6月17日消息，據韓國媒體ZDnet Korea 報導，面臨復雜的內外部挑戰，三星目前正就其下一代430層堆疊的V10 NAND Flash 的量產策略進行深度審慎評價，原預計于2025年下半年啟動，現在則可能推遲到2026年上半年才能進行大規模的量產投資。至于延宕的主因，包括高堆疊層數NAND Flash 需求的市場不確定性、引進新技術所伴隨的龐大成本壓力，以及新制程技術實際應用上的困難。

報道稱，V10 NAND Flash 是三星在儲存技術領域的最新里程碑，其設計核心在于采用了約430層堆疊的儲存單元（Cell），這比目前市面上三星最先進的V9 NAND（預估約290層堆疊）高出了超過100層。

業界之前普遍預期，三星電子有望在2025年下半年便啟動V10 NAND Flash 的量產投資。然而，截至本月，三星電子仍未能敲定V10 NAND Flash 所需的蝕刻等關鍵制程設備的供應鏈。這主要歸因于高堆疊層數的NAND Flash 產品的市場需求存在不確定性，以及導入全新制程技術所衍生的成本效益問題，這些因素都嚴重阻礙了投資的步伐。

據了解，蝕刻制程的技術挑戰是導致量產延宕的核心問題之一，蝕刻是指在半導體晶圓上精確移除不必要的材料的關鍵步驟。通常為了在晶圓上建立出更深的信道孔（Channel Hole），蝕刻需要在攝氏零下20至零下30度的低溫環境中進行。然而，對于V10 NAND，業界原預期將需要更為嚴苛的極低溫環境，即攝氏零下60至零下70度。極低的溫度有助于降低化學反應的活性，進一步使蝕刻過程即使在沒有保護層的情況下，也能達成極高的精確度。

三星從主要半導體前段制程設備供應商，包括美國的Lam Research和日本的TEL，引進了極低溫蝕刻設備，并進行了試生產及質量評價。然而，實際的評價結果顯示，將這種極低溫蝕刻技術直接應用于大規模量產存在顯著困難，這已成為業界普遍的結論。因此，三星電子目前正與Lam Research 和TEL 合作，發展調整蝕刻溫度至稍高的程度，并重新進行設備評價的方案。

這項針對蝕刻及相關設備的額外評價預計將于2025年下半年展開。考察到評價所需的時程，供應鏈的最終確立，以及實際的量產投資，最早可能也要等到2026年第一季才能達成。除了技術上的挑戰，新設備的導入也意味著更高的初期投資成本，這亦是三星電子延后V10 NAND 量產投資的另一主要考察因素。

編輯：芯智訊-林子