4月30日，英特爾在Direct Connect技術(shù)大會上披露，其晶圓代工業(yè)務(wù)已獲多家客戶計劃采用新一代14A工藝制作測試芯片，標志著這家半導體巨頭正加速重返全球代工賽道。新任CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）在活動中強調(diào)：“英特爾代工服務(wù)的戰(zhàn)略決心堅定不移，我們將直面與臺積電的競爭。”這場宣言背后，是英特爾通過技術(shù)躍進與戰(zhàn)略糾偏，試圖重塑代工市場格局的關(guān)鍵布局。

技術(shù)突圍：High-NA EUV重啟代工競爭力

此次英特爾代工戰(zhàn)略的核心在于14A工藝（相當于1.4納米節(jié)點），首次引入高數(shù)值孔徑極紫外光刻（High-NA EUV）設(shè)備。該技術(shù)不僅能實現(xiàn)更精細的電路蝕刻，還可優(yōu)化芯片電源效率，為2納米以下制程奠定基礎(chǔ)。英特爾代工技術(shù)主管納加·錢德拉謝卡蘭透露，盡管High-NA EUV簡化了部分制造流程，但公司仍將保留傳統(tǒng)工藝選項，允許客戶沿用現(xiàn)有設(shè)計，以降低技術(shù)遷移風險。這一策略被視作對2010年代戰(zhàn)略失誤的修正——彼時英特爾因遲疑EUV投入，導致臺積電憑借技術(shù)領(lǐng)先主導先進制程市場。

量產(chǎn)時間表：雙線推進產(chǎn)能建設(shè)

按照規(guī)劃，英特爾18A工藝（1.8納米）將于2025年下半年啟動量產(chǎn)，初期產(chǎn)能聚焦于俄勒岡州希爾斯伯勒研發(fā)中心，亞利桑那州工廠同期擴產(chǎn)。基辛格透露，自2021年啟動“四年五個節(jié)點”計劃以來，英特爾已投入900億美元資本支出，其中180億美元用于技術(shù)研發(fā)，370億美元投向晶圓廠設(shè)備。這一巨額投資旨在復(fù)刻臺積電“技術(shù)+產(chǎn)能”雙輪驅(qū)動模式，但行業(yè)觀察人士指出，英特爾仍需解決良率爬坡與客戶信任重建難題。

代工生態(tài)重構(gòu)：從對手到伙伴的博弈

盡管英特爾代工業(yè)務(wù)遭遇過客戶流失（如高通、英偉達轉(zhuǎn)投臺積電），但近期多家廠商表達測試意愿，顯示其技術(shù)路線獲得認可。基辛格坦言：“過去五周業(yè)界頻繁詢問我們的戰(zhàn)略定力，答案顯然是持續(xù)投入。”值得注意的是，英特爾選擇在AI芯片需求爆發(fā)的窗口期發(fā)力代工，試圖以先進制程+定制化服務(wù)爭奪數(shù)據(jù)中心、AI加速器等高增長市場。不過，面對臺積電54%的代工市場份額和三星的猛烈追趕，英特爾能否將技術(shù)優(yōu)勢轉(zhuǎn)化為商業(yè)成果，仍待觀察。