本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

集邦咨詢預計Q2 DRAM各主要應用合約價將止跌回升。

根據TrendForce集邦咨詢最新調查，2025年第一季由于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價下跌，加上HBM出貨規模收斂，DRAM產業營收為270.1億美元，季減5.5%。在平均銷售單價方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e產品設計，HBM產能排擠效應減弱，促使下游業者去化庫存，導致多數產品合約價延續2024年第四季以來的跌勢。

展望2025年第二季，隨著PC OEM和智能手機業者陸續完成庫存去化，并積極生產整機，將帶動位元采購動能升溫，原廠出貨位元顯著季增。價格方面，預期各主要應用的合約價皆將止跌回升，預估一般型DRAM合約價，以及一般型DRAM和HBM合并的整體合約價均將上漲。

具體來看，SK海力士排名上升至第一名。SK海力士表示：“第一季度，受人工智能開發競爭加劇和庫存補充需求等影響，存儲器市場情況改善速度顯著快于預期。順應這一趨勢，公司擴大了12層HBM3E、DDR5等高附加值產品的銷售。”

其針對HBM需求，因其產品特性，通常需要提前一年與客戶進行供應量協商。預計今年該產品將持續保持同比增長約一倍。因此，12層HBM3E的銷售將穩步增長，預計在第二季度其銷售將占整個HBM3E比重的一半以上。

此外，從今年第一季度開始，公司向部分PC領域客戶供應了面向人工智能PC的高性能存儲器模塊LPCAMM2。同時，公司也計劃與客戶緊密合作，在需求正式啟動時，及時供應面向人工智能服務器的低功耗DRAM模塊SOCAMM。

三星排名下滑至第二名，這主要是受HBM3e改版大幅降低高單價產品出貨量等影響，營收季減幅度超過19%，為91億美元。三星電子正加速推進其12層HBM3E（高帶寬內存）產品通過英偉達的品質驗證測試，目標在2025年7月至8月完成認證。這一進展被視為三星在AI算力芯片供應鏈競爭中搶占先機的關鍵一步，但技術挑戰與市場格局的復雜性仍為其前景蒙上陰影。

根據行業知情人士透露，三星12層HBM3E產品已基本通過英偉達的“單芯片認證”，即對單個DRAM芯片性能的評估。然而，HBM3E的最終認證需通過“成品認證”，即對堆疊后的成品進行性能與可靠性測試。此前，三星的8層HBM3E產品曾兩次通過單芯片認證，但均因速度與功耗未達英偉達標準而未能通過成品認證。

此次，三星針對12層HBM3E進行了多項技術改進，包括優化第四代10納米級（1a）DRAM的結構設計以提升速度，并組建超百人專項團隊提升良率。但業內人士指出，HBM3E的成品認證難度遠高于單芯片認證，需在堆疊層數、散熱性能、信號完整性等多維度滿足英偉達的嚴苛要求。

第三名的Micron（美光科技）第一季HBM3e出貨規模擴大，即便售價微幅季減，營收仍達65.8億美元，季增2.7%。去年9月，美光宣布推出12層堆疊的HBM3E，擁有36GB容量，面向用于人工智能（AI）和高性能計算（HPC）工作負載。到了今年2月，美光開始批量生產12層堆疊HBM3E，首先供應給英偉達。雖然美光的HBM3E比起SK海力士來得要晚一些，但是上市銷售的推進速度非常快。美光表示全球人工智能市場的蓬勃發展大大提升了對其HBM芯片的需求，將繼續擴大HBM產能和市場份額，以便在2025年實現連續增長。同時美光還確認，2025年的HBM產能已經售罄。

為此美光在12層堆疊HBM3E上押下了重注，預計最快在8月出貨量超過8層堆疊HBM3E，目標第三季度末達到穩定的良品率水平。與此同時，美光還加快了HBM4的步伐，預計2026年初進入量產階段，緊隨SK海力士2025年末，雙方都將給英偉達B300等計算卡提供動力。

第四、第五、第六名分別為南亞科、華邦電子和力積電。其中南亞科的特定DDR5產品啟動出貨，抵銷了Consumer DRAM市況低迷的效應，營收為2.19億美元，季增7.5%。華邦電子第一季高容量、平均位元售價較低的LPDDR4和DDR4產品放量出貨，帶動整體出貨量大幅成長，但售價下跌，營收為1.46億美元，季增22.7%。

力積電營收計算以自家生產的Consumer DRAM為主，因為投片規模萎縮，營收季減1.4%，為1,100萬美元。若加計DRAM代工業務，由于代工客戶采購動能放緩，營收季減13%。

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