廣西大學?點“鎵”成金！

?團隊造出芯片“白金”，國產芯破局在望。

實驗室里，一滴銀白色金屬在玻璃器皿中緩緩流動。它像水銀般靈動，卻蘊含著改變中國芯片命運的潛力——這是純度達99.99999%的7N高純鎵。2023年8月，廣西大學“保鎵衛國”學生團隊在576次實驗后，終于讓這滴“金屬白金”達到國際頂尖純度標準。

芯片的“血液”：被忽視的鎵之痛

芯片產業有句行話：“一代材料，一代器件”。當我們聚焦光刻機時，卻常忽略基礎材料的短板。

尷尬的貿易鏈：

中國供應全球90%粗鎵（3N-4N級），卻要花高價從美日進口7N高純鎵。粗鎵每噸約200萬元，提純后價格翻10倍，如同出口鐵礦再進口鋼材。

納米芯片的命門：

7N鎵是氮化鎵芯片的核心材料。5G基站、雷達、新能源車的功率芯片都離不開它。純度差0.0001%，芯片良率可能驟降30%。

冷熱淬煉的“鎵”法

李柔遊團隊的技術突破，像一場金屬提純的魔術：

• 晶種操控術：通過“標準晶種制備工藝”，讓鎵原子按特定結構有序結晶，避免雜質混入；
• 溫度蹺蹺板：“冷熱循環結晶技術”反復熔凝，利用雜質與鎵的熔點差逐級提純；
• 設備革命：研制一體化提純設備，將傳統7天流程壓縮至48小時，能耗降低40%。

日本科學院院士藤田豐久評價：“這種定向結晶技術，為高純金屬冶煉提供了新范式。”

國產替代的“鎵”速度

當實驗室樣品進入中鋁廣西分公司的生產線，產業鏈開始加速轉動：

• 軍用雷達：7N鎵制造的微波器件，讓雷達探測距離提升20%，抗干擾能力倍增；
• 綠色能源：用于薄膜太陽能電池，光電轉化率突破28%，高溫環境下壽命延長3倍；
• 芯片破壁：國內某企業測試顯示，用該材料生產的氮化鎵功率芯片，良率首次追平日企。

更深遠的是，團隊與廣西國盛稀土共建實驗室，將技術遷移到稀土提純，帶動區域產業集群。

材料突圍的啟示錄

這場“點鎵成金”的背后，藏著中國科技突圍的新邏輯：

• “冷門”賽道的爆發力：當資本扎堆芯片設計時，西大團隊在基礎材料領域“挖深井”；
• 年輕力量的破局思維：本碩博學生主導的創業團隊，用576次實驗把論文變成專利；
• 產學研的“熱對流”：實驗室技術24個月內對接企業產線，比行業平均速度快3倍。

正如自治區科技廳的感慨：“這是把廣西礦產優勢，煉成技術優勢的生動實踐。”

破壁者的榮光

鎵的英文名Gallium源自拉丁語“Gallia”（高盧），象征不屈的力量。今天，中國科技人正用這份力量撕開封鎖線——當更多團隊在光刻膠、大硅片、電子氣體領域加速突圍，芯片材料的“上甘嶺戰役”已現曙光。

科技自立的故事，從來不是單打獨斗的傳奇，而是千萬滴金屬熔鑄的星河。