- 四款新設備提升工業設備的能效與功率密度 -

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下簡稱“Toshiba”）推出了四款650V碳化硅 (SiC) MOSFET，搭載其新款[1]第3代SiC MOSFET芯片，采用緊湊型DFN8x8封裝，適用于開關電源和光伏發電調節器等工業設備。這四款設備“TW031V65C”、 “TW054V65C”、“TW092V65C“和“TW123V65C”即日起批量出貨。

這款新品是首批采用小型貼片DFN8x8封裝的第3代SiC MOSFET，與TO-247和TO-247-4L(X)等傳統的引線封裝相比，體積縮小超過90%，顯著提升了設備的功率密度。貼片封裝還能使用比引線封裝更小的寄生阻抗[2]元件，從而降低開關損耗。DFN8x8采用4引腳[3]封裝，支持對門極驅動信號源端進行Kelvin連接，有效減少封裝內源極線的電感影響，實現高速開關性能；以型號TW054V65C為例，其開啟損耗降低約55%，關斷損耗降低約25%[4]，相比Toshiba現有產品[5]，有助于減少設備的功率損耗。

Toshiba將持續擴展其產品陣容，助力提升設備能效并增強功率處理能力。

注釋：
[1] 截至2025年5月。
[2] 電阻、電感等。
[3] 信號源引腳靠近FET芯片連接的產品。
[4] 截至2025年5月，數值由Toshiba測量。詳情請參閱Toshiba網站上此版本中的圖1。
[5] 采用TO-247封裝（無Kelvin連接）的650V第3代SiC MOSFET，等效電壓和導通電阻。

應用領域

• 服務器、數據中心、通信設備等的開關電源
• 電動汽車充電站
• 光伏逆變器
• 不間斷電源

特點

• 采用DFN8x8貼片封裝，有助于設備小型化及自動化組裝，具備低開關損耗特性。
• 搭載Toshiba第3代SiC MOSFET
• 通過優化漂移區電阻與溝道電阻比例，實現良好的漏源導通電阻溫度特性
• 漏源導通電阻與柵漏電荷乘積較低
• 低二極管正向電壓：VDSF=-1.35V(典型) (VGS=-5V)

主要規格

（除非另有說明，Ta=25℃）

產品型號

TW031V65C

TW054V65C

TW092V65C

TW123V65C

封裝

名稱

DFN8x8

尺寸（毫米）：

典型

8.0×8.0×0.85

絕對最大額定值

漏源電壓 VDSS(V)

650

柵源電壓 VGSS(V)

-10 至 25

漏極電流 (DC) ID(A)

Tc=25°C

53

36

27

18

電氣特性

漏源導通電阻 RDS(ON)(mΩ)

VGS=18V

典型

31

54

92

123

柵極閾值電壓 Vth(V)

VDS=10V

3.0 至 5.0

總柵極電荷 Qg(nC)

VGS=18V

典型

65

41

28

21

柵漏電荷 Qgd(nC)

VGS=18V

典型

10

6.2

3.9

2.3

輸入電容 Ciss(pF)

VDS=400V

典型

2288

1362

873

600

二極管正向壓降 VDSF(V)

VGS=-5V

典型

樣品檢查及供應情況

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Toshiba：650V第3代SiC MOSFET，采用DFN8x8封裝