原創：譚小米

1/黃仁勛悲觀預測量子計算，大錯特錯！

1 月 7 日CES 2025。黃仁勛認為，量子計算真正應用要到數十年。其人對量子計算打擊性的悲觀預測，讓美股量子概念集體暴跌。超導量子計算Rigetti Computing 股票跌 45% ，量子計算公司 Quantum Computing 和 D-Wave Quantum 的股價則分別暴跌了 43% 和 36%。

D-Wave 公司 CEO 艾倫?巴拉茲認為，黃仁勛的觀點大錯特錯。

D-Wave 公司已經成功商業化其退火量子計算機，一些公司如萬事達卡和日本 NTT 等已經在使用 D-Wave 的量子計算機，并從中受益，這說明量子計算機的應用已經在當下成為現實,而不是需要等到數十年之后。

谷歌的量子芯片 Willow 在計算時間上展現出極大優勢，能在不到 5 分鐘內完成一項標準計算任務，而當今世界上最快的超級計算機需要花費 “10 的 25 次方” 年才能完成。此外，中國科學技術大學潘建偉院士團隊發布的 “祖沖之三號”，其量子比特數達 105 個，計算能力明顯提升，性能超越谷歌 72 比特 “懸鈴木” 處理器 6 個數量級。

當下量子芯片，的確制造工藝還不夠成熟，存在著諸多技術難題需要攻克。我認為，如果10年攻克不了量子芯片難題，所有量子項目就都放棄了，還用等到數十年嗎？數十年之后，這個時間太長、太可怕了！

在CES 2025 會上，黃仁勛發布了世界上速度最快的芯片RTX 5090，920億個晶體管，速度是RTX 4090的兩倍。就兩倍，也沒有多大進步啊？

各位，看到黃仁勛在 拿著的那個“大盾牌”嗎？那是巨型芯片系統 NVLink72 的模型。真正的產品由72塊Blackwell GPU構成，整體重量達到1.5噸，包含 144 個芯片、130 萬億個晶體管和 2592 個 CPU 核心，配備 14TB 的 576 個 HBM 內存芯片，AI 浮點運算性能高達 1.4 exaflops。

黃仁勛聲稱其算力超過世界上最大、最快的超級計算機。懂的人都知道，NVLink72 就是個系統集成產品，集的芯片越多，算力就越大唄！這種芯片集群技術，華為早就有了。

講到這里，有朋友會問，中國半導體芯片真的不怕制裁了嗎？我的回答是：感謝美國這幾年對中國的辛苦制裁，中國正在進行一場半導體技術革命，當下中國不僅完成傳統半導體全產業鏈國產化布局，并且有可能在新型半導體領域超越美國。

2/可怕華為，半導體早就世界第一

各位，還記得幾年前，任正非說過華為已到了無人區這句話嗎？無人區不僅指華為5G，也指半導體。事實上，華為早在 1991 年就介入半導體研發了，那個時期主要聚焦于程控交換機芯片、光通信芯片等。

黃仁勛曾多次接受媒體采訪時強調，華為在半導體芯片領域的強大競爭力。華為在芯片領域到底有多強大？一句話告訴你，你以為美國怕的是華為5G通訊技術嗎？美國怕的是華為半導體芯片。告訴各位，早在2020年華為設計的手機芯片和AI芯片，就做到了世界第一。

2020年10月22日。各位還記得華為 Mate 40 系列發布會嗎，余承東手持一顆小小的手機芯片麒麟9000，整個發布會，余承東共說了 14 次 “遙遙領先”。2019 年 華為發布了基于自研達芬奇架構的AI芯片昇騰 910 ，支持云邊端全棧全場景應用。也就是說，在2019年—2020年，華為設計出了世界上最強大的AI芯片和手機芯片和。當時手機芯片領先蘋果，AI芯片領先英偉達。

被美國制裁后，臺積電不敢給華為代工了，阿斯麥不敢賣給中國EUV光刻機。華為設計的芯片無法制造。如果不是美國卡住制造端，今天世界上AI算力王者不是英偉達，而是華為。

任正非多次宣稱華為的光量子芯片處于全球領先水平。他這樣評價過，摩爾定律已到達極限，西方標準已破破爛爛、縫縫補補，我們要做自己的新衣服，要有自己的標準。

任正非為什么形容西方標準已破破爛爛、縫縫補補？指西方還在追求幾十年前的“摩爾定律”，力求在更小的芯片上排列更多上千億晶體管，來提高性能。這些在任正非看來，西方傳統半導體技術已黔驢技窮了。

2024 年 10 月 23 日，華為取得 “一種超導芯片” 專利，標志著華為在光芯片和光量子芯片方面取得重大突破。

什么是光量子芯片？光量子芯片指把光技術和量子技術結合在一起的一種雙重技術芯片。什么是華為做新衣服？指華為利用新材料和新技術做的新型半導體芯片。

華為的5G基站使用了大量的光芯片，光通訊技術華為領先全球。同時華為也是量子通訊的重要推動者。6G時代，華為集光技術和量子技術于一體， 華為有可能大量使用光量子芯片，保持通訊技術世界第一。

華為的諾亞方舟實驗室，專注于光電子芯片、光量子芯片的研發。在2020年發布業界首款 400G 和 800G 高速光模塊，突破性性能世界領先。華為在武漢建立的芯片廠主要生產光通信芯片和模塊。

在光量子芯片領域，華為進行了深度研發、廣泛的布局和千億高額投入。華為收購英國集成光子研究中心 CIP Technologies和比利時硅光技術開發商 Caliopa。據公開信息，華為哈勃投資自成立至今已投了94個項目，多為半導體領域企業。

3/瘋狂的中國半導體革命，標志性成果

盡管今天美國仍是第一、二代半導體領導者和控制者。各位相信嗎？第三、第四代半導體，中國成果顯著。不久的將來，中國有望成為第三代、第四代半導體的領導者；成為光芯片、超導量子芯片、光量子芯片的標準制定者。

第一代半導體的原材料是硅。第二半導體的原材料是砷化鎵化合物，兩代半導體基本上是美國和歐洲的成果。起源公司有美國的英特爾和德州儀器。緊隨美國發展起來的歐洲半導體有飛利浦、英飛凌、意法半導體等。

另外，其他國家和地區在第二代半導體領域也取得了顯著的進展。例如，日本在砷化鎵等化合物半導體材料的研發和生產方面也具有很高的水平，韓國的半導體企業在第二代半導體器件的制造和應用方面也崛起了。可以這么說，美、歐、日、韓是第一、第二代半導體的天下。

第三代半導體以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表。我國在碳基芯片領域取得了標志性成果。2024年4月18日，我國宣布研制出世界首顆氮化鎵量子光源芯片，這是芯片行業的一次革命性突破。

早在2020年，中科院上海微系統所就成功研發出8英寸石墨烯單晶圓，因石墨純度不夠，只能小批量生產。今年9月，我國五礦集團宣布攻克了石墨高溫純化關鍵技術，成功開發出純度達到 99.99995% 以上的超高純石墨產品。標志著我國碳基芯片，即將實現大規模量產了。

第四代半導體以氧化鎵材料為代表。我國在第四代半導體方面取得了諸多尖端成果。主要成果有大尺寸單晶生長。中國電科 46 所成功制備出我國首顆 6 英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。

浙大杭州科創中心首次采用新技術路線成功制備 2 英寸的氧化鎵晶圓 。九峰山實驗室突破超寬禁帶半導體產業發展核心問題，實現氧化鎵材料器件首次在 6 和 8 寸中試線下線，實現氧化鎵和硅 / 碳化硅的異質集成，為氧化鎵器件量產提供工藝解決方案。

我國DSP芯片非常強大，就是號稱大腦的數字信號處理器。我國電科集團的“魂芯二號 A ”與美國 ADI 公司主流同類產品 TS201 相比，性能達到其 6-8 倍。在雷達、衛星、戰斗機、潛艇、電子對抗機產品上應用非常出色。

美國把中國雷達、北斗衛星技術歸類為最高級別“高風險”技術，我國在雷達芯片、北斗芯片、DSP芯片上使用了新型半導體新材料，性能超強。比如，我國電科集團在一種雷達芯片中添加了氮化鎵和鋁后，該芯片的雷達信號性能是普通雷達的100 倍。

北斗芯片在太空工作，在太陽照射下的衛星表面溫度可高達 100℃以上；背陰面的溫度可低至 -100℃以下。太空高輻射、極高溫、極低溫的工作環境，極易造成衛星、航天器元器件的損壞。

我國開發的碳化硅、碳納米管、氮化鎵（GaN）等新型半導體材料，突破了抗輻射、耐極高溫、極低溫等的世界性技術難題。其中一種由中南大學范景蓮教授團隊研發的新型耐高溫材料，可承受 3000℃的高溫。中國科學技術大學俞書宏院士研究團隊研制石墨碳納米纖維氣凝膠材料，可在零下 100 攝氏度到零上 500 攝氏度極端環境下正常工作。

總之，中國在美國360度無死角極端打壓下，國產芯片產業鏈全棧式國產化了。美國無需費心制裁了，再列實體名單，真就是個笑話了。

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