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一文看懂芯片的設(shè)計(jì)流程

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引言:前段時(shí)間給大家做了芯片設(shè)計(jì)的知識(shí)鋪墊(),今天這篇,我們正式介紹芯片設(shè)計(jì)的具體流程。

芯片分為數(shù)字芯片、模擬芯片、數(shù)模混合芯片等多種類別。不同類別的設(shè)計(jì)流程也存在一些差異。

接下來,我們就以數(shù)字芯片為例,詳細(xì)看看芯片到底是如何設(shè)計(jì)出來的。

芯片設(shè)計(jì)的主要流程

芯片的設(shè)計(jì),總體分為規(guī)格定義系統(tǒng)設(shè)計(jì)前端設(shè)計(jì)(Front-End Design) 和后端設(shè)計(jì)(Back-End Design)四 個(gè)階段。


網(wǎng)上有些資料為了簡單,也會(huì)將規(guī)格定義和系統(tǒng)設(shè)計(jì)也歸入前端設(shè)計(jì)。

上篇文章小棗君給大家說過,現(xiàn)在主流的芯片設(shè)計(jì)思路是自頂向下Top-Down),也就是“先宏觀,再微觀”。


簡單來說,就是先做芯片整體設(shè)計(jì)(功能、接口、模塊),再做各個(gè)模塊的設(shè)計(jì)。做模塊設(shè)計(jì)的時(shí)候,先設(shè)計(jì)邏輯原理(寫代碼),然后再用EDA工具轉(zhuǎn)化為邏輯電路圖(網(wǎng)表),最后再設(shè)計(jì)物理電路圖(版圖)。

整個(gè)過程,穿插著大量的“設(shè)計(jì)-驗(yàn)證(仿真)-設(shè)計(jì)-驗(yàn)證 (仿真) ”循環(huán)。需要確保每一步都準(zhǔn)確無誤,才會(huì)進(jìn)入下一步。

四大階段中,前端設(shè)計(jì),就是邏輯設(shè)計(jì)。主要是 將芯片的功能需求轉(zhuǎn)化為可實(shí)現(xiàn)的電路邏輯,確保功能正確性, 不考慮物理實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié) 。

后端設(shè)計(jì),則是物理設(shè)計(jì), 專注于物理實(shí)現(xiàn),將前端的設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為實(shí)際的版圖 。這個(gè)階段需要 腳踏實(shí)地, 考慮 制造工藝約束、信號(hào)完整性、功耗管理等實(shí)際問題, 解決物理實(shí)現(xiàn)的工藝挑戰(zhàn) 。


前端設(shè)計(jì)和后端設(shè)計(jì)的各個(gè)子階段如下圖所示:


接下來,我們分別進(jìn)行介紹。

規(guī)格定義

芯片設(shè)計(jì)的第一步,是搞明白自己到底要做一款什么樣的芯片。

這不是領(lǐng)導(dǎo)拍腦袋決定的,而是需要芯片設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)和客戶(甲方)以及利益相關(guān)方進(jìn)行充分溝通,了解具體設(shè)計(jì)需求之后確定的。

需求包括:到底要實(shí)現(xiàn)什么功能,用于什么環(huán)境,算力、成本、功耗大概是多少,需要提供哪些接口,需要遵循什么安全等級,等等。

所有的需求會(huì)轉(zhuǎn)化為芯片的基本參數(shù),最終以 Spec( 芯片規(guī)格說明書)文件 的形式進(jìn)行記錄。芯片設(shè)計(jì)的基本要求,就此確定。

系統(tǒng)設(shè)計(jì)

接下來,就要由架構(gòu)工程師出馬了。

架構(gòu)工程師要根據(jù)規(guī)格Spec,設(shè)計(jì)具體的實(shí)現(xiàn)方案。包括但不限于:整個(gè)芯片的架構(gòu)、業(yè)務(wù)模塊、供電、接口、時(shí)序、性能指標(biāo)、 面積和功率約束等 。

芯片的架構(gòu)主要由芯片的類別和功能所決定。

如果芯片主要用于通用計(jì)算和數(shù)據(jù)處理,馮?諾依曼架構(gòu)可能是一個(gè)合適的選擇。如果側(cè)重于高速的數(shù)據(jù)處理和實(shí)時(shí)性要求高的應(yīng)用,如數(shù)字信號(hào)處理或一些特定的嵌入式系統(tǒng),哈佛架構(gòu)可能更具優(yōu)勢。

對于復(fù)雜的芯片設(shè)計(jì),還可能采用多核架構(gòu)或異構(gòu)集成架構(gòu)(混搭)。


芯片的整體布局(示例)

選定架構(gòu)之后,架構(gòu)師還要在細(xì)節(jié)上進(jìn)行優(yōu)化和創(chuàng)新。例如調(diào)整各個(gè)功能模塊之間的連接方式、優(yōu)化數(shù)據(jù)通路以減少延遲,或者采用新的計(jì)算模式,等等。

架構(gòu)師還要確定哪些功能可以用軟件實(shí)現(xiàn),哪些部分需要用硬件實(shí)現(xiàn)。上篇小棗君介紹過IP核,哪些部分要采購IP核,哪些部分自己做,也是由架構(gòu)師決定的。

前端設(shè)計(jì)(邏輯設(shè)計(jì))

好了,開始進(jìn)入前端設(shè)計(jì)部分了。我們保持耐心,一步一步來看。

· HDL編碼

首先,是進(jìn)行HDL( Hardware Description Language,硬件描述語言) 編碼。

架構(gòu)設(shè)計(jì)方案完成后,芯片 設(shè)計(jì)工程師將根據(jù)方案, 針對各模塊進(jìn)行具體的電路設(shè)計(jì)。他會(huì)使用專門的硬件描述語言(Verilog或VHDL),對具體的電路實(shí)現(xiàn)進(jìn)行RTL(Register Transfer Level, 寄存器傳輸級 )級別的代碼描述。

簡單來說,就是用代碼來表述 芯片的邏輯功能和數(shù)據(jù)傳輸。

Verilog作為一種常用的硬件描述語言,能夠?qū)﹄娐罚ㄏ到y(tǒng))進(jìn)行多層次描述,包括系統(tǒng)級、算法級、寄存器傳輸級(RTL級)、門級和開關(guān)級。在數(shù)字IC設(shè)計(jì)流程中,RTL級描述最為關(guān)鍵和常用。因此,Verilog代碼也常被稱作RTL代碼。


Verilog代碼范例(32位加法器)

需要注意的是,HDL編碼需要結(jié)合晶圓廠提供的庫(libaray)和器件(device)等基礎(chǔ)資源來設(shè)計(jì)。有些芯片設(shè)計(jì)工程師也會(huì)基于晶圓廠提供的資源,進(jìn)行底層優(yōu)化設(shè)計(jì)。

·仿真驗(yàn)證

HDL編碼完成之后,就要開始第一波驗(yàn)證(Verification)了。

前面我說過,芯片設(shè)計(jì)幾乎每一步都要進(jìn)行驗(yàn)證或仿真,就是為了確保不出錯(cuò),因?yàn)槌鲥e(cuò)的代價(jià)實(shí)在太大。

這一步的仿真驗(yàn)證,主要包括電路邏輯功能方面的驗(yàn)證,也就是證明設(shè)計(jì)的功能是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格中的定義,是否存在邏輯實(shí)現(xiàn)錯(cuò)誤。

如果發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤,就需要返回上一步,進(jìn)行修改,甚至要返回方案設(shè)計(jì)階段進(jìn)行修改。修改之后,再重新進(jìn)行驗(yàn)證。

驗(yàn)證方法包括:(借助工具)通過在搭建的驗(yàn)證環(huán)境中輸入激勵(lì)(就是加輸入信號(hào)),然后看檢測輸出波形是否和預(yù)期一樣,以此來進(jìn)行判斷。

驗(yàn)證仿真的工具主要包括VCS、Qustasim等EDA工具(進(jìn)行編譯和仿真),以及Verdi等工具(進(jìn)行debug)。

需要注意的是,這個(gè)階段的仿真,也被稱為“前仿真”。待會(huì)我們還有一個(gè)“后仿真”。

“前仿真”是在理想狀態(tài)下進(jìn)行的。它基于理想化的抽象模型,忽略物理延遲和布線細(xì)節(jié),專注于功能正確性。

·邏輯綜合

接下來,驗(yàn)證工程師要使用一些EDA工具,將RTL代碼翻譯成門級網(wǎng)表( Gate level Netlist),也就是 實(shí)際的邏輯門電路(也包含了邏輯結(jié)構(gòu)和連接關(guān)系,也是后端設(shè)計(jì)的關(guān)鍵輸入) 。


門級網(wǎng)表的樣例

這個(gè)步驟就是邏輯綜合( Synthesis) ,有時(shí)候直接簡稱“綜合”。

邏輯綜合主要包括翻譯、優(yōu)化、映射步驟。

翻譯:先將Verilog/VHDL代碼轉(zhuǎn)換為工藝無關(guān)的、初級的、未優(yōu)化的通用門級電路。

優(yōu)化:邏輯綜合需要設(shè)定約束條件,也就是希望邏輯綜合出來的電路在面積、時(shí)序、時(shí)延等(PPA)目標(biāo)參數(shù)上達(dá)到的標(biāo)準(zhǔn)。優(yōu)化,是根據(jù)約束條件和工藝庫(由晶圓廠提供)參數(shù),進(jìn)行邏輯結(jié)構(gòu)調(diào)整,去掉冗余單元,以此滿足要求。

映射:最終,將門級邏輯電路映射到的工藝庫上。

需要注意的是,不同晶圓廠的工藝庫,門電路基本標(biāo)準(zhǔn)單元(standard cell)的面積、時(shí)序參數(shù)是不一樣的。所以,選用的庫不一樣,綜合出來的電路在面積、時(shí)序上就不一樣。

·靜態(tài)時(shí)序分析

靜態(tài)時(shí)序分析( Static Timing Analysis,STA),也屬于驗(yàn)證的范疇,主要是在時(shí)序上對電路進(jìn)行驗(yàn)證。

具體來說,是在不提供激勵(lì)的情況下,驗(yàn)證設(shè)計(jì)時(shí)序特性,檢查電路是否存在建立時(shí)間(setuptime)和保持時(shí)間(holdtime)的違例(violation)。

這句話有點(diǎn)難理解,要搞懂它,就要先搞懂時(shí)序(timing)。

前面我們多次提到時(shí)序。 芯片時(shí)序是集成電路設(shè)計(jì)中確保信號(hào)傳輸與時(shí)鐘同步的關(guān)鍵技術(shù), 非常重要。

電子設(shè)備由時(shí)鐘信號(hào)驅(qū)動(dòng),如果時(shí)序存在問題,各個(gè)模塊之間的工作節(jié)奏就會(huì)錯(cuò)亂,影響各個(gè)元件以及整個(gè)芯片的工作頻率,進(jìn)而影響整體性能。

在數(shù)字電路中,一個(gè)寄存器如果出現(xiàn)前面說的違例,就無法正確采樣數(shù)據(jù)和輸出數(shù)據(jù)。所以,以寄存器為基礎(chǔ)的數(shù)字芯片功能,就會(huì)出現(xiàn)問題。

靜態(tài)時(shí)序分析(STA)的作用,主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:

首先,它能幫助我們確定芯片的最高工作頻率。

通過詳細(xì)的時(shí)序分析,工程師可以更好地控制工程的各個(gè)環(huán)節(jié),從而減少延遲,盡可能地提升芯片的工作頻率。

芯片的最高工作頻率由網(wǎng)表(netlist)的關(guān)鍵路徑?jīng)Q定。關(guān)鍵路徑是網(wǎng)表中信號(hào)傳播時(shí)延的最長路徑。

其次,靜態(tài)時(shí)序分析也是檢查時(shí)序約束是否滿足的重要手段。

在時(shí)序分析的過程中,我們可以查看目標(biāo)模塊是否滿足預(yù)設(shè)的約束條件。如果不滿足,分析結(jié)果將幫助我們精確地定位到問題點(diǎn),并給出詳細(xì)的改進(jìn)建議。

最后,靜態(tài)時(shí)序分析還能用于分析時(shí)鐘質(zhì)量。

時(shí)鐘信號(hào)存在抖動(dòng)、偏移和占空比失真等缺陷。通過時(shí)序分析,我們可以有效地驗(yàn)證這些缺陷對目標(biāo)模塊性能的影響。

STA工具,包括Synopsys的PT(Prime Time)工具等。

它可以分為三個(gè)基本步驟:

1、將netlist看成一個(gè)拓?fù)鋱D;

2、進(jìn)行時(shí)延計(jì)算(連線時(shí)延net delay、單元時(shí)延cell delay);

3、找到關(guān)鍵路徑,并計(jì)算時(shí)延,進(jìn)行判斷。


·形式驗(yàn)證

這一步也是驗(yàn)證,是從功能上對邏輯綜合后的網(wǎng)表(netlist)進(jìn)行驗(yàn)證。

形式驗(yàn)證 主要通過數(shù)學(xué)手段來完成,不考慮工藝因素, 無需激勵(lì)或時(shí)序檢查即可進(jìn)行 。

在形式驗(yàn)證中,等效性檢查(也叫等價(jià)性檢查)是一種常用方法。

它通過將當(dāng)前設(shè)計(jì)與已知的黃金設(shè)計(jì)(功能驗(yàn)證后的HDL設(shè)計(jì))進(jìn)行對比,來確認(rèn)設(shè)計(jì)的功能等效性,確保邏輯綜合過程中沒有改變原先HDL描述的電路功能。

覆蓋率,是評估驗(yàn)證充分性的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。它主要分為兩大類:代碼覆蓋率和功能覆蓋率。

代碼覆蓋率,旨在檢查RTL代碼是否冗余,并確保設(shè)計(jì)要點(diǎn)得到全面遍歷。

功能覆蓋率,專注于檢查自定義container(容器)中的功能是否被充分測試。

在前端設(shè)計(jì)的最后階段,需要完成代碼覆蓋率的充分性審查。對于未達(dá)到100%覆蓋率的情況,需要給出合理解釋,以確保芯片功能不受影響。

以上驗(yàn)證工作都完成后,前端設(shè)計(jì)(邏輯設(shè)計(jì))就基本完成了。

幾個(gè)主要階段的輸入和輸出,如下表所示:


后端設(shè)計(jì)(物理設(shè)計(jì))

前端設(shè)計(jì)的結(jié)果,是得到了芯片的網(wǎng)表 (netlist) 電路。

不同的EDA工具,生成的網(wǎng)表文件的文件格式也不太一樣。例如*.v(Design Compiler,Synopsys公司)、*.vh(PKS,Cadence公司)和*.edf(Synplify , Synplicity公司)。

后端設(shè)計(jì),是要基于網(wǎng)表,制作出物理版圖。

具體來說,是先基于網(wǎng)表,在給定大小的硅片面積內(nèi),對電路進(jìn)行布局規(guī)劃(Floor Plan)、布局(Place)和布線(Route)。

然后,再對物理版圖進(jìn)行功能和時(shí)序上的各種驗(yàn)證(DRC、LVS、ERC等)。

最后,生成用于制造光掩模版和流片的GDS(Geometry Data Standard)版圖。

整個(gè)過程有點(diǎn)像制作PCB電路板。當(dāng)然,復(fù)雜度要高出無數(shù)倍。

接下來,我們來看每個(gè)步驟:

·可測性設(shè)計(jì)

可測性設(shè)計(jì) (Design for Test,DFT) ,是為了方便后續(xù)對芯片進(jìn)行測試,提前進(jìn)行的自帶測試電路設(shè)計(jì)。

現(xiàn)在的芯片都很復(fù)雜,出現(xiàn)問題的話,往往很難查找原因。可測試性設(shè)計(jì)就是為將來找問題進(jìn)行提前考慮。

可測性設(shè)計(jì)的常見方法, 是 在設(shè)計(jì)中插入掃描鏈、 內(nèi)建自測試(BIST)、 邊界掃描單元等特殊架構(gòu) ,將非掃描單元(如寄存器)變?yōu)閽呙鑶卧?提升電路內(nèi)部信號(hào)控制與觀測能力 。


DFT示例圖

在測試時(shí),在 Scan-In階段加載激勵(lì)信號(hào),在Capture階段捕獲組合邏輯響應(yīng),最終通過Scan-Out移出比對,就能得出結(jié)果。

可測性設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)評價(jià)指標(biāo)包括可控性和可觀測性。具體情況可以另行搜索網(wǎng)上資料,限于篇幅就不多介紹了。

注意,在有些文獻(xiàn)里,也會(huì)將可測性設(shè)計(jì)歸為前端設(shè)計(jì)的范疇。

· 物理布局

可測性設(shè)計(jì)之后,就要開始進(jìn)行物理布局(layout)了。

物理布局是芯片設(shè)計(jì)流程中從邏輯視圖物理視圖的轉(zhuǎn)換過程。

它需要考慮到元件的尺寸、形狀、相互之間的間距,以及連線的長度和寬度等各種復(fù)雜因素。布局的好壞,直接影響到芯片的信號(hào)抗干擾能力、寄生電容和電感的大小,決定了芯片的整體性能和可靠性。

好的物理布局,是要實(shí)現(xiàn)空間利用率、總線長度、時(shí)序的完美平衡。也就是說,空間利用率要盡量高,總線要盡量短,時(shí)序要盡量收斂。

物理布局的主要步驟包括:布局規(guī)劃、布局、時(shí)鐘樹綜合、布線等。我們逐一來看:

· 物理布局之布局規(guī)劃

布局規(guī)劃 (Floor Plan), 就是規(guī)劃放置芯片的宏單元模塊,在總體上確定 核心區(qū)域(Core Area)、電源網(wǎng)絡(luò)和關(guān)鍵模塊位置 ,如IP模塊、RAM、I/O引腳等。

這個(gè)步驟沒有標(biāo)準(zhǔn)的最佳方案,但又有很多細(xì)節(jié)需要考量。

設(shè)計(jì)者需要根據(jù)電路的功能和性能要求,以及硅片的尺寸和工藝約束,來安排電路元件的位置。例如,設(shè)計(jì)者可能需要將高速或者熱敏感的電路部分放在芯片的中心位置,以便獲得更好的性能和熱分布。

在布局規(guī)劃的過程中,同樣要緊密結(jié)合晶圓廠的資料來。例如,晶圓廠提供的PDK(Process Design Kit,工藝設(shè)計(jì)套件)。

PDK包含了工藝相關(guān)的各種參數(shù)和模型,比如晶體管尺寸、層間距、金屬氧化層厚度等,就連線寬、線距等設(shè)計(jì)規(guī)則都與之相關(guān)。如果脫離PDK,你設(shè)計(jì)的東西,人家根本生產(chǎn)不了,就是白搭。

· 物理布局之 布局

布局 ( Place ),就是在規(guī)劃的區(qū)域內(nèi),精準(zhǔn)放置所有標(biāo)準(zhǔn)單元、I/O pad、宏單元,實(shí)現(xiàn)整個(gè)電路邏輯 。

布局時(shí),需要 平衡芯片利用率(70%~90%)、時(shí)序收斂和布線擁塞風(fēng)險(xiǎn)。

· 物理布局之時(shí)鐘樹綜合

時(shí)鐘樹綜合 ( Clock Tree Synthesis, CTS ),簡單說就是時(shí)鐘的布線,構(gòu)建時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)。

前面說了,時(shí)鐘信號(hào)在數(shù)字芯片中起到了全局指揮的作用。我們在布放時(shí)鐘線的時(shí)候,需要對稱式地連接到各個(gè)寄存器單元,從而使時(shí)鐘從同一個(gè)時(shí)鐘源到達(dá)各個(gè)寄存器時(shí),時(shí)鐘延遲差異最小。( 時(shí)鐘偏差通常需控制在時(shí)鐘周期的10%以內(nèi)。)

· 物理布局之布線

這里的布線(Routing),就是普通信號(hào)布線了,包括各種標(biāo)準(zhǔn)單元(基本邏輯門電路)之間的走線。

在滿足工藝規(guī)則和布線層數(shù)限制、線寬、線間距限制和各線網(wǎng)可靠絕緣的電性能約束條件下,需要對信號(hào)線進(jìn)行合理規(guī)劃,將各單元和I/O pad(輸入/輸出焊盤管腳)連接起來。


布線工具界面

設(shè)計(jì)者需要根據(jù)信號(hào)的頻率和時(shí)序要求,以及工藝的布線規(guī)則,來安排信號(hào)線的路徑和層次。例如,設(shè)計(jì)者可能需要使用多層金屬線來實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的信號(hào)交叉,或者使用特殊的布線技術(shù)來降低信號(hào)的傳播延遲。

經(jīng)過反復(fù)的檢測與優(yōu)化,最終會(huì)呈現(xiàn)出如下的電路圖。


或者是這樣:


這就是版圖,包括了 平面幾何形狀、文本標(biāo)簽等與物理布局相關(guān)的信息,通常是一個(gè)圖形數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)(graphic data system,GDSⅡ)文件。

圖中,我們可以清晰地看到藍(lán)、紅、綠、黃等不同色彩的區(qū)域,這些色彩區(qū)域分別對應(yīng)著不同的光掩模版(后面會(huì)說,芯片制造篇也提到過)。

·寄生參數(shù)提取和信號(hào)完整性分析

物理布局完成之后,又要開始進(jìn)行驗(yàn)證了。

導(dǎo)線本身的電阻、相鄰導(dǎo)線間的互感及耦合電容等因素(寄生參數(shù)),會(huì)在芯片內(nèi)部引發(fā)信號(hào)噪聲、串?dāng)_和反射等問題,導(dǎo)致信號(hào)電壓發(fā)生波動(dòng)甚至失真。

因此,需要進(jìn)行寄生參數(shù)的提取,以及信號(hào)完整性的分析驗(yàn)證。

·靜態(tài)時(shí)序分析

在電路的每個(gè)單元位置和各項(xiàng)參數(shù)都已確定的情況下,需要再次進(jìn)行靜態(tài)時(shí)序分析,以確保結(jié)果的準(zhǔn)確性。

·形式驗(yàn)證

和前面一樣。再做一次,確認(rèn)一下電路功能是否與之前保持一致。

·后仿真(時(shí)序仿真)

后仿真,也叫時(shí)序仿真。

它是在物理布局完成后進(jìn)行,通過注入實(shí)際物理參數(shù)(如延時(shí)、寄生效應(yīng)),驗(yàn)證芯片在真實(shí)工藝條件下的時(shí)序、功耗及信號(hào)完整性,確保設(shè)計(jì)可制造且可靠 。

后仿真的核心關(guān)注點(diǎn)在時(shí)序驗(yàn)證、物理效應(yīng)分析以及設(shè)計(jì)收斂。

時(shí)序驗(yàn)證前面說過,是檢查建立時(shí)間(Setup Time)、保持時(shí)間(Hold Time)是否滿足,避免信號(hào)競爭、毛刺等問題。

物理效應(yīng)分析,是 評估信號(hào)完整性(如串?dāng)_、噪聲)、功耗熱點(diǎn)及電壓降。

設(shè)計(jì)收斂,是確保 芯片在目標(biāo)頻率下穩(wěn)定工作(如時(shí)鐘邊沿能否正確觸發(fā)寄存器)。

前仿真和后仿真的對比,如下表所示:


·物理驗(yàn)證

物理驗(yàn)證,主要包括LVS、DRC、ERC等檢查,目的是確保版圖的正確性和一致性。

LVS(Layout vs. Schematic):版圖對原理圖一致性檢查,就是版圖與邏輯綜合后的門級電路圖的對比驗(yàn)證。

DRC(Design Rule Checking):版圖設(shè)計(jì)規(guī)則檢查,檢查連線間距,連線寬度等是否滿足工藝要求。規(guī)則通常都由晶圓廠提供,確保設(shè)計(jì)在制造過程中不會(huì)出現(xiàn)物理上的問題,例如短路、開路、間距不足等。

ERC(Electrical Rue Checking):電氣規(guī)則檢查,檢查短路和開路等電氣規(guī)則違例。

·功耗分析

功耗分析是確保芯片性能(Performance)、功耗(Power)和面積(Area)(簡稱PPA)平衡的核心環(huán)節(jié)。

它其實(shí)貫穿于芯片設(shè)計(jì)的整個(gè)流程,在前面我們也有提到相關(guān)流程。它的兩大任務(wù)是分析IR drop(電壓降)和EM(電遷移),防止因此導(dǎo)致的芯片失效。

功耗分析的核心方法包括靜態(tài)功耗分析和動(dòng)態(tài)功耗分析,常用工具包括 Ansys公司的Redhawk,Cadence公司的Voltus,以及Synopsys公司的Ptpx。

·工程變更

芯片設(shè)計(jì)有時(shí)候還會(huì)進(jìn)行工程變更 (Engineering Change Order,ECO)。

也就是局部修改單元位置或布線,解決STA或后仿真發(fā)現(xiàn)的違例問題。通過工程變更,可以避免重新設(shè)計(jì)。

·簽核

注意!布局布線完成后的這幾個(gè)步驟,包括物理驗(yàn)證、靜態(tài)時(shí)序分析、功耗和可靠性分析等,都屬于簽核(Sign-off)檢查。

簽核是流片前的最后一道“守門關(guān)”。

如果不滿足,就要回到物理設(shè)計(jì)做修改。如果還是不滿足,就需要返到電路設(shè)計(jì)和驗(yàn)證環(huán)節(jié)。

如果全都滿足,那這個(gè)版圖就可以送去晶圓廠流片。


簽核也要采用EDA工具,包括了 IR分析簽核工具、時(shí)序分析簽核工具、物理驗(yàn)證簽核工具等。

對于目前越來越復(fù)雜的工藝,實(shí)現(xiàn)簽核收斂(即所有檢查均通過)變得越來越困難。這主要是因?yàn)槎喾N物理效應(yīng)(如工藝偏差OCV、信號(hào)完整性SI、電源完整性PI、熱效應(yīng)等)之間存在復(fù)雜的相互作用。

因此,簽核工具需要具備更精確的建模能力、更全面的分析功能,并且常常需要AI的輔助來加速分析和收斂過程。

以上,就是后端設(shè)計(jì)的主要流程。在實(shí)際項(xiàng)目中,其實(shí)還包括了附加流程,例如填充單元插入,以及隨著制造工藝不斷演進(jìn)產(chǎn)生的DFM(可制造性設(shè)計(jì))等。大家有興趣可以另外研究。

后端設(shè)計(jì)幾個(gè)主要階段的輸入和輸出,如下表所示:


后端設(shè)計(jì)全部完成之后, 就可以輸出最終的 GDSⅡ 文件了。文件包含以下信息:

層次結(jié)構(gòu)和頂層結(jié)構(gòu):芯片的不同層和頂層結(jié)構(gòu),包括金屬層、多晶硅層、掩膜層、膠片層等。

幾何信息:包括芯片各個(gè)部位的尺寸、形狀、位置以及與其他部位的連接方式等。

特殊功能區(qū)域:如聯(lián)排、防抖動(dòng)區(qū)域、紋理區(qū)、DPJ (Diffusion Pocket Junction) 等。

材料屬性信息:描述每個(gè)層的材料類型、介電常數(shù)、厚度等。

流片

最后,就是流片 (Tape-out) !

物理版圖以GDS Ⅱ 的文件格式交給晶圓廠,就要開始流片,也就是試生產(chǎn),制造幾十片的樣片。

流片為什么會(huì)叫Tape-out呢?

因?yàn)樵谏鲜兰o(jì)七八十年代,芯片的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)都是寫到磁帶或者膠片里傳給工廠。設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將數(shù)據(jù)寫入磁帶,叫Tape in。工廠讀取磁帶的數(shù)據(jù),叫Tape out。隨著時(shí)間的推移,磁帶早已不用了,但是這個(gè)叫法一直沿用了下來。

晶圓廠拿到GDS Ⅱ文件,開始制作光刻掩模版(mask)。


光刻掩模版

光刻掩模版的制造過程和芯片晶圓的制造過程有點(diǎn)像,大概是這樣的:

1、借助無掩模光刻機(jī)讀取GDS Ⅱ版圖文件,對涂有光刻膠的空白掩膜版進(jìn)行非接觸式曝光。這個(gè)步驟將照射掩膜版上預(yù)先設(shè)定的圖形區(qū)域,引發(fā)光刻膠的光化學(xué)反應(yīng)。

2、經(jīng)過顯影和定影處理后,曝光區(qū)域的光刻膠將溶解并脫落,從而暴露出下方的鉻層。

3、采用鉻刻蝕液進(jìn)行濕法刻蝕,將暴露的鉻層刻蝕掉,以形成透光區(qū)域。同時(shí),受光刻膠保護(hù)的部分鉻層則得以保留,從而形成不透光區(qū)域。

4、對掩膜版進(jìn)行徹底清洗。這樣,掩膜版上便形成了具有不同透光率的平面圖形結(jié)構(gòu)。

基于掩模版,制作芯片。然后,芯片設(shè)計(jì)企業(yè)對芯片進(jìn)行詳細(xì)的測試,看是否流片成功。

如果成功,那就congratulations!如果失敗,就要評估能不能降級使用。如果不能,那就要么砸錢重來,要么宣告放棄!

好啦,以上就是數(shù)字芯片的整個(gè)設(shè)計(jì)過程。大家都學(xué)廢了嘛?

參考文獻(xiàn):

1、《 一顆芯片的誕生(設(shè)計(jì))》,科技朋克Roy;

2、《芯片設(shè)計(jì)制造過程探秘》,知識(shí)的拾荒者;

3、《 介紹數(shù)字芯片設(shè)計(jì)的十大流程》, e-works胡中揚(yáng);

4、《 一步一圖,帶你全面了解模擬芯片設(shè)計(jì)流程》, icguide;

5、《 構(gòu)建您自己的芯片設(shè)計(jì)知識(shí)庫:一份全面的實(shí)踐指南》,GKLBB,博客園;

6、《中國EDA行業(yè)深度研究報(bào)告》,億渡數(shù)據(jù);

7、《 一文了解芯片設(shè)計(jì)全流程》,胡說漫談,知乎;

8、維基百科、百度百科、各企業(yè)官網(wǎng)。

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