4月23日

2025九峰山論壇(JFSC)暨

化合物半導體產業博覽會(CSE)

在光谷科技會展中心盛大開幕

兩院院士、行業領袖、企業代表、專業觀眾

聚首江城共赴年度之約

超兩萬平方展覽面積

近300家參展商亮相的沸騰現場證明

化合物半導體的未來

正在中國光谷寫下最熾熱的注腳

九峰山論壇開幕大會

群賢聚首為產業新時代定下基調

“中國半導體行業正以自主創新的決心，在全球產業變革中書寫自己的方案。”中國工程院院士，華中科技大學校長尤政在開幕致辭中表示，華中科技大學要在這個過程中力爭成為全球化合物半導體技術發展的策源地，推動構筑產業生態協同創新的共同體，助力光谷建成為具有全球競爭力的半導體產業群，培育出行業頂尖人才與創新文化底蘊。

中國工程院院士，華中科技大學校長尤政

中國半導體行業協會理事長陳南翔指出，國內化合物半導體產業要堅定發展信心，直面各種挑戰。在洞察產業大勢的前提下，推動產業良性發展，并且要堅持開放協同，成為全球化合物半導體的價值創造者。最后他發出誠摯邀約，共赴武漢光谷這片發展熱土。

中國半導體行業協會理事長陳南翔

本屆大會嘉賓陣容堪稱鼎盛：中國科學院院士李樹深，中國科學院院士、南昌實驗室主任江風益，中國科學院院士、廈門大學黨委書記張榮，中國科學院院士、武漢大學教授劉勝，瑞典皇家科學院及工程院兩院院士Lars Samuelson以及第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲等院士專家蒞臨現場；粵芯半導體董事長陳謹、華工科技董事長馬新強、英諾賽科董事長駱薇薇等企業界代表齊聚一堂。

布局未來，開啟化合物半導體產業新篇章

近兩年，化合物半導體憑借其在光電轉換效率、高頻高功率性能上的突破，已成為新一代通信、新能源汽車、量子信息、人工智能等戰略領域的“核心引擎”。光谷以九峰山實驗室為依托，加快發展化合物半導體產業。圍繞九峰山實驗室，光谷制定了九峰山科技園發展規劃，組建了化合物半導體專項基金，正在打造化合物半導體產業創新街區，力爭3年內引進和培育上下游企業100家，建成千億產業街區，成為化合物半導體領域“世界燈塔”。

開幕式上，包括誠芯智聯全自動標定研發生產基地、埃芯半導體量檢測設備研發生產基地、騰景科技高速COB光引擎研發生產基地、引光聯創中心項目在內的化合物半導體領域重點項目現場簽約。同時，2025“武創薈”·雙谷聯動科技創新對接活動上，高壓SiC車載電源研發、氧化鎵功率器件全鏈條產業化、高端化合物半導體外延片研發、常壓等離子體制備摻雜合成石英研發、超高重頻光纖激光器封裝制造項目也舉行了簽約儀式。

作為開幕式的一大亮點，九峰山實驗室技術服務體系暨裝備材料驗證線上平臺發布儀式備受矚目。九峰山實驗室丁琪超主任表示，九峰山實驗室在化合物半導體材料研究的基礎上重點布局異質集成技術，針對化合物半導體材料多元、工藝復雜的挑戰，實驗室啟動中試線2.0升級，同步發布多款標準化工藝設計包（PDK），為業內企業提供技術支持。

共探技術攻堅與產業突圍之路

在精彩報告與高峰對話環節，來自學術界、企業界的重磅嘉賓圍繞化合物半導體前沿技術與產業趨勢展開深度交流，勾勒行業發展新圖景。

北京大學理學部副主任、教授沈波在報告中指出，以GaN、SiC為代表的第三代半導體有不可替代的優異性質，應用領域廣泛，是國家重大需求和國際高科技產業競爭的關鍵領域之一，而我國在第三代半導體光電子、射頻電子和功率電子領域均建立了較為完整的研發和產業體系。科技部、工信部等中央部委和廣東、江蘇、湖北等地方政府以設立重大、重點專項等方式對第三代半導體技術和產業給與了大力支持和扶持，極大的促進了我國第三代半導體技術和產業發展。

北京大學理學部副主任、教授沈波

英諾賽科公司首席執行官吳金剛認為，因為性能和價格的優勢，GaN FET將有望取代傳統的Si MOS占有市場，預計GaN功率半導體市場將呈指數級增長，由2024年的人民幣32.28億元增長至2028年的人民幣501.4億元，復合年增長率為98.5%。面對這一戰略機遇，吳金剛建議國內企業不斷提升產能，打造生態體系并建立自己的行業標準。

英諾賽科公司首席執行官吳金剛

長安汽車智能化研究院副總經理易綱指出，伴隨芯片技術變革與全新產品屬性升級，整車架構正朝著 “類人化” 智能體系演進，推動系統向高壓化、集成化迭代，功能從單一硬件驅動轉向 “服務化” 賦能，實現車輛 “智商”（智能決策能力）與 “情商”（人機交互體驗）的雙重進化。因此，要構建新型產業鏈協同關系，通過深度打通整車、零部件與芯片三大鏈條，推動整個產業鏈在有序協同中實現能級躍升。

長安汽車智能化研究院副總經理易綱

華中科技大學集成電路學院院長、國家集成電路產教融合創新平臺主任繆向水在報告中表示，在高密度存儲方向，硫系化合物相變材料憑借其優異的熱穩定性與低損耗特性，有望突破三維堆疊與多態存儲的瓶頸。在全光計算領域，其更是實現片上光計算與類腦信息處理的關鍵材料候選。華中科技大學將繼續開發具備更高光學對比度、低吸收、長壽命材料，在3D堆疊結構中引入異構集成與熱-電-光協同設計，構建具備“存算融合'與“異構協同”能力的原型系統。

華中科技大學集成電路學院院長、國家集成電路產教融合創新平臺主任繆向水

華工正源光子技術有限公司總經理胡長飛圍繞光模塊在數據中心及 AI 領域的應用展開分享，著重闡述了光模塊在提升數據傳輸效率、降低能耗及運營成本中的關鍵作用。他指出，隨著算力需求爆發式增長，光模塊技術正沿著 “更高速率、更低功耗、更優成本” 的路徑加速演進，技術演進路徑清晰，每通道速率從 100G、200G 持續突破至 400G 及以上，并通過引入新型材料與先進封裝工藝，不斷提升集成度與傳輸效率。胡長飛還介紹了公司圍繞 AI 算力需求開發的多元化產品矩陣，包括基于 DSP的高速率光模塊系列，為數據中心網絡架構升級提供了國產化解決方案。

華工正源光子技術有限公司總經理胡長飛

深圳方正微電子有限公司副總裁彭建華表示，全球半導體產業鏈正經歷深度遷移與重塑，東方力量在這一進程中迅速崛起。方正微敏銳捕捉產業變革機遇，在第三代半導體領域持續加大投入，研發費用及產線建設累計實際投入均位居國內行業首位。目前，公司已構建起覆蓋 SiC 產品研發設計、外延及晶圓制造、器件與模組封測到終端服務的全流程 IDM 一體化平臺，可提供包括 SiC 晶圓、功率器件、模組在內的系列化產品及技術解決方案，以全產業鏈協同優勢賦能新能源汽車、可再生能源等戰略領域。

深圳方正微電子有限公司副總裁彭建華

安世半導體寬禁帶半導體、IGBT業務高級副總裁Edoardo Merli介紹了公司針對寬禁帶半導體和IGBT業務的洞察和規劃。安世半導體的目標是成為全球領先的半導體設計和制造商，將繼續投資創新，擴大市場份額，并進入新的領域，如寬禁帶技術和IGBT模塊。安世半導體在全球范圍內擁有強大的制造實力和市場基礎，尤其是在歐洲和中國，并計劃通過持續改進技術和擴大產品組合來維持其市場領先地位。

安世半導體寬禁帶半導體、IGBT業務高級副總裁Edoardo Merli

山西爍科晶體有限公司總經理、中電科半導體材料有限公司副總經理李斌指出，國內SiC企業在8英寸到12英寸襯底技術迭代中進展迅猛，憑借長期數據積累與擴徑工藝的關鍵突破，已形成顯著的技術推進優勢。他強調，高純半絕緣SiC襯底在AR眼鏡及散熱封裝領域展現出獨特優勢，隨著工藝成熟正加速推進產業化進程，成為當前碳化硅襯底行業的競爭新焦點。尤其在AR顯示領域，SiC材料因在光波導應用中的獨特性能，伴隨單位面積制造成本持續下降，其在AR終端核心部件中的產業化價值愈發凸顯，有望推動相關細分市場快速落地。

山西爍科晶體有限公司總經理、中電科半導體材料有限公司副總經理李斌

高峰論壇的主題是領先破局之論：技術護城或規模為王，在 東湖新技術開發區投資促進局局長 謝齊威的主持下，業內領先企業和機構的代表紛紛分享自己的觀點。

北京北方華創微電子裝備有限公司化合物行業營銷總裁李仕群：盡管短期內供應鏈、貿易等方面存在壓力，但從歷史經驗來看，中國光伏行業在面臨貿易雙反對抗后，通過技術迭代和產業優化實現了快速成長，并在中國取得了90%以上的產能占比。在半導體領域，只要產業上下游誠信合作，充分利用好國內龐大的應用市場作為底牌，半導體的未來完全可以在國內發展起來。

云南鍺業股份有限公司董事長包文東：企業需要自立自強，充分利用已有的國家支持和行業資源，積極尋求危機中的商機。云南鍺業擁有豐富的礦山資源，正計劃將其礦產進行深加工，提高附加值，同時也在向附加值更高的產品方向發展。

北京華大九天科技股份有限公司EDA中心總經理董森華：從2018年至2019年，中國EDA公司數量已從不到20家增長到超過100家，行業快速發展并在多個領域取得重大突破。現在中國的EDA產品已基本能夠支撐化合物半導體的重要領域，如射頻微波系統等，但要實現全面國產化替代，還需經歷市場導入和規模化批量替換的過程。在這個過程中，核心技術和市場需求的協同配合至關重要。

英諾天使管理合伙人周全：盡管行業目前存在短期困擾，但長期來看對國內EDA和設備公司是利好。中國半導體行業過去十年間通過不斷努力，在市場中取得了顯著進步，市場份額增長迅速，如SiC等零部件產業有所發展。國家應該在人才培養、國產設備采購獎勵機制、資本投入等方面加大支持。

香港微電子研發院行政總裁高騰：香港作為開放窗口，希望能加強與內地在半導體領域的合作，特別是在技術研發和人才培養上。例如，香港正計劃建設一條8英寸的SiC中試線，并成立類似新加坡的研發機構，旨在引進先進制造業和微電子技術，利用其獨特的政策優勢和人才資源，抓住當前局勢下可能出現的機會，幫助半導體微電子產業落地香港，同時也會與國內設備供應商及制造廠商開展密切合作，包括高端人才的培養和引進。

2025CSE現場直擊

勾勒化合物半導體未來圖景

本屆展會規模再創新高，展覽面積達2萬平方米，六大主題展區覆蓋從材料到設計、設備、制造及應用終端的化合物半導體全產業鏈，近300家展商外地參展商占比超70%，彰顯化合物半導體產業熱度與集群效應。

產業鏈核心環節全覆蓋，從國產突破到全球領跑

行業頭部FAB與化合物半導體設備廠商聯袂亮相是展會的一大亮點。作為國內為數不多SiC全產業鏈垂直整合制造服務平臺，三安能提供長晶、襯底制備、外延生長、芯片制造、封測全流程服務，實現產品迭代、質量、交付的全方位管控，在全球同行業中具有競爭力；方正微電子作為擁有超大規模Fab廠的企業，車規SiC MOS主驅芯片實際產能國內領先，其強勁的產品和產能實力，不斷助力中國以及全球的新一代新能源基礎設施高質量可持續發展升級；作為VCSEL芯片制造的領軍者華芯半導體率先在國內以IDM模式實現了VCSEL芯片的大規模供應，在展會上重點展出了從10G到112G的VCSEL光通信芯片和射頻芯片等；全球氮化鎵龍頭英諾賽科展臺則擺放了其高性能氮化鎵系列新產品，涵蓋15V至1200V的各種低中高壓應用場景，有晶圓、分立器件與IC以及模組參考設計方案等。

在設備展商中，華工激光作為光谷本土光電子信息產業鏈龍頭企業，正加快布局化合物半導體，現場秀出了化合物半導體激光與量測先進裝備的整體方案，包括全自動晶圓激光退火智能裝備，晶圓激光表切智能裝備等；北方華創作為外地參展商代表，MOCVD設備、離子注入機、化合物半導體刻蝕機、物理氣相沉積系統等，以我國半導體設備龍頭企業的硬核實力為化合物半導體產業提供有力支撐。

化合物半導體材料展商在現場同樣表現亮眼。中國碳化硅晶片產業先鋒天科合達聚焦碳化硅襯底與外延片的技術突破，引領國產化碳化硅襯底行業發展；先導科技集團高純金屬及外延生長材料、襯底/外延/晶圓、芯片及器件等展品，從稀土原材料到光器件以及終端方案應用的全鏈條創新彰顯硬實力；稀有金屬行業領軍企業云南鍺業展示了完整的鍺材料產業鏈，重點包括13N超高純鍺單晶、衛星太陽能電池用鍺單晶片、8N超高純光纖級四氯化鍺材料等......

此外，也有越來越多的化合物半導體產業“配套”企業加入展會。華康潔凈推出潔凈室系統集成化新技術、新產品與新服務，為工業電子、智能制造等新興產業提供全方位的潔凈環境保障。同為展會戰略合作伙伴，和遠氣體展出了包括電子特氣及電子化學品、電子級超純大宗氣體、硅基功能性新材料等在內的一系列創新型產品，電子氣體是芯片制造上游原料之一，參與蝕刻、清洗、外延生長、離子注入等各個環節。

終端應用與特色展區引爆創新熱潮

作為本屆展會最受關注的板塊之一，終端應用展區匯聚了東風汽車、華為數字能源、樂道汽車等領軍企業。東風汽車在現場展出多款車型，包括硬派越野猛士917、嵐圖夢想家以及奕派007。猛士917基于東風自主開發的猛士智能越野架構M TECH打造，具備增程、純電雙動力版本，軍車獅吼式陣列格柵，盡顯霸氣。嵐圖夢想家提供多座型選擇，適配多元出行需求，奕派007的亮相更是展現了東風汽車在多領域的產品實力。除此之外，東風汽車還展出了車身域控制模塊、單北斗車載通信控制器以及IGBT全橋模塊等。

樂道汽車攜家庭智能電動中型SUV樂道L60亮相展區。該車搭載NT.Coconut智能系統與254TOPS的OrinX芯片和高通8295P旗艦座艙芯片，智駕表現靈動又安心。900V高壓架構加持下，續航達730km，快充換電無縫切換，輕松化解里程焦慮，寬敞車內空間化身移動生活艙，智能座艙配置拉滿。

華為數字能源作為深耕電力能源領域的企業，現場展示了全液冷超充站、光儲充一體化等解決方案，全液冷超充站利用高效液冷散熱系統，即便在高速充電過程中也能保持電池最佳狀態，可大幅縮短充電時間，有效緩解新能源車主補能焦慮。

超充展區同樣亮點紛呈，極氪能源攜G系列、V系列超級充電樁登錄展位，G系列液冷超級充電樁支持總功率240~960kW液冷終端和普通終端靈活配置，V 系列全液冷超級充電樁是極氪公司推出的高性能充電設備，單槍峰值功率可達800kW。英飛源展出了40kW液冷充電模塊、800kW全液冷超充系統等，其中800kW全液冷超充系統作為第三代產品，采用液冷功率變換+液冷充電槍線的全液冷設計，配套立體散熱的液冷儲能系統，可以實現超充功率倍增，同時全液冷充電系統可以多柜并柜，實現MW級的充電功率輸出。

在功率器件展區，GaNext展示了650V混合型常閉雙向GaN場效應晶體管，G2B56系列采用頂部冷卻表貼型封裝，具有電氣隔離的散熱金屬表面；萃錦半導體展示了全系列產品線，涵碳化硅SiC MOSFET、SiC Diode、硅基SJ MOSFET等各類模塊產品，以及一款以1200V 40mΩ MOSFET為核心的定制化7kW MPPT電源方案；易能時代的60kW風冷散熱直流充電模塊，可滿足各種大功率快充場景，據悉現已助力20+大型商業綜合體、商超等快充場站，實現盈利；此外，還有賽晶亞太半導體展示的ED、ST封裝、EP封裝以及HEEV封裝等SiC模塊。

首設科研機構展區，全景式展示尖端科研力量

全球科學研究范式正在發生深刻改變，協同創新、開放創新已經成為不可阻擋的大勢所趨。本屆展會開創性地設立創新創業生態街區，首次實現國內化合物半導體科研資源的全景式匯聚，包括九峰山實驗室、國家第三代半導體技術創新中心（深圳/蘇州）、西安電子科技大學寬禁帶半導體器件與集成技術全國重點實驗室、寬禁帶半導體國家工程研究中心、廣州第三代半導體創新中心、湖北光谷實驗室、蘇州納米城、甬江實驗室、西湖大學光電研究院、武漢格藍若-陳學東院士工作站等，覆蓋深圳、蘇州、西安、武漢、重慶、南京、杭州、寧波、廣州、佛山等核心區域的科研主力軍，各自展示了其在不同領域的技術突破與創新成果。

例如九峰山實驗室的異質集成工藝平臺，聯合微電子中心CUMEC的國產化800G硅光芯片工藝制造能力，西湖大學光電研究院的光電芯片特色工藝線，甬江實驗室信息材料與微納器件制備平臺等，都代表著我國化合物半導體領域的前沿研究水平。

此外，金融服務機構參展亦成為展會的另一大焦點。湖北科投、長江產業集團、光谷產業投資、國創賦能中心、新微科技集團等產業創新孵化機構以及其孵化的本地企業如光谷芯材等，也在街區集聚展示，共繪化合物半導體領域的未來藍圖。

行業精英聚一堂

共話未來新趨勢

展會首日的展邊會議同樣座無虛席，觀眾嘉賓濟濟一堂。全球頂尖市場研究機構Yole Group車用電子首席分析師楊宇表示，汽車的“新四化”帶來了創新的巨大飛躍，關于功率器件電動化則是汽車電子里增長比較快的部分。市場在不同地區展現出多樣化策略，歐洲、美國與中國在電動化推進上各有側重，比亞迪等企業通過創新在電池和電動技術領域占據領先地位。碳化硅與氮化鎵等材料的應用則對提高電動車性能和效率至關重要，尤其是碳化硅技術隨著襯底成本的持續下降，在提升電動車性能和效率上表現出巨大的市場潛力。

LightCounting高級市場分析師曹麗表示，在AI浪潮推動下，大模型的發展、算力需求的持續增長，AI芯片及網絡技術的演進，光通信器件市場展現出蓬勃發展趨勢。特別是光模塊技術的進步，具有低功耗、高帶寬、高密度的CPO以及OIO等技術，LightCounting相信客戶會逐漸開始嘗試使用并促進技術到市場的成熟。

此外，展會第一天還有SiC單晶生長用等靜壓石墨標準、晶圓級有源硅光+薄膜鈮酸鋰異質集成技術平臺也成功發布，同期電動汽車超充產業大會、功率器件論壇、2025半導體投資戰略發展論壇也成功召開，眾多來自產業界與科研院所的業界領袖、技術專家、科研學者為與會觀眾答疑解惑，分享真知灼見，展望行業未來發展趨勢。

明日，干貨滿滿的11大平行論壇即將開啟

CSE展會也還剩2天

抓緊最后的觀展參會機會！