山東
IT之家 6 月 25 日消息，專業存儲廠商 ATP 華騰國際昨日宣布，其兩系列工業級 PCIe 4.0×4 NVMe 固態硬盤 N651Si / N651Sc 的耐用性從此前的 5000 P/E（IT之家注：編程-擦除循環）提升至 11000 P/E，達到典型水平 3000 P/E 的三倍以上。
ATP 表示，這意味著上述解決方案成為基于 512Gb NAND 封裝構建的最高耐用性工業級原生 TLC SSD，是承受寫入密集型工作負載的良好選擇。
達成 11000 P/E 的背后是優質 NAND 封裝、嚴格的 NAND IC 特性分析、NAND 篩選和驗證能力和 ATP 的專有固件、專門硬件配置和自研技術的共同作用。
ATP 表示其多樣的測試方法對 NAND 閃存的整體耐用性指標 —— 初始讀 / 寫操作、耐用性、數據保持力、交叉溫度行為、讀取干擾特性等 —— 進行了全面評估。
ATP 的 N651Si 固態硬盤提供 M.2 2280、U.2、EDSFF E1.S 外形規格，支持 -40°C ~ 85°C 工作溫度范圍；而 N651Sc 則是僅有 M.2 版本，工作溫度范圍 0℃ ~ 70℃。
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