三駕馬車，越來越強？

手握遙遙領先的硬件支持，英偉達在AI時代已經是神一般的存在。而靠著AI賺錢的并不只有AI芯片公司，手握HBM技術的存儲芯片三巨頭也在今年大賺一筆。

據韓國媒體BusinessKorea報道，三星電子通過內部網絡宣布，其設備解決方案（DS）部門的內存業務部門員工將獲得相當于基本工資 200% 的下半年績效獎金。

這筆名為“目標達成激勵”（TAI）的獎金，將于近期發放，目的是激勵并慶祝半導體部門在公司長期發展中取得的重要成就。

據報道稱，內存業務部門績效獎金的大幅提升，主要得益于半導體市場的復蘇以及該部門業績的快速好轉。

有數據統計，去年三星內存業務部門虧損高達10 萬億韓元，而今年將實現約 20 萬億韓元的的盈余，完成了徹底的翻身。也正是這一成績，讓DS 部門獲得了有史以來最高的 TAI 金額。

有意思的是，就在今年上半年，三星電子的半導體部門剛剛經歷了一場“突襲式”的人事變動。在存儲芯片領域工作多年的Jun Young Hyun（全永賢）接替了半導體業務的原負責人Kyung Kyehyun（慶桂顯），成為三星電子新一任芯片主管。

要說DS 部門之前有多慘，前面提到內存業務部去年虧損高達10 萬億韓元，晶圓代工和系統 LSI 業務更是沒拿到一分錢年終獎。

在面對股東們的尖銳問題時，慶桂顯只能不斷重復“會做得更好”。相比之下，三星電子另一大業務消費電子（設備體驗（DX）部門）的高管們幾乎沒有收到任何提問。

當然，系統 LSI 和晶圓代工業務部其實今年的表現依然前景不太明朗，整個部門全靠著HBM產品硬撐。

在全永賢上任之后，三星半導體部門一個很明顯的趨勢就是將HBM芯片進行分割重點發展。

在此之前，三星是存儲三巨頭中唯一一家不向英偉達公司供貨HBM芯片的企業。除了自身產品性能達不到英偉達的要求以外，最重要的因素還是三星電子內部沒有未能及時建立HBM研發中心并整合相關研究人員，最終導致內存戰略持續失策從而陷入不斷虧損。

好消息是，HBM市場足夠大，僅僅是供貨HBM3芯片就已經讓三星電子吃飽了AI紅利。

根據美光最新一份財報提供的數據，在消費電子需求下降，以及中國供應商開始加大供貨的背景下，內存價格在年中達到頂點之后，通用DRAM和NAND Flash的價格都在大幅下降。

而受益于HBM需求的激增，DRAM業務（包含HBM）最終還是幫助美光填平了下滑周期的“大坑”。

對于2025年的總市場情況，美光給出了300億美元的預期，而目前能吃下這個市場的只有存儲芯片三巨頭，這也是為什么三星電子能在存儲市場下跌周期里實現復蘇的重要原因。

目前，SK海力士、三星、以及美光都在加速推進第六代HBM產品（HBM4）的開發，而第七代HBM產品HBM4E的開發同時提上了日程。

近日，美光就分享了最新的HBM4和HBM4E的開發情況。其中HBM4有望在2026年量產，HBM4E也會在2027年至2028年之間到來。除了提供更高的數據傳輸速度外，HBM4E還將采用可定制的基礎芯片。

從研發進度上來看，除了三巨頭以外，其他競爭對手都會在明年陷入庫存調整的影響，一定程度上再度拉開了差距。

本文作者：jh，觀點僅代表個人，題圖源：網絡

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