2025.05.30

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導讀：存儲原廠面向AI帶來的新需求，正進行制程轉換。

作者 |第一財經 鄭栩彤

部分存儲產品傳來了漲價的消息。“這段時間有的漲了100%，有的一個月內漲了50%，這個月漲幅非常大。”深圳一家頭部存儲模組廠商的銷售負責人張麗（化名）告訴第一財經記者，一些DRAM產品近期出現漲價，主要是DDR4和DDR3在漲，背后的驅動因素不是需求增長，而是原廠停產。

DRAM即動態隨機存取存儲器，是目前兩種最主要的存儲顆粒之一，DDR4和DDR3分別是第四和第三代雙倍數據速率SDRAM。市場研究機構的數據也顯示，近期DDR4價格漲勢尤其迅猛。

頻頻漲價

據閃存市場數據，在截至5月27日的一周內，多款DDR4產品環比價格上漲，其中DDR4 16Gb 3200、DDR4 8Gb 3200、DDR4 8Gb eTT價格分別環比上漲3.95%、15%、10%。TrendForce集邦咨詢本月23日、25日、27日、28日和29日發布的市場動態中，也顯示多種DDR4顆粒現貨價格出現上漲，29日DDR4 8Gb 3200漲幅為4%。

“深圳市場表現火熱，買家問價動作較多，部分DDR4價格持續拉升，目標價格也有所提高，但仍難以跟上報價。” TrendForce集邦咨詢在29日的市場動態報告中稱。

“上周（采購時）我報你4元，你問3.8元行不行。這周再來問價，我說現在4.5元了，你又問能不能按上周報的4元，我說不好意思，馬上變成4.8元了。就是按這個節奏漲的。”張麗向記者形容。

漲價背后，今年2月，有消息稱美光、三星和SK海力士可能在今年年底前停止生產DDR3和DDR4內存。4月，有消息稱三星通知了PC制造商，將在今年年底前停產DDR4，最后訂購日期定在6月。

三星并未回應市場消息并證實DDR4停產，但市場上已出現連鎖反應。TrendForce集邦咨詢稱，三星、美光DDR3、DDR4停產傳聞引發DRAM市場連鎖反應，出現備貨潮。“三星、SK海力士和美光針對PC及服務器的DDR4和LPDDR4產品陸續發布了EOL（終止生產）通知，最后發貨時間預計在2026年第一季度至第二季度。”TrendForce集邦咨詢分析師許家源告訴記者，原廠宣布EOL后，買方紛紛搶購補充庫存，使4月至5月的顆粒現貨市場供給緊張，價格大幅上漲。

閃存市場稱，在原廠停產部分DDR4、減產LPDDR4X的持續影響下，引發的漲價效應蔓延至渠道成品，較低價的DDR5資源在渠道市場也愈發難覓，使本周渠道DDR5內存條也調漲價格。

不只DDR4在漲價，另一大類存儲顆粒中，NAND Flash（一種主要的閃存顆粒）也有部分產品在漲價。張麗告訴記者，漲價最多的是容量32Gb及32Gb以下的MLC NAND Flash，這類產品主要用于智能家居、電視、工業自動化設備、智能穿戴產品等，三星占了這類產品較大的市場份額。據她所知，也是因為原廠發了停產通知，導致MLC NAND Flash市場供應減少，因此近期才會出現漲價。

近日有消息稱，三星提前停產MLC NAND Flash，通知只供應至6月，并希望通過漲價使客戶知難而退，市場則對三星停供導致供應短缺問題感到擔憂，大力囤貨。三星在給記者的回應中未提及MLC NAND Flash停供一事是否真實，而是表示，不對客戶有關的事發表評論。

原廠調整生產

漲價是局部現象，雖然業內預計存儲行情已在逐步改善，但市場還未因整體需求拔高而出現十分迅猛的整體漲價。

以NAND Flash為例，TrendForce集邦咨詢29日發布的報告稱，今年第一季度NAND Flash供應商在面對庫存壓力和終端客戶需求下滑的情況下，平均銷售價格下降了15%，出貨量環比減少7%，該季度前五大NAND Flash品牌廠營收合計120.2億美元，環比減少24%。預計第二季度NAND Flash價格將出現觸底反彈，品牌廠商營收有望環比增加10%。

從存儲市場整體規模看，也有存儲供應鏈從業者向記者表示，預計今年將比去年有所增長，但幅度預計只有1%~2%。其背后，積極因素包括業內去庫存后價格得到支撐、AI應用帶來大容量存儲需求，但整體終端需求還未強勁反彈。

在這種情況下，之所以部分存儲顆粒漲價，是因為這些產品并非最新一代的高性能產品，而原廠面向AI帶來的新需求，正進行制程轉換。

“現在DDR已經做到了DDR5，像三星、海力士這些原廠大廠，它們已經打算將產能轉到高性能的產品上，例如HBM（高帶寬內存，DRAM的一種），這部分（DDR3、DDR4）已經不是能帶來高利潤、高毛利的業務了。”張麗解釋。

許家源也告訴記者，一些DDR4和LPDDR4將終止生產，主要是因為PC及服務器應用已經逐步從DDR4轉向DDR5，同時DDR4系列產品的價格和利潤都較低。

有消息稱，三星停產DDR4后，將把生產資源集中在DDR5和HBM上。美光則在2025財年第二季度財報中提及銷售HBM對毛利率的作用。美光稱，該季度綜合毛利率有所提高，原因就包括高利潤的云產品特別是HBM的銷售增加。

MLC也不是NAND Flash最新的技術。MLC即多層單元，從MLC、TLC（三級單元）到QLC（四級單元），NAND顆粒存儲密度越來越高。記者了解到，今年以來，包括長江存儲、鎧俠、Solidigm在內，多家存儲廠商已在極力推廣QLC產品，推進產品迭代。

面向AI時代調整產品結構的信號越來越明顯。目前，高性能存儲產品中，HBM已成為英偉達等高性能AI芯片的必備，采用QLC技術的NAND Flash也被認為適合運行AI應用的設備。有供應鏈廠商向記者解釋，存儲廠商著急推QLC背后，是AI PC、AI手機這些端側設備需要存儲密度增加。

“原廠在產能資本支出上正在減少，同時存儲技術朝更先進制程遷移。” CFM閃存市場總經理邰煒今年早些時候表示，在供應端，整體wafer（晶圓）產出相比以往的增量將明顯減少，存儲原廠的資本支出將更多投入更先進的封裝技術或產品研發上，更側重HBM、1c、1γ和200層、300層這些先進產能。

美光在最新財報中表示，公司專注于在現有制造設備中增加HBM產能，以滿足2026年的市場需求。今年4月，美光進行了業務部門重組，新成立了向超大規模云客戶提供內存解決方案、為數據客戶中心客戶提供HBM的云內存業務部。美光稱，此次重組的背景是高性能內存和存儲在推動AI發展方面越來越重要。

SK海力士也在加碼布局HBM。去年第四季度HBM在SK海力士DRAM銷售額中的占比超40%，該公司預計今年該占比將提升至50%以上。

微信編輯| 蘇小