前言

在全球功率半導體產業加速向第三代材料氮化鎵遷移的態勢中，無不時刻上演一場技術與資本的雙重爭奪戰。近年來，功率半導體賽道呈現出前所未有的活躍態勢。為助力各位讀者朋友了解最近功率半導體行業動態，充電頭網整理了2025年4月期間多家企業推出的新品，下文小編將為您詳細介紹。

4月功率半導體行業新品匯總

以下排序不分先后，按品牌首字母順序排列。

AOS萬國

全新Mega IPM-7系列智能電源模塊

萬國推出Mega IPM7系列智能電源模塊，此系列產品具備高效、緊湊、耐用等顯著特性，并專為基于無刷直流（BLDC）電機驅動的設計進行了優化，可適用于空調、冰箱、洗碗機、電動工具等家電應用領域。

Mega IPM7系列電源模塊耐壓600V，采用緊湊型18×7.5mm封裝，集成HVIC柵極驅動器以及自舉電路，內置DBC技術以及過溫保護和監控功能，可用于電機驅動的三相RC-IGBT逆變器拓撲。

GaNext鎵未來

鎵未來攜三款Power GaN新產品亮相2025慕尼黑上海電子展

鎵未來于2025年4月15日亮相慕尼黑上海電子展，并帶來GaNFusion Power IC、調速GaN分立器件、Bi-Directional GaN三款創新性產品。

首先是GaNFusion Power IC，GNZ771x系列將700V GaN與柵極驅動IC集成在TO-252封裝中；GNZ671x則將700V GaN與柵極驅動IC集成在QFN6x8封裝中。兩者為低成本、高效率功率IC集成方案，非常適合各類高功率密度適配器場景應用。

其次是調速GaN分立器件，該系列是一種可調開通速度且不會增加開通延時的器件，在不鄭家額外開通損耗的前提下，抑制SR MOSFET應力，具備外置調速（DFN8x8 ）和固定調速（TO-252 ）兩種封裝可選，非常適合高頻高性能快充電源應用。

最后是Bi-Directional GaN，該系列器件為混合型常閉雙向氮化鎵場效應晶體管，采用表貼型封裝，在散熱效率、裝配效率以及EMI噪聲方面更優，在實際應用用單顆Bi-Directional GaN可取代四顆Si MOS，可大幅降低設計制造成本。

Infineon英飛凌

英飛凌發布工業級低壓氮化鎵，100V耐壓，PQFN封裝

2025年4月22日，英飛凌宣布推出Cool GaN G5中壓晶體管，這是全球首款集成肖特基二極管的工業用氮化鎵（GaN）功率晶體管。

英飛凌的Cool GaN G5晶體管集成肖特基二極管，能有效解決這些問題，適用于服務器、電信中間總線轉換器、DC-DC轉換器、USB-C電池充電器同步整流器、高功率電源和電機驅動等場景。該產品能提升功率系統性能，減少不必要死區損耗，提高系統效率，簡化功率級設計，降低用料成本。

1、英飛凌發布工業級低壓氮化鎵，100V耐壓，PQFN封裝

MITSUBISHI ELECTRIC三菱電機

三菱電機推出兩款新型SLIMDIP系列功率半導體模塊

4月22 日，三菱電機株式會社推出兩款新型SLIMDIP系列功率半導體模塊樣品PSF15SG1G6（全碳化硅）和PSH15SG1G6（混合碳化硅），兩款模塊是SLIMDIP系列首款SiC版本，集成新 SiC MOSFET芯片，優化封裝設計，較硅基組件功率損耗大幅降低，前者降 79%，后者降 47%，節能效果顯著，適用于多容量家電。

三菱電機碳化硅技術積累深厚，2010年起不斷將SiC技術應用于空調、地鐵逆變系統等領域。此次新品豐富SLIMDIP系列技術矩陣，為家電能效升級添助力。

Navitas納微

納微半導體推出全新SiCPAK功率模塊，為卓越可靠性與高效耐高溫性能樹立行業新標桿

4月17日，納微半導體推出最新SiCPAK?功率模塊，該模塊采用環氧樹脂灌封技術及納微獨家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術，經過嚴格設計和驗證，適用于最嚴苛的高功率環境，重點確保可靠性與耐高溫性能。

目標市場包括電動汽車直流快充（DCFC）、工業電機驅動、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器與功率優化器、儲能系統（ESS）、工業焊接及感應加熱。

PI帕沃英蒂格盛

TinySwitch不再“Tiny”——更大，更高，更強

PI最近發布TinySwitch-5，將廣受歡迎的集成離線式開關IC的輸出功率擴展至175W，新款TinySwitch-5采用簡單的二極管整流和光耦器反饋，效率高達92%，為高效電源設計帶來了更多選擇。

TinySwitch-5獨特的控制引擎可根據負載動態調整開關頻率與功率輸出，確保全負載段效率穩定。以24V/5A輸出設計為例，從10%到100%負載范圍，其效率曲線近乎平直，徹底顛覆傳統電源“輕載低效”的固有認知。

TI德州儀器

單芯片高集成，內置6顆GaN，TI為高速吹風機推出氮化鎵功率模塊

TI DRV7308模塊集成了650V增強型氮化鎵，具備205mΩ的低導通電阻，能夠在高達450V的工作電壓下提供5A的峰值電流；具備低導通損耗和低開關損耗特性，使得在20kHz開關頻率下運行的250W電機驅動應用可實現99%以上的效率，且無需散熱器。此外，該模塊還具備<135n超低傳播延遲和<200ns自適應死區時間，可有效降低失真，實現靜音運行。

DRV7308氮化鎵功率模塊適用于多種應用場景，包括家用電器如冰箱、空調、洗碗機和油煙機等，以及工業領域的HVAC泵和風扇等。其具有良好的散熱性能和緊湊的尺寸，便于在有限的空間內實現高效驅動。

1、單芯片高集成，內置6顆GaN，TI為高速吹風機推出氮化鎵功率模塊

以上便是本次功率器件半導體行業事件速遞的全部內容，如您需要持續了解功率器件新品，您可以關注充電頭網，我們將會持續為您整理業界最新動向。

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