2024年12月2日，美國商務部工業和安全局（BIS）公布了一系列半導體管制新規，全方位限制中國獲取先進半導體及各類終端應用產品。主要措施包括：修訂《出口管理條例》（EAR）中對先進計算項目、超級計算機和半導體制造設備的管制規則；在“實體清單”新增中多家中國機構；對經認證終端用戶（VEU）的修改。

本文將對新規主要內容進行詳細解讀，并分析新規的管制思路及影響。

一、新規主要內容

管制新規的核心內容主要包括以下五個方面：

（一）新增兩項外國直接產品（FDP）規則

一項是半導體制造設備FDP，管控對象是與先進節點集成電路生產相關的半導體制造設備，管控范圍涵蓋使用美國任何技術直接或間接生產的關鍵產品，這些產品需要持有EAR的許可證方可出口至敏感國家或地區（包括中國）；另一項是FN5 FDP，管控對象是“實體清單”中具有FN5標記的機構，這些機構被認為具有生產先進芯片的潛力。對被標記的機構實施FDP新規，旨在防止這些機構通過全球網絡實施先進半導體相關的“產品和技術中轉”。

（二）新增高帶寬內存（HBM）管制規則

根據新規，存儲帶寬密度超過每平方毫米2GB/s的內存芯片將受到管制。目前主流HBM3芯片的存儲帶寬密度是每平方毫米16GB/s，2013年發布的首代HBM1的存儲帶寬密度也超過每平方毫米2GB/s，這代表市場上能獲取的主流HBM芯片均在管制范圍內。美國商務部同時對先進動態隨機存取存儲器（DRAM）實施更嚴格的管控規定，將先進DRAM的管控技術標準，從“≤18納米半間距”，更新為“存儲密度＞0.288Gbit/mm2”或“存儲單元面積＜0.0019μm2”[1]。

（三）擴大半導體制造設備管制范圍

美國商務部針對半導體制造設備，新增了多項管制物項（見表1），覆蓋光刻、離子注入、沉積、蝕刻、退火，以及晶圓清洗、計量和檢測等制造環節的多種關鍵設備，管制的深度和范圍進一步擴大。

表1 美國BIS新增半導體設備管制范圍

資料來源：商務部工業與安全局《美國聯邦法規》第15卷

（四）更新“實體清單”和“經認證終端用戶”

本次共有136家中國機構被列入美國“實體清單”（詳見附表一），主要集中于半導體制造設備、關鍵材料和存儲芯片等。同時，美國商務部對中芯國際、鵬芯微、武漢新芯等14家中國機構添加FN5標記。此外，4家與中國半導體企業相關聯的海外公司也被列入“實體清單”。其中，Kingsemi Japan是中國芯源微在日本的全資子公司，新加坡Skyverse Pte、韓國的ACM Research Korea和Empyrean Korea分別是中科飛測、盛美和華大九天的關聯公司。除此之外，美國商務部還將3家中國企業（中微、華虹和華潤微電子）從“經認證終端用戶”（VEU）“白名單”中移除。VEU是美國商務部設立的一項授權機制，允許經過認證的企業無需單獨申請許可即可接收特定的受管控商品、軟件或技術。

表2 添加FN5標記的14家中國機構

（五）新增對軟件密鑰的管控要求

新規明確，軟件密鑰（也稱為軟件許可證密鑰）與其所支持訪問的軟件或硬件面臨相同的出口管控。軟件密鑰同樣需要申請適用于軟件或硬件的出口、再出口或境內轉讓的許可證，這對已出口的部分軟硬件產品同樣設下了“定時炸彈”。

二、新規的管制思路及影響

美國商務部在本次新規中綜合采用了多種措施，從產業垂直和全球網絡兩個縱橫交錯的維度，限制中國獲取先進半導體的路徑。

第一，新規進一步擴大了對半導體關鍵設備、產品及關鍵部件的管制范圍，限制中國企業獲得關鍵半導體制造設備，尤其是對先進制程技術的獲取。

第二，新增兩項FDP規則和擴大“實體清單”范圍，限制更多中國機構通過各種間接渠道（非美國家）獲取采用美國技術生產的先進半導體技術及產品，多措并舉切斷中國半導體關鍵供應鏈。

第三，針對高性能芯片出口制定嚴格管制標準，減少美國技術外溢的同時阻礙中國AI領域技術發展。美國商務部新增對HBM和DRAM的嚴格限制，遠不局限在對中國先進半導體發展設卡，重點矛頭直指中國人工智能和先進計算領域的創新發展。

[1] 新標準下，在14nm及以下工藝生產的DRAM，包括1a（14nm-12nm）、1b（12nm-10nm）和1c（10nm以下）工藝，均在管控范圍；依賴極紫外光刻（EUV）的先進制程技術也在管控范圍。

附表一：被美國商務部新列入“實體清單”的136家中國機構（2024.12.02）

劉冉，上海市科學學研究所助理研究員；張涵，上海市科學學研究所助理研究員。文章觀點不代表主辦機構立場。

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