3月29日BIS發布了新修訂的半導體出口管制規則（3·29規則），本來不想寫什么，因為和2022年10月7日（10·7規則）、2023年10月17日（10·17規則）相比，3·29規則實在沒有很實質性的發展。但不少讀者在后臺留言詢問影響，故謹在此做一些簡要分析。

3·29規則實際是對10·7和10·17兩個規則的“補漏洞”，同時在實施層面提出了更嚴格的要求。例如通過對受控芯片最終用途進行更細致的規定收緊了許可例外。針對把受控物項集成到其他外國制造的設備，而這些設備又被中國用于研發或生產先進半導體制造設備的情況，進一步明確了對其的限制規則。關于最終用戶怎么證明出口物項不會用于中國的半導體制造設備的研發或生產，新規強調了出口商不能故意裝作不知道這些物項會被用來做什么，也不能故意通過設計交易方式來繞過管制。

3·29規則還進一步明確了分別適用“推定拒絕”“推定批準”“逐案審查”三類不同許可政策的情形。“推定拒絕”和“推定批準”分別體現了對中國的嚴格限制和對盟友的安撫。對不用于數據中心，但滿足受控AI芯片性能參數的芯片，以及不屬于受控AI芯片，但性能接近的芯片，BIS會進行逐案審查。這體現了美國政府對先進AI芯片的高度關注。

在對可用于數據中心的先進AI芯片的管制方面，3·29規則對10·17規則一些比較模糊的地方做了進一步闡釋。其中對“總處理性能”（Total Processing Performance, TPP）的詳細解釋令人印象深刻。這些生澀拗口的技術術語很難懂，但我們可以通過類比的方式幫助理解。

1、"總處理性能"（"TPP"）是所有集成電路上的處理單元的"MacTOPS"乘以"操作的位長度"的2倍的總和。（假設我們在玩一個視頻游戲，需要靠做一些數學運算來得分，TPP就是我們會獲得的總分。MacTOPS相當于芯片的一個處理單元解決一個特定數學問題的速度，乘以2，然后再乘以它處理的數字的大小（即操作的位長度）就得到了一個處理單元得到的分數。把一塊芯片的不同處理單元的得分加起來，就是TPP。）

a. 對于3A090條款而言，"MacTOPS"是乘累加運算（D=AxB+C）每秒理論峰值Tera（10^12）次操作的數量。（MacTOPS代表芯片每秒鐘能完成多少萬億次這種乘累加的計算。這個數字越大，說明芯片處理這種特定計算任務的能力越強。）

b. "TPP"公式中的2是基于行業慣例，將一個乘累加計算，D=AxB+C，視為2次操作以用于數據表。因此，2倍MacTOPS可能對應于數據表上報告的TOPS或FLOPS。（這里之所以要乘以2，是因為根據行業慣例，這項計算包含了兩個主要的動作：一次乘法（AxB）和一次加法（+C）。所以，即便它是一條公式，我們也按照兩次操作來計數。）

c. 對于3A090條款而言，乘累加運算的"操作的位長度"是乘法操作輸入的最大位長度。（“操作的位長度”，相當于說芯片在做數學問題時處理的數字有多大。）

d. 將集成電路上每個處理單元的TPP總和加起來，得到總TPP。"TPP" = TPP1 + TPP2 + ... + TPPn（其中n是集成電路上的處理單元數量）。（要得到總的TPP，只需要把芯片所有處理單元的TPP分數加起來。）

2、"MacTOPS"的速率應以理論上可能達到的最大值計算。"MacTOPS"的速率被假定為制造商在年度報告或宣傳冊中聲稱的最高值。例如，4800的"TPP"閾值可以通過600 Tera整數操作（或2 x 300 "MacTOPS"）在8位或300 Tera FLOPS（或2 x 150 "MacTOPS"）在16位來滿足。如果IC設計用于執行具有多個位長度的MAC計算，從而實現不同的"TPP"值，則應評估最高的"TPP"值是否符合3A090的參數。（MacTOPS的速率，有點像我們買一輛車的時候，車行老板會告訴我們說這個車最高時速是多少。說一塊芯片的計算速度可以達到8位時600萬億次操作，或16位時300萬億次操作，就好比說一輛車最高可以開到每小時200英里。一些芯片可以處理的數字有很大的、也有比較小的，就像車可以開到最高200英里每小時，也可能以低于20英里每小時在市區的道路行駛。但是，對評估是不是要管制來說，只看車最快能有多快，即芯片能達到的最大計算速度。）

3、對于3A090指定的、同時提供稀疏和密集矩陣處理的集成電路，"TPP"值是處理密集矩陣（例如，不考慮稀疏性）的值。（如果一個芯片可以既處理特別簡單的數學問題，也可以處理特別復雜的，美國出口管制關心的TPP分數，是芯片在做復雜數學問題的時候所能達到的數值。）

4、"性能密度"是"TPP"除以"適用的芯片面積"。對于3A090條款而言，"適用的芯片面積"以平方毫米計量，并包括所有使用非平面晶體管架構工藝節點制造的邏輯芯片的芯片面積。（這里可以用汽車類比芯片，所謂性能密度。相當于汽車發動機功率相對車身重量的一個比例。一個發動機功率很大但車身不是很重的賽車，跑得會非常快，因為單位車身重量能得到更多的動力。TPP分數就像是汽車的動力（告訴我們一個芯片能做多少計算）。但這里我們關心的不是芯片的重量，而是這個芯片占用了多少物理空間、這些空間能提供多少計算。高性能密度意味著你能從比較小的空間獲得更多計算資源，設備更強大但體積卻不用變大。就像一輛車功率很大但重量很輕，能輕松超過功率一樣但更重的車。）

在半導體制造設備方面，3·29新規比較重要的是對3B001的修訂，把EUV掩模（ECCN 3B001.j）和相關軟件及技術納入管制；對分子束外延生長、化學氣相沉積（CVD）、原子層沉積（ALD）等設備的限制，引入了一些更加精細化的指標，符合這些指標的設備往往能制造受限的先進制程芯片，因此受到管制。

分子束外延生長設備，是一種特殊的半導體制造機器，它通過一種叫做“分子束外延”的方法在芯片上制造層。就像一個畫家要一層層地在一塊畫布上做畫，畫布的每一層都非常薄，畫得還得很精確，這就需要一只超細的畫筆。分子束外延（MBE）就像這種畫筆，芯片廠用它發射微小的“分子束”（超細的材料噴霧）到晶圓上，通過精密地控制束流，鋪設薄到只有幾個原子厚的材料層，從而制造出更小、更先進的芯片。

3·29規則明確:專為硅（Si）、摻碳硅、硅鍺（SiGe）或摻碳硅鍺外延生長設計的分子束外延生長設備要受到管制。這可能是因為這些材料常被用來制造先進制程的芯片。

化學氣相沉積（CVD）設備，像是一個高級噴漆機，會在封閉的空間（比如一個大瓶子）里放入一些特殊的氣體并加熱，催生化學反應，產生一種固體材料，這種材料會均勻地附著在放在瓶子里的芯片或其他物體表面上。CVD設備在制作芯片時，需要在比地球上的大氣壓低很多的壓力下工作，這樣它們才能在材料表面準確地添加薄層。PECVD更高級，不僅能在比CVD更低的壓力下工作，還有些高級功能，比如自動把一片片晶圓從一個容器轉移到另一個容器，中間完全不需要人工干預。CVD越能在更低壓力下工作，性能越好，越可能用來制造先進芯片。

3·29規則明確：操作壓力低于10^5帕的CVD要管制。如果屬于PECVD設備，操作壓力低于60帕（450毫托）或具有自動盒式到盒式和負壓鎖緊的晶圓處理功能的，也要管制。

和分子束外延生長設備類似，原子層沉積（ALD）設備也相當于一個能在微觀尺度上作畫的高科技工具。可以想象成用最精細的畫筆在一張紙上涂畫，每一次筆觸都只添加一層極薄的顏料。這里的“畫筆”是化學氣體，“紙張”是芯片或其他基材的表面，添加顏料的過程就是ALD。ALD設備通過交替引入不同的氣體到反應室來工作。每種氣體都能在基材表面形成一個原子層，然后設備會把多余的氣體排出，再引入下一種氣體。這個過程反復進行，直到達到所需的膜層厚度。

3·29規則提出了ALD的幾個新指標，滿足的話就會管制。比如一些ALD設備能在特定區域內使用等離子體（一種帶電的氣體）來幫助材料沉積，以更精確地控制沉積過程，只在需要的地方添加材料。就像一個很高級的烤箱，可以精確控制熱量在烤盤上的分布，只在你想要烘焙的區域加熱，保證食物烹飪得恰到好處。修訂規則明確，帶有這種功能的ALD是要管制的。其他還有用于添加鈦鋁碳化物這種特殊的金屬混合物的設備、可以把鎢非常精確地填充到芯片上寬度不到一根頭發絲的小通道里的設備、以及能夠產生一種含有很少氟的鎢薄膜的設備，都分別因為其某些方面或者性能可以幫助制造受限先進芯片而進入管制之列。

相比其具體內容和影響，3·29規則和此前的10·7、10·17新規結合起來所體現的美國對華芯片戰未來發展趨勢，可能更加重要。在此斗膽作出以下判斷：

1、美國對先進芯片的出口管制標線已趨于穩定。在去年10·17規則出臺后不到半年，美國就再次予以更新并出臺3·29規則，可能恰恰說明系統性、大規模的管制措施已接近出清，今后更多的將是對現有制度的快修快補。管制標線將大體固定在10·17新規的水平，在相當一段時期之內應不會再進一步收緊。美國負責出口管理的助理商務部長Thea Kendler近期也對媒體表示：“沒有興趣將限制進一步擴大到成熟芯片或傳統芯片”。下一階段，BIS工作的重點料將進一步轉向加強執法、補上漏洞，確保10·7和10·17兩個規則得到真正實施，可能會重拳打擊一些涉嫌規避出口管制的情況，樹立典型和建立威懾。已經公開征求意見的對IaaS云服務的限制規則也會盡快出臺。

2、對先進芯片制造設備，美國現在的策略可總結為：卡住設備增量、等待存量耗盡。主管BIS的商務部助理部長Alan Estevez去年10月接受《日經亞洲》采訪時表示：“中國現有的這些先進設備遲早或多或少地會出現故障，如果無法獲得所需的零部件，這將阻礙中國芯片產業取得進一步進展。”美國打的是明牌，但卡住增量并不容易，需要荷蘭、日本和韓國的配合。過去一段時間，關于美國政府正在向荷蘭、德國、韓國和日本等盟友施壓，要求進一步限制半導體制造設備對華出口的消息不斷見諸報端。美國據稱正敦促荷蘭阻止ASML為中國公司囤積的DUV光刻機提供服務和維修，還要求日本限制向中國出口光刻膠。據報道，從2023年下半年開始，美國對韓國施壓力度也空前增加，甚至點名韓國的特定企業。今年2月，美國商務部和韓國產業通商資源部就此問題展開了協商，韓國迫于壓力可能需“一定程度”上滿足美方要求。

“卡住增量”可能還包括對中國半導體制造企業的進一步制裁。美國擬禁止一些中國公司獲得關鍵制造設備。2023年底，美國商務部據稱向中芯國際的美國供應商Entegris等公司發函，要求暫停向中芯國際出口一些芯片制造設備和零部件。近期，外媒透露美國商務部正考慮將多家與華為有關聯的中國半導體公司列入實體清單，并制裁長鑫存儲等6家中國企業。

3、美國會繼續協調盟友搭建多邊管制。這從長期看是最有效的管制方法，雖然大部分進展在水下，但非常值得關注。近年來，美國政策界一直在呼吁建立一個針對半導體的“瓦森納安排+”（“Wassennar Plus”）多邊出口管制機制，在《瓦森納安排》之外再搞一個新的、排除俄羅斯的西方管制機制，美國商務部和國務院有可能正推進相關工作。值得注意的是，商務部近來設立了一個首席助理部長幫辦，其領導的國際政策辦公室（International Policy Office），主要職責就是推進建立半導體的多邊管制機制。3月28日，Thea Kendler在年度出口管制政策更新會議上透露，在美國國務院努力下，美國和相關國家將在近期公布新的多邊管制措施，以實施2022年和2023年《瓦森納安排》下擬采取的管制措施。

4、成熟制程芯片可能成為下個戰場。美國國會中美戰略競爭特別委員會已經在施壓美國貿易代表辦公室和商務部對中國出口到美國的成熟制程芯片加征關稅。Alan Estevez去年10月曾公開表示，反補貼稅、232、301調查是應對中國企業向全球市場“傾銷低端芯片”的工具。雷蒙多也在不同場合指責：中國以“令人憂慮的做法”擴大國內成熟制程芯片產能，令美國公司無法與之競爭。去年12月，美國商務部宣布對半導體供應鏈展開調查，以弄清楚美國關鍵產業供應鏈使用中國成熟制程芯片的情況。歐盟據稱也在考慮對歐企使用中國成熟制程芯片的情況進行審查。由于成熟制程芯片基本上不單獨出口，而是內嵌在家電等一般電子消費品中出口，加關稅勢必引起這些消費品價格上漲，對老百姓的實際生活產生影響。下一步，美國會不會單獨或者聯合歐盟使用貿易工具打擊中國的成熟制程芯片產業，值得持續觀察。

5、中國公司在RISC-V上的投入正引起美國越來越多關切，但美國目前缺乏制裁的工具。去年11月，美國國會中美戰略競爭特別委員會致信美國商務部長，表示擔心RISC-V可能促進中國芯片設計生態系統的發展，破壞美國的出口管制，要求采取措施應對。Arm據報道正在游說拜登政府對RISC-V進行限制。美國政策界對此的討論也越來越多。但從實操上來說，控制中國使用RISC-V技術很難，RISC-V國際基金會2020年3月將總部從美國搬到瑞士，嚴重限制了美國政府的管轄權。BIS目前無法限制RISC-V標準的發布或中國公司參與，最多只能基于屬人管轄權限制美國公司的參與。

3·29新規沒有改變美國要限制的半導體制程標線，是一次小修小補。長期看，這種修補會越來越多、越來越快，美國會不斷想各種辦法堵住先進芯片和制造設備流向中國的漏洞，這顯然會影響英偉達和泛林等美國公司來自中國的營收，并且會持續倒逼先進芯片和半導體制造設備的國產自主。中國方面可能會繼續利用各種漏洞獲得所需的先進AI芯片和芯片制造設備，但隨著一個個漏洞相繼被堵上，中國獲得GPU等先進AI芯片會越來越困難，沒有最先進GPU驅動的人工智能產業，發展將不可避免受到影響，和美國的差距會拉大。美國對先進半導體制造設備的嚴格管制，以及潛在的西方多邊出口管制體系的成型，使中國國產自主的緊迫性前所未有地增加，也格外考驗中國的應對策略。