新規(guī)出來了，認(rèn)真學(xué)習(xí)了一個(gè)白天，仍不敢說完全看懂了。有兩個(gè)surprise：此前風(fēng)傳受華為和算能事件刺激，BIS會出臺對大陸AI芯片企業(yè)去臺積電流片的限制，臺積電收到了BIS的“is informed letter”，被告知以后只要是7nm及以下制程，且面積大于300平方毫米/用了先進(jìn)封裝/晶體管密度大于300億，臺積電給代工都需要許可。

但新規(guī)里沒有這部分，這是個(gè)surprise，具體為什么，不清楚。可能是BIS還沒弄好，也可能是臺積電和美國政府還在勾兌。最近傳出了一些消息，臺積電要第一次在美國開董事會，并且可能把2nm制程芯片制造轉(zhuǎn)移到美國，時(shí)間點(diǎn)挺微妙的。

但也不能過于樂觀，這次沒出來，沒準(zhǔn)下周就有了。從此前媒體曝光的一些情況看，這個(gè)事或許不會就此消停。

另一個(gè)surprise是國內(nèi)這次的反制速度和力度。

商務(wù)部在第二天就發(fā)公告宣布了反制措施：一是禁止兩用物項(xiàng)對美國軍事用戶或軍事用途出口；二是原則上禁止鎵、鍺、銻、超硬材料相關(guān)兩用物項(xiàng)對美國出口；對石墨兩用物項(xiàng)對美國出口，實(shí)施更嚴(yán)格的最終用戶和最終用途審查。商務(wù)部甚至還啟動了《出口管制條例》第49條的中國式外國直接產(chǎn)品規(guī)則和最低含量規(guī)則，宣布“任何國家和地區(qū)的組織和個(gè)人，違反上述規(guī)定，將原產(chǎn)于中華人民共和國的相關(guān)兩用物項(xiàng)轉(zhuǎn)移或提供給美國的組織和個(gè)人，將依法追究法律責(zé)任。”

我在“”里曾提到過，雖然國內(nèi)早就對鎵、鍺、銻、石墨進(jìn)行出口管制，但最近彼得森經(jīng)濟(jì)研究所基于美國海關(guān)數(shù)據(jù)的研究顯示：這些被管制的關(guān)鍵礦產(chǎn)對美出口并沒有明顯減少，中國商務(wù)部大部分還是給了出口許可，中國在反制方面政治姿態(tài)大于實(shí)際行動。但我也強(qiáng)調(diào)，這不意味著中國就不會或不能切斷這些物項(xiàng)的出口。現(xiàn)在，也許中方真的出手了。

幾乎同時(shí)，中國互聯(lián)網(wǎng)協(xié)會、中國汽車工業(yè)協(xié)會、中國通信企業(yè)協(xié)會、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會等多個(gè)官方協(xié)會發(fā)表聲明，譴責(zé)美國的制裁，呼吁中國企業(yè)謹(jǐn)慎采購美國芯片，尋求擴(kuò)大與其他國家和地區(qū)芯片企業(yè)的合作。中國通信企業(yè)協(xié)會甚至呼吁政府“開展關(guān)基供應(yīng)鏈安全審查，采取有力措施，保障關(guān)基設(shè)施安全穩(wěn)定運(yùn)行”。

美國芯片企業(yè)中，美光已經(jīng)被網(wǎng)信辦宣布沒有通過網(wǎng)絡(luò)安全審查，關(guān)基供應(yīng)鏈已經(jīng)逐步剔除美光產(chǎn)品。前段時(shí)間，中國網(wǎng)絡(luò)安全協(xié)會公開呼吁對英特爾啟動網(wǎng)絡(luò)安全審查。據(jù)外媒報(bào)道，中國政府通過內(nèi)部窗口指導(dǎo)，要求國內(nèi)企業(yè)盡量不要采購英偉達(dá)的GPU。美方此次新規(guī)招致中方強(qiáng)烈反彈，讓人不由對美國芯片企業(yè)在中國的前景捏一把汗。

但看了這個(gè)規(guī)則的全文后，或許能理解中方這次反應(yīng)為什么這么大，美國人確實(shí)過分了，相當(dāng)于對中國半導(dǎo)體國產(chǎn)自主的一次釜底抽薪。以下試著分析一下：

一、卡住半導(dǎo)體制造設(shè)備、打擊中國本土先進(jìn)芯片制造能力，達(dá)到了一個(gè)頂峰

我認(rèn)為這是新規(guī)最大的看點(diǎn)，實(shí)際影響遠(yuǎn)超大家普遍關(guān)注的HBM管制。

大家這幾年都在說光刻機(jī)，光刻機(jī)對我國半導(dǎo)體國產(chǎn)自主長遠(yuǎn)看的確重要，也是最難攻克的部分，但目前或許不是國內(nèi)芯片產(chǎn)能最大的問題。常識是：一條完整的先進(jìn)芯片產(chǎn)線只有光刻機(jī)不行，還得有薄膜沉積、刻蝕、離子注入和量測檢測等多種設(shè)備。如果沒有這些配套設(shè)備，即使給你EUV，也一顆芯片都造不出。

前段時(shí)間研究了一下半導(dǎo)體制造設(shè)備的產(chǎn)業(yè)鏈，發(fā)現(xiàn)其復(fù)雜程度、涉及的大小供應(yīng)商超乎想象。溫控、射頻電源、真空泵、石英件、靜電卡盤、光源、流量計(jì)、機(jī)械臂、閥門、精密控制件，精密光學(xué)，很多之前聽都沒聽說過。而這些半導(dǎo)體制造前道設(shè)備和量測設(shè)備，國產(chǎn)化率情況都還不太理想，缺失了任何一環(huán)，都會拖慢整條產(chǎn)線。更要命的是，這些設(shè)備很多只有美系廠商能提供。

我們經(jīng)常掛在嘴邊的是“芯片”出口管制，但實(shí)際上重點(diǎn)從來都不只是“芯片”，而更多是制造芯片的“設(shè)備”，以及“制造芯片設(shè)備”的設(shè)備。

從2022年10月7號美國出臺第一波限制措施起，BIS就開始管制半導(dǎo)體制造設(shè)備，史無前例、導(dǎo)致大批中國半導(dǎo)體行業(yè)美國籍員工和高管離職的對“美國人”的限制，其著眼點(diǎn)之一也在防止美國人幫助中國造出設(shè)備。但總的來說，這時(shí)候BIS關(guān)注重點(diǎn)是在防止中國fab廠拿到美日韓系的“先進(jìn)芯片制造設(shè)備”。其背后邏輯也頗為簡單：中國國內(nèi)先進(jìn)芯片產(chǎn)能高度依賴美日韓系的設(shè)備，如果不賣給中國fab這些設(shè)備，中國就造不出先進(jìn)芯片。

2023年10月17日的第一次管制規(guī)則更新，BIS在ECCN 3B001增加了用來制造“半導(dǎo)體制造設(shè)備”的設(shè)備，打擊目標(biāo)延伸到中國半導(dǎo)體制造設(shè)備的國產(chǎn)研發(fā)和制造能力，其邏輯是：BIS發(fā)現(xiàn)生產(chǎn)“芯片制造設(shè)備”的產(chǎn)業(yè)鏈上游也是美日韓系公司主導(dǎo)。

也就是：中國說，外國半導(dǎo)體制造設(shè)備我拿不到，那我自己造這些設(shè)備行不行？BIS說，對不起，你自己造這些設(shè)備需要的外國零部件和耗材，也不能賣給你。在這次更新中，BIS還修改了“先進(jìn)光刻設(shè)備”（ECCN編碼3B001.f.1.b.2.b）的最低成分含量標(biāo)準(zhǔn)（de minimis rule），把它從25%降到0%，這意味著哪怕這些光刻設(shè)備是在美國境外制造的（比如ASML在荷蘭制造），只要要含有一丁點(diǎn)的美國原產(chǎn)零部件，要賣給中國也得BIS同意。當(dāng)然，BIS給荷蘭和日本留了一點(diǎn)面子，說如果你自己按照美國的標(biāo)準(zhǔn)立法管制了，那我就不管了。這也就是為啥后來荷蘭、日本都更新了自己對光刻設(shè)備的出口管制法規(guī)，也就是著名的美日荷三方密約。

2024年3月29日的第二次管制規(guī)則更新，BIS對半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)鏈設(shè)置了更嚴(yán)格的最終用戶和最終用途審查義務(wù)，并強(qiáng)調(diào)說，如果一家設(shè)備制造商故意通過重構(gòu)供應(yīng)鏈、設(shè)計(jì)“規(guī)避方案”來規(guī)避美國的出口管制，那么可能被認(rèn)為違反美國法律，引來嚴(yán)重風(fēng)險(xiǎn)。BIS還對“美國人”對美國人參與EUV光罩（ECCN 3B001.j）及相關(guān)軟件和技術(shù)活動進(jìn)行了限制，這只是補(bǔ)上了2023年規(guī)則的一個(gè)疏漏，但也顯示了BIS在這件事上是有多細(xì)。

1202新規(guī)在以上基礎(chǔ)上再次大幅加碼：

一是管制了更多半導(dǎo)體制造設(shè)備，幾乎涵蓋了fab廠需要的所有關(guān)鍵設(shè)備，包括但不限于某些蝕刻、沉積、光刻、離子注入、退火、計(jì)量和檢測以及清洗設(shè)備。

二是把一大堆國產(chǎn)半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)鏈上的設(shè)備、材料、零部件公司及其子孫公司拉進(jìn)了實(shí)體清單，包括北方華創(chuàng)、芯源微、拓荊科技、中科飛測、至純科技、凱世通，華海清科、新昇半導(dǎo)體等。這些公司遍布供應(yīng)鏈上沉積，刻蝕，量測，涂膠顯影，濕法清洗，CMP，離子注入等各個(gè)環(huán)節(jié)，還包括對應(yīng)的光刻膠、控制模塊、精密零部件等核心零部件和材料廠商。因?yàn)樵S可政策是推定拒絕，這些公司以后沒法再從Brook、AE、AMSEA、UCT、MKS、VAT等美國公司買零部件和耗材了。

三是增加了針對半導(dǎo)體制造設(shè)備零部件的外國直接產(chǎn)品規(guī)則。FDP大家都不陌生了，效果是以后國內(nèi)設(shè)備公司從Horila、Shimadzu、Sumitomo等日系公司，德國Zeiss、Pfeiffer，瑞士Inficon，英國Edwards，荷蘭Advates等采購半導(dǎo)體制造設(shè)備零部件也不行了。據(jù)說對應(yīng)的國產(chǎn)零部件公司目前的自主替代程度也不理想，如果是這樣那影響還是很大的。

四是前瞻性地壓制其他的光刻技術(shù)路線。最近葉甜春有個(gè)很好的評論，中國半導(dǎo)體要克服美國限制，不能只從戰(zhàn)術(shù)上強(qiáng)調(diào)“替代”，更要強(qiáng)調(diào)“創(chuàng)新”，探尋其他可以彎道超車的技術(shù)路線。ASML的光刻機(jī)不是唯一解決方案，還存在其他技術(shù)方案，雖然很多難點(diǎn)沒有攻克，但仍值得關(guān)注。例如，佳能在持續(xù)性壓注納米壓印光刻，國內(nèi)的蘇大維格和天仁微納也在搞這方面研究。中科院電工研究所等一些單位在研究電子束直寫技術(shù)，復(fù)旦大學(xué)聯(lián)合中芯國際在研究定向自組裝。美國政府顯然也關(guān)注到了，1202新規(guī)引入了一個(gè)新的ECCN編碼3B001.f.5，管制能夠生產(chǎn)先進(jìn)芯片的納米壓印光刻設(shè)備（標(biāo)準(zhǔn)是重疊精度overlay accuracy小于 1.5nm）。此外，BIS還在3B993.f.2部分針對不太先進(jìn)的納米壓印光刻技術(shù)進(jìn)行了新的管制。

四是第一次卡了對提升半導(dǎo)體制造能力十分重要的軟件工具。這些軟件，有些能用來提高芯片生產(chǎn)的良率，比如這次新管制的”技術(shù)計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件（TCAD）“，能在芯片實(shí)際制造之前模擬整個(gè)復(fù)雜的物理和化學(xué)過程，預(yù)測這些過程中可能出現(xiàn)的問題，幫助工程師提前調(diào)整制造工藝參數(shù)，提高芯片制造的良率。有些軟件可以讓一些成熟制程設(shè)備也能做先進(jìn)制程（例如多重光刻）。比如新增的對“計(jì)算光刻軟件”（ECCN 3B993.c）的管制，這類軟件借助光學(xué)鄰近校正、逆光刻和熱點(diǎn)校正等技術(shù)，可以把DUV 實(shí)現(xiàn)的最小特征尺寸減少到小于 40 納米，并促進(jìn)多重圖案化所需的復(fù)雜掩模分解。以前只管制 EUV 的計(jì)算光刻設(shè)備，但此次擴(kuò)大到了DUV。

二、對HBM的管制

怎么通過卡高端AI芯片限制中國的前沿AI模型訓(xùn)練，BIS的認(rèn)識經(jīng)歷了一個(gè)過程，這期間也伴隨GPU和大模型本身技術(shù)上的演進(jìn)。

2022年1007規(guī)則，主要是看單卡浮點(diǎn)算力峰值（4800TOPs）和雙向傳輸速率（600GB/秒），兩條紅線卡住了英偉達(dá)的A100、H100輸中。

2023年1017規(guī)則，針對英偉達(dá)退出的特供版A800和H800，用“總處理性能”和“性能密度”取代了1007的標(biāo)準(zhǔn)，更加綜合全面，基本上把英偉達(dá)的特供版GPU以及數(shù)據(jù)中心使用的主流GPU一網(wǎng)打盡。后來英偉達(dá)又按照這個(gè)新標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)了H20，繼續(xù)賣給中國。

但前兩次規(guī)則都沒有對HBM下手。本次新規(guī)對HBM的限制，代表了美國政府在芯片出口管制問題上認(rèn)識的進(jìn)一步深化，可以說抓住了限制中國算力供應(yīng)和前沿AI模型訓(xùn)練的關(guān)鍵。

AI 大模型對數(shù)據(jù)處理與傳輸要求越來越高， “內(nèi)存墻” 問題隨之凸顯。據(jù)有關(guān)分析，過去20年間處理器的峰值算力增長了近10萬倍，但內(nèi)存和處理器之間的互連帶寬卻只提升了 30 倍。存儲性能越來越無法跟上處理器的節(jié)奏，指令和數(shù)據(jù)寫入和讀出花費(fèi)的時(shí)間遠(yuǎn)超處理器運(yùn)算。就好比一個(gè)大漏斗，無論處理器往里面注入的數(shù)據(jù)量有多大，存儲器能輸出的數(shù)據(jù)都是涓涓細(xì)水。

HBM的主要功能，就是把這個(gè)漏斗的嘴尖撐大，讓數(shù)據(jù)之水能流得更快更多。傳統(tǒng)的存儲芯片GDDR，是獨(dú)立封裝，在印制電路板上圍著處理器轉(zhuǎn)一圈。而HBM則在硅中階層上把 DRAM裸片像樓層一樣垂直堆疊，然后借助一種叫硅通孔（TSV）的技術(shù)，形成貫通所有芯片層的柱狀通道，就像給每層樓建了專屬的高速電梯，能高效地傳輸信號、指令和電流，大幅增加數(shù)據(jù)吞吐量。而且因?yàn)樗呛虶PU封裝在一起，DRAM離GPU更近，所以芯片尺寸更小、功耗更低，是搭配AI加速卡的天然之選。

正因如此，市面上的高端GPU基本都配備了HBM，英偉達(dá)最新的H100和AMD的MI300X都配備了目前最先進(jìn)的HBM3。英偉達(dá)2024年將發(fā)布的下一代專為AI和HPC專用的高性能顯卡Hopper-Next傳言會搭載目前SK海力士尚未量產(chǎn)的HBM3E。

缺少HBM是目前制約國產(chǎn)GPU表現(xiàn)的一個(gè)重要因素。目前國內(nèi)的華為昇騰系列、寒武紀(jì)的GPU，單卡性能其實(shí)不錯(cuò)，有的甚至優(yōu)于H20，但在用于大模型訓(xùn)練中，尤其是在多卡串聯(lián)時(shí)，因?yàn)镠BM不行，缺乏帶寬，表現(xiàn)就差強(qiáng)人意。這也是為什么美國這次新規(guī)槍口對準(zhǔn)了HBM。

新規(guī)設(shè)置了一個(gè)新的ECCN編碼3A090c來限制HBM，沒有像以前一樣按照制程是多少納米來卡，而是采用了“存儲密度”和“存儲單元面積”雙指標(biāo)。

具體而言，首先是卡HBM芯片的制造，紅線設(shè)定為存儲單元面積小于 0.0019 μm2、存儲密度大于0.288Gb/mm2，這就卡住了制造HBM最核心的堆疊立體封裝工藝。

其次，按照同樣的標(biāo)準(zhǔn)卡HBM芯片的出口。只要是用了上述工藝制造出來的HBM芯片，都不能賣給中國。按這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)不止HBM3，連相對不那么先進(jìn)的HBM2的型號也在管制范圍。

第三，卡HBM的制造、封裝、測試設(shè)備。例如，對HBM很重要的硅通孔 (TSV)，新規(guī)增加了ECCN 3B001.c.4，管制用來制造 TSV 的刻蝕設(shè)備，這些 TSV通過首先刻蝕高縱橫比孔形成的；新規(guī)還增加了ECCN 3B001.c.3，這也是一種刻蝕設(shè)備，用來從晶圓背面去除硅并“顯露”TSV ，好進(jìn)行后續(xù)封裝。

如果HBM是賣給中國等禁運(yùn)國家，或沒法確認(rèn)是軍用還是民用，或是賣給實(shí)體清單上的公司，推定拒絕。如果是賣給中國以外的國家（非D5組禁運(yùn)國家），且內(nèi)存帶寬密度小于3.3Gb/mm2，明確是民用，直接出口到指定的封裝設(shè)施，推定許可。如果HBM的內(nèi)存帶寬密度小于3.3Gb/mm2，直接出口到特定的封裝設(shè)施，并且封裝方確認(rèn)相關(guān)交易并將設(shè)備返回給芯片設(shè)計(jì)公司，那么可以不用申請?jiān)S可（許可例外）。前提是直接出口給封裝廠（不能是和先進(jìn)芯片制造設(shè)施直接關(guān)聯(lián)的封裝廠），不能給分銷商；如果在買賣 HBM 的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)實(shí)際的產(chǎn)品數(shù)量和該有的數(shù)量相比，差別超過了 1%，那賣HBM的公司就得在 60 天內(nèi)告訴BIS。

之所以特別要求直接給封裝廠而不能通過分銷商，并且有數(shù)量核查的報(bào)告要求，應(yīng)該是BIS也看到HBM和定制化的邏輯芯片不同，不是為特定客戶定制的，而是一種標(biāo)準(zhǔn)品，可以通過分銷商銷售，而這給了中國芯片企業(yè)機(jī)會，理論上可以通過設(shè)立多個(gè)馬甲分銷商規(guī)避出口管制。

國產(chǎn)GPU和英偉達(dá)存在差距，但至少還是可以少量生產(chǎn)的。HBM目前則幾乎沒法生產(chǎn)，可能今年會有進(jìn)展，但估計(jì)也只能生產(chǎn)HBM2這種低端型號。

目前先進(jìn)HBM的主要供應(yīng)商是美光、海力士和三星。由于顯而易見的原因，美光不向中國供應(yīng)HBM。海力士產(chǎn)能不夠，優(yōu)先供應(yīng)給英偉達(dá)等大客戶，中國也買不到。現(xiàn)在中國市場使用的H20芯片搭載的是三星的HBM，因?yàn)橛ミ_(dá)還在認(rèn)證，還沒給訂單，而且三星生產(chǎn)的HBM相對低端、性能略遜，還有產(chǎn)能空余可以賣給中國。

因?yàn)槿呛秃Ａκ可a(chǎn)的HBM也用到了美國的技術(shù)，根據(jù)BIS在2022年1007規(guī)則中的高級計(jì)算外國直接產(chǎn)品規(guī)則，三星和海力士如果要賣給中國受控的HBM，也要向BIS申請?jiān)S可。新規(guī)設(shè)定的紅線閾值（存儲單元面積小于 0.0019 μm2、存儲密度大于0.288Gb/mm2）相當(dāng)于HBM2。這樣就意味著現(xiàn)在市面上幾乎所有可用的HBM，中國芯片公司都很難買到了，正在做HBM的長鑫存儲成了國內(nèi)在此領(lǐng)域唯一的希望。

三、新規(guī)是怎么在卡中國公司的同時(shí)，給美國半導(dǎo)體公司繼續(xù)賺中國的錢創(chuàng)造空間的？

過去兩年美國國內(nèi)出現(xiàn)了不少反思芯片出口管制副作用的聲音，其中被反復(fù)提及的一點(diǎn)是這些限制措施導(dǎo)致美國半導(dǎo)體公司因?yàn)槭チ酥袊袌龅臓I收，導(dǎo)致沒有錢投入研發(fā)，傷害了美國公司的競爭力。應(yīng)用材料等美國半導(dǎo)體制造設(shè)備企業(yè)出錢支持CSIS寫報(bào)告痛陳出口管制的collateral effect。美國一些議員也指責(zé)出口管制導(dǎo)致一些美國公司陷入“死亡螺旋”。盡管美國政府沒有明確回應(yīng)這些論點(diǎn)，從新規(guī)仍能看出對這些聲音的回應(yīng)。

中國稍微做得好點(diǎn)的半導(dǎo)體制造設(shè)備公司，幾乎全進(jìn)了實(shí)體清單，而此前普遍被認(rèn)為很可能上清單的長鑫存儲，再次逃過一劫。這里面的原因耐人尋味。

國產(chǎn)半導(dǎo)體制造設(shè)備公司是應(yīng)用材料、泛林、科磊等美國半導(dǎo)體制造同行在中國的競爭對手，也是長鑫存儲這些還沒上實(shí)體清單的芯片廠商的中國供應(yīng)商，打擊這些設(shè)備公司某種程度上也是在幫美國設(shè)備公司撐持住在中國的市場份額。長鑫存儲之所以沒上清單，一方面可能是因?yàn)槠浼夹g(shù)水平和美系廠商差距還比較大，另一方面也是不想美國設(shè)備公司失去這個(gè)大客戶。

同樣，華虹、華潤上華等幾家公司被BIS從可驗(yàn)證用戶清單（VEU）中踢了出來，但也沒有上實(shí)體清單，既是因?yàn)樗鼈儾蛔鱿冗M(jìn)制程芯片，更是因?yàn)檫€想讓美國設(shè)備公司能繼續(xù)賣貨賺錢。

根據(jù)新規(guī)，對HBM的出口管制，只管單獨(dú)的HBM堆棧。如果HBM是和計(jì)算die共同封裝在了一個(gè)GPU和ASIC里，則不受影響。對此，BIS解釋說因?yàn)檫@種情況只需要按照此前的總處理性能和性能密度標(biāo)準(zhǔn)卡GPU就行了。但這個(gè)客觀上的效果是，中國GPU公司因?yàn)槟貌坏紿BM影響自己造國產(chǎn)GPU，英偉達(dá)卻可以繼續(xù)把封裝了受控HBM的H20賣給中國。保護(hù)了英偉達(dá)、打擊了中國GPU競爭對手，如意算盤啪啪響，也不知道只管單獨(dú)HBM堆棧這個(gè)主意是不是英偉達(dá)建議的。

新規(guī)還明確，不是設(shè)計(jì)或市場化用于數(shù)據(jù)中心的芯片，就算是它的技術(shù)參數(shù)符合受控芯片的標(biāo)準(zhǔn)（總處理性能≥4800或性能密度≥1.6），在一些情況下還是可享受NAC/ACA許可例外，這看起來也是為英偉達(dá)量身設(shè)計(jì)的。

四、關(guān)于實(shí)體清單中新增加的腳注5

BIS修改了實(shí)體清單規(guī)則，給一些這次被添加到實(shí)體清單或此前已經(jīng)上了清單的一些實(shí)體加了腳注5，對這些實(shí)體適用外國直接產(chǎn)品規(guī)則。腳注5放進(jìn)去14家中國公司，其中包括此前外媒報(bào)道的華為生態(tài)圈里的三家（鵬芯微、青島芯恩、昇維旭）、六家先進(jìn)半導(dǎo)體制造公司（武漢新芯、福建晉華、中芯北京、中芯南方、中芯北方、ICRD）、三家半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)（張江實(shí)驗(yàn)室、中科院微電子所、上海集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心）。

BIS稱，這些公司協(xié)助中國生產(chǎn)先進(jìn)芯片，支持中國的軍事現(xiàn)代化。不管是美系還是非美系公司，哪怕相關(guān)的產(chǎn)品是在外國制造，但如果：1）需要并入一些設(shè)備或零部件，并且知道這些設(shè)備和零部件是腳注5的公司生產(chǎn)/采購的；2）腳注5公司參與了這些在外國制造的東西的交易；都需要向BIS申請?jiān)S可。

五、對電子設(shè)計(jì)自動化軟件（EDA）的新增管制

新規(guī)增加了ECCN 3D993.a，以管制“生產(chǎn)”和“開發(fā)”ECCN 3B993商品的軟件。段落3D993.b控制為“開發(fā)”或“生產(chǎn)”集成電路使用多重圖案化的“電子計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)”（“ECAD”）軟件。此外，還澄清了對軟件密鑰（也稱為軟件許可證密鑰）的管制規(guī)則，按照與其提供訪問權(quán)限的相應(yīng)“軟件”或硬件相同的ECCN編碼進(jìn)行分類和管控，或者在硬件的情況下，軟件密鑰將被分類到軟件組中的相應(yīng)ECCN下。這一澄清適用于電子計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（ECAD）工具的軟件密鑰。

通過上述規(guī)則，BIS更嚴(yán)格地管制用于先進(jìn)芯片設(shè)計(jì)和fab廠先進(jìn)制造的EDA軟件工具和密鑰。即使以前已經(jīng)買到手的EDA工具，也可能因?yàn)闆]法續(xù)約獲取密鑰而被迫停用。由于芯片設(shè)計(jì)到制造的整個(gè)工序都離不開EDA軟件，上述規(guī)則對國內(nèi)fab廠和一些自研芯片的企業(yè)的影響可能會比較大，值得更細(xì)致地分析和應(yīng)對。

六、對中芯國際的強(qiáng)化管制

新規(guī)對中芯國際系的許多公司修改了許可政策，體現(xiàn)了對中芯國際高度的忌憚，這也應(yīng)該成為中芯國際在中國半導(dǎo)體國產(chǎn)自主進(jìn)程中的勛章。

具體來說，修改了中芯國際集成電路制造（北京）有限公司、中芯南方集成電路制造有限公司和中芯北方集成電路制造（北京）有限公司的許可證審查政策，改成最嚴(yán)格的推定拒絕。修改中芯國際集成電路制造有限公司（目的地為中國）的許可證審查政策，推定拒絕，但對用于生產(chǎn)運(yùn)往200mm生產(chǎn)設(shè)施的200mm晶圓的物品，許可政策是逐案審查。

此外，以中國為目的地的寧波半導(dǎo)體國際公司（NSI）；中芯國際集成電路制造（深圳）有限公司；中芯國際集成電路制造（天津）有限公司；SJ半導(dǎo)體；中芯國際控股有限公司；中芯國際香港國際公司有限公司；中芯國際半導(dǎo)體制造（上海）有限公司，許可證政策也改成推定拒絕，進(jìn)一步限制這些fab廠在中國的半導(dǎo)體制造“設(shè)施”中“開發(fā)”或“生產(chǎn)”先進(jìn)芯片的能力。

結(jié)語

拜登政府在看守政府期間，仍不忘給中國半導(dǎo)體和人工智能產(chǎn)業(yè)給予最后一記重?fù)簦癸@中美圍繞半導(dǎo)體和AI競爭之激烈。毫無疑問，中國半導(dǎo)體國產(chǎn)自主進(jìn)程將因此面臨更大困難，甚至可能也會連帶影響與之密切相關(guān)的AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展。美系廠商必然會全力配合管制規(guī)則，已經(jīng)指望不上，但荷蘭、日本、韓國等非美系廠商仍有可以爭取的空間，我們與相關(guān)國家政府的關(guān)系也在改善和提升，這需要繼續(xù)下去并且有新的進(jìn)展。同時(shí)，國內(nèi)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈上的企業(yè)要更加爭氣，早日實(shí)現(xiàn)對美系廠商的全面替代，緩解因拿不到美系設(shè)備而無法擴(kuò)產(chǎn)先進(jìn)芯片產(chǎn)能的窘境。這都需要更多的決心、智慧與合作，但越是困難的時(shí)候，越不能泄氣，要更加充滿信心。

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