挑戰(zhàn)。

在hybrid bongding技術(shù)上，中國在專利方面處于領(lǐng)先地位。據(jù) TechInsights 稱，中國存儲廠商大規(guī)模生產(chǎn)基于hybrid bonding的 NAND已經(jīng)約四年。該公司采用晶圓對晶圓（W2W）方法，分別制造存儲單元和外圍電路，并將這些晶圓鍵合到單個高密度多堆棧芯片中。

根據(jù)法國專利分析公司 KnowMade 提供的數(shù)據(jù)，2017 年至 2024 年 1 月期間，中國頭部存儲公司披露了 119 項hybrid bonding相關(guān)專利。相比之下，三星電子盡管于 2015 年更早開始申請專利，但截至 2023 年底僅擁有 83 項專利。SK 海力士于 2020 年開始申請，披露了 11 項專利。

ZDNet 的一篇報告指出，目前大多數(shù)hybrid bonding專利由 Xperi（美國知識產(chǎn)權(quán)公司）、中國存儲公司和臺積電持有。從這一角度來看，專利技術(shù)領(lǐng)先以及本地hybrid bonding供應(yīng)鏈的合作，是中國存儲企業(yè)的競爭優(yōu)勢。

與此同時，中國DRAM公司正在增加DRAM出貨量，這可能會吸引OEM廠商和移動品牌以更低的價格從這些公司購買DRAM。

據(jù)芯片業(yè)界稱，三星電子近期通知客戶稱，部分DDR4和LPDDR4產(chǎn)品即將停產(chǎn)，最晚請于上半年完成訂單。

另一邊，中國的內(nèi)存企業(yè)計劃以DDR4為中心大幅提升DRAM產(chǎn)能。據(jù)市場調(diào)研企業(yè)Omdia稱，一家中國存儲企業(yè)今年DRAM產(chǎn)量規(guī)模預(yù)計為273萬片（以晶圓為基準(zhǔn)），對比2024年的162萬片增長了68%。此前，市場預(yù)計該企業(yè)的DRAM產(chǎn)能增長在20%左右，實際是預(yù)期的3倍以上。照此趨勢發(fā)展，中國存儲企業(yè)的DRAM產(chǎn)量有望追平全球排名第3的美光。

03

降本增效，三星急尋合作伙伴

有句話是：在高速區(qū)間，時代獎勵機會；在中速區(qū)間，時代獎勵競爭力。

這句話放在當(dāng)下的存儲行業(yè)來看，對于三星的對手們，他們迎來了AI的機遇；而對于三星來說，必須找到自己的競爭力。

在HBM上，由于HBM3E的商業(yè)化進程遭遇重重阻礙，三星目前正在重新定位，三星在其平澤4號線（P4）工廠啟動了1c DRAM的生產(chǎn)，初始產(chǎn)能約為每月3萬片晶圓。該戰(zhàn)略是專注于初期產(chǎn)量，然后隨著開發(fā)成熟度的提高而擴大投資。三星計劃在 2025 年下半年將 P4 的月產(chǎn)能提高至少 40,000 片晶圓。同時，三星正準(zhǔn)備將其華城 17 號線（目前生產(chǎn)傳統(tǒng) 1z DRAM）轉(zhuǎn)換為 1c DRAM 制造，并可能在年底前啟動。

此外三星電子正與長期競爭對手臺積電合作，生產(chǎn)其下一代 HBM4 芯片的基礎(chǔ)芯片。這一舉措表明，三星正在努力走出自己的舒適圈，以開放姿態(tài)面對競爭的市場。

在NAND市場，三星依舊維持著第一名，但營收因Enterprise SSD需求降低，季減約25%，為42億美元。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，2025年第一季NAND Flash供應(yīng)商在面對庫存壓力和終端客戶需求下滑的情況下，平均銷售價格季減15%，出貨量減少7%，最終前五大NAND Flash品牌廠營收合計為120.2億美元，季減近24%。

面對NAND市場的變化，近日有消息指出三星對客戶透露 MLC NAND 閃存即將停產(chǎn)，計劃在六月接受最后的 MLC 芯片訂單。在通報最后 MLC NAND 排產(chǎn)計劃的同時，還向部分客戶通報了 MLC 漲價的計劃，促使客戶開始尋求新的替代供應(yīng)商。

種種動作來看，三星面對美國高額關(guān)稅和全球經(jīng)濟長期放緩的壓力已經(jīng)開始了降本增效的努力。開篇所說的72.7億信貸額度正是三星的成本控制策略，這一協(xié)議能讓三星能夠以更優(yōu)惠的利率靈活地獲取資金，同時最大限度地減輕傳統(tǒng)籌資方式的財務(wù)負(fù)擔(dān)。據(jù)《首爾經(jīng)濟日報》報道，該協(xié)議涉及韓國頂級銀行，包括國民銀行、友利銀行和韓國產(chǎn)業(yè)銀行（IBK），并建立了以韓元計價的綜合信貸額度。這種融資方式的功能類似于透支額度，允許三星根據(jù)需要提取一定額度內(nèi)的資金，利率在3%至4%之間。韓國金融業(yè)專家表示，三星近期的舉措反映的是內(nèi)部高度謹(jǐn)慎，而非緊急困境。

順境是所有人的狂歡，逆境是優(yōu)秀者的天堂。

經(jīng)歷過無數(shù)次逆境的三星存儲，面對新老玩家的沖擊，下一站會是天堂嗎？