近日，部分自媒體宣稱“殲-20換裝碳化硅雷達(dá)，探測距離達(dá)1000公里”，引發(fā)廣泛討論。經(jīng)技術(shù)溯源與業(yè)內(nèi)核實，該說法存在嚴(yán)重事實偏差，核心問題集中于兩點：碳化硅的真實作用與探測距離的夸大解讀。

誤區(qū)一：碳化硅并非雷達(dá)T/R組件，僅為基底材料。

網(wǎng)傳所謂“碳化硅雷達(dá)”實為概念混淆。現(xiàn)代機載有源相控陣?yán)走_(dá)的核心射頻單元是 T/R組件（收發(fā)組件），其材料直接決定雷達(dá)性能。當(dāng)前主流技術(shù)路徑為：

第二代半導(dǎo)體：砷化鎵（早期殲-20使用）

第三代半導(dǎo)體：氮化鎵（現(xiàn)役殲-20升級方向），再下一代發(fā)展方向是氧化鎵，而不是碳化硅。

碳化硅的角色：僅作為氮化鎵芯片升電路耐壓與散熱能力，或者就是基底材料，而非核心發(fā)射單元，未來散熱功能的發(fā)展方向是金鋼石。

氮化鎵與碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，性能接近（擊穿電場均約3MV/cm），并無代差優(yōu)勢。

真正代表技術(shù)突破的是 第四代半導(dǎo)體氧化鎵（擊穿電場可達(dá)8MV/cm），其雷達(dá)應(yīng)用尚在中國處于測試階段。

將使用碳化硅開關(guān)的雷達(dá)稱為“碳化硅雷達(dá)”，如同將裝有鋰電池的手機宣稱為“鋰電手機”——忽略了核心處理器與芯片的存在。

誤區(qū)二：1000公里探測距離缺乏物理基礎(chǔ)，合理探測范圍應(yīng)為400以上公里。

根據(jù)雷達(dá)所公開數(shù)據(jù)及電磁波衰減模型：假設(shè)殲-20早期砷化鎵雷達(dá)探測距離約270公里。升級氮化鎵后，因功率與效率提升，探測距離增幅約50%-100%，即 400-500公里區(qū)間。未來換裝氧化鎵雷達(dá)的殲-35/殲-20改型，因孔徑更大、材料升級，理論極限約 800公里。

“千公里說”來源的誤讀，該數(shù)據(jù)源自對山東大學(xué)某論文的曲解：文中提及碳化硅襯底使雷達(dá) 探測范圍（面積）擴(kuò)大至3倍，卻被誤讀為 探測距離提升3倍。

關(guān)鍵換算：探測面積擴(kuò)大3倍 → 探測距離僅增長√3≈1.7倍（以原距離300公里計，僅增至500公里）。

若強行按“3倍距離”計算（需功率提升27倍），需顛覆現(xiàn)有物理規(guī)律，遠(yuǎn)超當(dāng)前材料技術(shù)極限。

為何碳化硅被誤作“黑科技”？

部分觀點混淆了擊穿電場性能的參照系：

碳化硅擊穿電場為硅的10倍，但氮化鎵已達(dá)同級水平。夸大表述如“碳化硅性能超氮化鎵10倍”，實為偷換概念。

未來方向：氧化鎵與金剛石襯底。

可以預(yù)料下一代雷達(dá)的真正突破在于：氧化鎵T/R組件：提升功率密度，縮短與理論探測極限的距離。

金剛石襯底：替代碳化硅，解決高頻散熱瓶頸，目前處于實驗室階段，或者是成本太高。

殲-20的雷達(dá)升級遵循客觀技術(shù)規(guī)律：從砷化鎵到氮化鎵，未來邁向氧化鎵。碳化硅作為開關(guān)關(guān)鍵材料 和優(yōu)質(zhì)襯底確有貢獻(xiàn)，但將其冠名為“雷達(dá)技術(shù)革命”并衍生出千公里探測神話，既不符合材料科學(xué)原理，也脫離工程實際。真正的“代際跨越”，永遠(yuǎn)建立在嚴(yán)謹(jǐn)?shù)c可驗證數(shù)據(jù)之上。