其實國產光刻機不光是我們在關注，老外更是天天盯著我們看。

據美國科技媒體 WccFTech 在今年3月份的報道，中國自主研發的極紫外光（EUV） 光刻機預計將在 2025 年第三季度邁入試生產階段，而且將會采用一種可以提供更簡單、更高效設計的方法，到那時SMIC 和華為將受益匪淺！

大家都知道，EUV光刻機是目前全球半導體制造的“皇冠明珠”，它是實現7納米及以下先進制程芯片的關鍵設備，其技術難度極高，長期以來被荷蘭的 ASML 公司近乎壟斷。所以，如果中國真能在 2025 年第三季度讓自主研發的 EUV 光刻機進入試生產，那無疑是半導體領域的重大里程碑。

那現在距離第三季度沒剩多久了，這個目標實現得怎么樣了呢？中國真的快實現國產EUV光刻機的試產了嗎？

ASML 公司的EUV 機器

首先，國產EUV光刻機的核心難點在于光源技術。

傳統ASML的EUV光刻機采用的是激光誘導等離子體（LPP）技術，使用高功率二氧化碳激光激發錫蒸氣產生13.5納米波長的極紫外光。

該技術復雜且成本極高，且相關關鍵設備長期受制于美國技術出口限制。

于是中國科學院上海光學精密機械研究所林楠團隊果斷另辟蹊徑——固體激光器驅動的激光放電等離子體（LDP）技術。這種技術通過高壓放電電極間的錫蒸氣電離產生極紫外光，設計更為簡化，體積更小，功耗也更低，制造成本相對較低。

只不過，從無到有是相當困難的，LDP技術雖然聽起來很牛，但真做起來可就太難了！

從現有的資料來看，LDP起碼從2008年的時候就已經開始了，十幾二十多年過去了才有如今的局面。

根據2025年4月底至6月的多家權威媒體報道，林楠團隊的LDP-EUV光源轉換效率已達到3.42%，良率達到70%，每小時處理晶圓產能達到250片，甚至超過了同級別的ASML設備（195片/小時）。

這一數據來自華為聯合國內產業鏈在廣東東莞工廠的實際測試，這組數據意味著——國產光源技術已逼近國際先進水平。

此外，上海光機所的相關研究論文已在2025年3月公開發表，獲得了學術界的高度認可。

林楠

然而，光源只是EUV光刻機的核心組成部分之一。

高精度光學系統、超凈真空環境、光學多層反射鏡的制造和系統集成等技術依然是極高難度的“卡脖子”環節。德國蔡司公司在超精密多層反射鏡領域仍處于領先地位，這對國產設備的整體性能和穩定性提出了極大挑戰。

ASML高管也在2025年第一季度財報電話會上表示，雖然聽聞中國在EUV替代技術方面有所進展，但要真正制造出成熟的先進EUV光刻機，仍需要很多年時間。

所以，綜合來看，形勢并沒有很樂觀

2025年第三季度國產EUV光刻機進入試生產階段，是基于現有技術突破和產業準備的合理預期，尤其在光源效率和晶圓產能方面已取得顯著進展。但從整體系統成熟度和穩定性角度，仍需克服光學元件制造、設備集成、良率控制等多方面挑戰。

換句話說，試產啟動意味著中國在EUV技術上邁出了關鍵一步，但距離全面替代進口、實現大規模量產還有一段路要走。第三季度能試生產，但是要穩定產能恐怕還得加把勁，但幸運的是，我們現在還有時間，等得起。