3月12日，CFMS｜MemoryS 2025大會于深圳寶安前海/JW萬豪酒店盛大開幕。本次行業盛會以“存儲格局、價值重塑”為主題，吸引到來自全球數十家存儲領域的領先企業、品牌的參與。眼下，受到國際市場劇烈變動，存儲需求變化等方面的影響，整個行業都受到了前所未有的挑戰。然而在本次的存儲峰會中，頭部企業仍堅持以新技術，新產品打開局面。可見，能夠為用戶創造更大的價值，并積極推動產業升級的企業，才能化危機為時機。

閃迪

這幾年，AI應用的需求日盛，相應的行業解決方案層出不窮，這也對企業級存儲產品或設備提出了新的要求。在本次MemoryS 2025大會上，閃迪（SANDISK）給我們帶來了全新的UFS 4.1存儲解決方案——iNAND MC EU711嵌入式閃存驅動器。這款產品將于今年（2025）4月上市，符合JEDEC（固態技術協會，全球微電子行業標準領導機構）規范。這款產品優勢頗多，首先它基于BiCS6架構的162層3D TLC NAND閃存（堆疊層數業內領先），最高容量1TB；其順序讀取速度可達4000MB/s，寫入則達到了3000MB/s。不僅如此，它的功耗也大幅降低。

性能有保證，那么iNAND MC EU711的安全性，穩定性如何呢？閃迪針對企業用戶的需要，為其提供了Advanced RPMB隱私加密功能；增強了熱能效管理和保護，既要性能優秀更要溫度可控；文件管理方面，支持多種碎片管理技術。綜上這些技術的應用，使得這款新品可為用戶提供穩定持久的工作環境。

江波龍

近幾年，江波龍在半導體，特別是存儲領域的發展有目共睹。我們可能更熟悉的是其旗下雷克沙的存儲產品。而事實上，江波龍不斷增強自主研發實力，從eMMC主控、SD主控，到最新的UFS主控和USB主控，已經完成了核心IP自主設計。一方面，江波龍可為用戶提供客制化產品和解決方案；另一方面，自主可控也為品牌自身創立了寬廣的護城河，在市場變動的時候能更靈活調配資源，隨機而動，推出更合適的產品。

針對全新的UFS 4.1規范，江波龍推出了WM7400自研主控。它可支持TLC和QLC等NAND Flash，最高讀取速度可達4300MB/s，容量可達2TB。該產品可應用于廣泛的行業中，特別是針對AI的應用市場。當然，它也可以用于移動終端、智能汽車，機器人等領域。今年內即將推出的新品手機，平板，新能源汽車，就很有可能采用了江波龍的存儲解決方案。

雷克沙

近期，小E體驗了來自雷克沙的“純金屬”SD卡，這款“摔不爛，泡不壞，速度快”的存儲卡將是野生，生態，運動攝影師的好助力。而在本次閃存峰會上，雷克沙展出了更多使用江波龍自研主控的存儲新品。其中，搭載江波龍WM3000主控的雷克沙NFC加密移動固態硬盤，就吸引到不少現場攝影師駐足了解。

在我們的視頻拍攝流程中，經常會使用PSSD進行素材的流轉、備份和暫存。因為出差丟失PSSD，因為拍攝現場人員混雜等原因，PSSD中的數據安全其實很難保證。一來這些產品少有加密，二來傳統加密手法也比較麻煩，簡答來說不好用。而雷克沙這款新品采用支付寶碰一碰同級的安全系統和便捷輕松的使用方式。通過如今各個手機幾乎都支持的NFC技術，一碰“秒開”（解鎖認證）。當手機與硬盤“斷聯”后，該PSSD就立刻進入隱藏模式，外人無法獲得哪怕1bit的數據。這樣，即便不慎丟失或別人拿走，也不用擔心隱私和文件安全。

鎧俠

2月，鎧俠在舊金山舉辦的國際固態電路會議上，鎧俠發布了下一代（第十代）3D閃存技術。它將NAND的接口速度直接提升至4.8Gb/s。該產品的3D堆疊層數可高達332，位密度提升59%。不僅如此，它的輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%。采用該技術的生產的SSD將為AI，企業級存儲的發展推向新的高度。同時，采用第九代3D閃存技術的產品也將很快與我們見面。

以此為背景，在3月12日的閃存峰會上，鎧俠技術執行官柳茂知先生（Shigenori Yanagi）以《后AI時代下的SSD市場愿景與關鍵技術》 為主題進行了演講。他不僅展示了鎧俠在閃存領域的領先技術、前瞻性理念，更向所有與會人員展現了3D NAND技術的美好前景。

鎧俠同樣在閃存峰會上展示了諸多新品、主流產品。其中包括面向數據中心的混合用途SSD——CD8P系列，它支持PCIe 5.0規范，接口速度可達128GT/s，并兼顧了使用成本與性能需要。全新的鎧俠XD8系列，專為超大規模數據中心服務器或存儲系統而設計，它基于EDSFF規范（下一代企業級存儲產品形態及技術規格）進行設計，可視作“未來已來”的存儲解決方案。以及鎧俠基于第八代BiCS FLASH QLC技術推出的存儲產品，它將為行業用戶帶來更為穩定，耐久的工作能力；同時采購，使用和維護成本更低。

長江存儲

閃存峰會2025前后，長江存儲的喜訊不斷。大會中，長江存儲首次展示了基于晶棧（Xtacking）4.0 TLC技術的新品X4-9060，其I/O速度可達3600MT/s，密度提升48%，單顆粒容量可達512Gb。晶棧4.0 QLC新品則為X4-6080，密度提升42%，單顆粒容量可達2Tb，I/O速度提升50%以上，吞吐量提升147%。針對個人用戶，長江存儲的新品可支持單條容量最大8TB，PCIe 4.0幾乎滿速讀寫性能，同時功耗更低；PCIe 5.0版本的讀寫更是高

達14000/12000MB/s。

三星

三星電子軟件開發團隊執行副總裁吳文旭（Moonwook Oh）先生在現場，為大家帶來“人工智能浪潮：重塑存儲與內存的新需求格局”主題演講，深度剖析了先進存儲技術對于推動AI加速部署的重要性。同時，三星也在現場展示了16通用PCIe 5.0 SSD——PMI1753，它被譽為“當前三星最快的SSD”，專為AI應用提供支持。三星CMM-H基于PCIe 5.0的CXL接口，采用CXL DRAM于NAND混合解決方案。以及采用TSV技術的海量DIMM內存，最高可達256GB。

三星在之前展示了即將發售的第十代V-NAND閃存，總層數可能達到420層左右，接口速度快至5.6Gb/s。而該產品將應用長江存儲的芯片技術，可謂是強強聯合，令人矚目。

縱觀本次閃存峰會，無論市場壓力多大，競爭多么激烈，來自于源頭廠商的熱情卻絲毫不減。從個人電子消費品，到企業級數據中心，各類存儲新品或解決方案層出不窮。無論國內外存儲品牌，都首先在技術上“一爭高下”，紛紛推出自主研發的新品，或應用了新技術的解決方案。這讓我們對未來的存儲市場充滿信心，也對基于各類新技術而構建的智能化應用，AI工具，數字化賦能充滿期待。