榮耀文檔正式接入DeepSeek滿血版

今天，榮耀宣布，榮耀文檔正式接入DeepSeek模型滿血版，在搜索問答、文本創作等方面與DeepSeek深度結合，提供更智能的一站式文檔AI創作體驗。

支持機型包括：

榮耀平板：榮耀平板V9、榮耀平板MagicPad2、榮耀平板GT Pro

榮耀手機：榮耀Magic7/6/5系列、榮耀Magic V3/V2/V/Vs3/Vs2/Vs系列，榮耀Magic V Flip、榮耀300/200系列、榮耀GT。

使用該功能前，需先請將手機系統升級到最新版本，且在榮耀應用市場中更新榮耀文檔App為最新。

榮耀YOYO智能體上線DeepSeek-R1聯網版后，不僅具備強大的深度思考能力，還能夠結合聯網搜索功能，深度搜索、整合網絡實時信息，對用戶提問進行深度思考并精準回答。同時，榮耀YOYO智能體將在對話聊天、文本寫作、語言翻譯、編程輔助、文獻總結、旅行規劃等方面，提供更為高效的服務，提升用戶生活品質、工作及學習效率。

聯發科天璣開發者大會MDDC25定檔4月11日

聯發科近日正式宣布，MediaTek天璣開發者大會2025(MDDC 2025)將于4月11日召開，主題是“AI隨芯 應用無界”，這也是年后的第一場AI行業盛會。

根據聯發科的預熱，智能體AI相關話題或將成為此次會議重點，將以芯為基礎，釋放AI應用與游戲的無限潛能。

屆時，大會將發布天璣旗艦5G智能體芯片新品、天璣生態新品以及一系列開發者解決方案，攜手全球開發者，共建新AI時代下的移動應用生態。

在去年的MDDC24上，AI已經成為重頭戲，聯發科還專門發布了天璣9300+旗艦芯片，憑借全大核架構與端側 AI 推測解碼技術，實現 Llama 2 70 億參數模型 22 Tokens/s 的運行速度，為生成式 AI 手機奠定硬件基礎。

從目前的爆料信息來看，天璣9400+也可能會在MDDC上發布。

OPPO A5/A5活力版官宣

3月14日，OPPO宣布將于3月18日14:30發布OPPO A5和OPPO A5活力版，開啟千元機滿級防水新時代。

據官方介紹，OPPO A5和OPPO A5活力版都支持IP69、IP68、IP66防水認證，能防泡水、防噴水和防熱水。

據悉，IP68中的"6"表示設備的防塵等級，"8"表示設備的防水等級，意味著設備擁有防泡水的能力。IP69等級中的"9"表示設備能夠承受高壓高溫的水流沖洗，可以抵御熱水的侵襲。

目前兩款機型已經上架OPPO官網并接受預約。

三星新專利曝光

近日，三星的一項新專利曝光，這項專利描述了一種配備可移動攝像頭的獨特屏幕方案，這項專利的核心亮點在于，它將卷軸屏與可移動相機相結合。

具體來說，這顆攝像頭會隨著屏幕的滾動而切換前后位置，既可以用于自拍，又可以用于拍攝景物。

這種設計讓人不禁聯想到三星之前的 Galaxy A80 手機，這款手機同樣采用了單一攝像頭系統，并通過彈出和旋轉機制實現自拍功能。

不過，與此次的專利相比，三星Galaxy A80 僅缺少了卷軸屏這一元素，但兩者在產品理念上有著一定的重疊。

MySmartprice指出，三星這項專利要實現商業化面臨著諸多挑戰。不僅需要投入極高的研發成本，還需要進一步驗證其實用性。畢竟，在卷軸屏上加入這種可移動相機設計，可能會讓一些消費者覺得有些多余。

Intel首批18A工藝晶圓投產

昨天，Intel新CEO陳立武剛上任，他們工廠就傳出了捷報，位于亞利桑那州的新晶圓廠的Intel 18A工藝開始初始批量生成，新工藝的量產計劃有望提早實現。

Intel工程經理Pankaj Marria在LinkedIn的帖子中以“雄鷹已著陸”為喻，強調這一節點開發是先進制程研發的重要里程碑。從中可以了解到，Intel 18A節點已開始批量生產首批晶圓，供客戶進行測試與評估。這標志著英特爾18A節點的工藝設計套件（PDK）正式進入1.0版本，客戶已開始利用該套件進行定制芯片的測試。

Intel 18A工藝是該公司在先進半導體制造領域的重要突破，采用了突破性的RibbonFET全環繞柵極(GAA)晶體管和PowerVia背面供電技術，旨在解決傳統FinFET架構的性能瓶頸。

根據規劃，該節點將于2025年下半年進入大規模量產，且目前的進度可能提前于最初目標。若進展順利，Intel 18A節點將由酷睿Ultra 300系列Panther Lake處理器首發，并有望為NVIDIA、博通等外部客戶提供代工服務。

隨著新任CEO陳立武的上任，Intel的戰略方向進一步明確。陳立武在內部溝通中強調，公司將以“雙軌制”模式推進業務：在保持自有產品研發優勢的同時，通過整合制造資源打造開放代工生態。這一表態直接回應了此前關于分拆代工業務的市場猜測，但未完全排除未來結構調整的可能性。

三星與蘋果合作開發LPW DRAM

近日有傳言稱，英偉達再次來到三星的封裝工廠，種種跡象表明，英偉達對三星HBM3E的最終質量測試程序已正式開始。同時，三星也瞄準了下一代移動DRAM市場，以滿足對設備上人工智能（AI）日益增長的需求。

據TrendForce報道，三星正在與蘋果開發低功耗低功耗寬I/O（LPW）DRAM，預計2028年開始量產。除了蘋果外，三星在LPW DRAM項目上還有多個合作伙伴，包括自己的移動體驗（MX）部門。傳聞LPW DRAM的I/O速度達到204.8 GB/s，而功耗僅為1.87皮焦耳（pJ），相比LPDDR5X的效率要高很多。

LPW DRAM是與HBM類似的高帶寬存儲器，可以說是移動HBM。LPW DRAM通過低功耗（LP）DDR顯著提高性能，與HBM不同的是，LPW DRAM不包含用于邏輯功能的基本芯片。此外，三星還領導了JEDEC固態存儲協會，嘗試對LPW DRAM進行標準化制定。

SK海力士也有類似的計劃，正在開發針對性的“Vertical Fan-Out（VFO）”技術，打造堆疊的LPDDR DRAM。雖然SK海力士和三星在堆疊方面采用的工藝方法較為相似，但是封裝上卻有差異，SK海力士是將銅柱連接起來，然后用環氧樹脂填充，而三星電子則相反。

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