2025年4月24日，CSE組委會和充電頭網聯合舉辦的2025第三代半導體機器人快充新技術研討會順利落幕，本次研討會邀請到英嘉通營銷副總白強帶來精彩演講。

本次研討會中，白強借助《750V SiC MOS：消費級應用的新選擇》為主題，攜750V全系列SiC功率器件亮相本次研討會會，并以6大產品優勢為650V消費類市場注入全新的選擇，同時也帶來65W SiC PD快充行業首發。

白強表示，第三代半導體器件SiC和GaN在高頻、高功率場景中表現更優，已經全面滲透消費級、工業級以及車規級市場，成為市場的主流選擇之一。

SiC MOS主要以平面型和溝槽型兩種結構，目前國內以平面型為主，部分海外企業有差異化的溝槽型器件。

與Si垂直結構不同，GaN器件以水平結構為主。E-mode器件主要采用p-type gate技術，而D-mode器件需與低壓Si MOS組成Cascode實現增強型工作模式。

白強在此表示，2029年SiC市場預計可達100億美金，占整個功率市場的器件1/3，且明確指出電動汽車應用在SiC市場占據主導地位。而2009年GaN市場規模相對略低，為20億美金。但兩者均有廣泛的市場前景，會向更多應用場景滲透。

現今，隨著技術優勢、產能優勢以及市場需求的變化，SiC器件打破以往更適合千伏高壓應用的傳統印象，逐步向中高壓消費級應用市場擴展，同時隨英嘉通全面推出750V SiC MOS，為市場提供更多選擇。

目前英嘉通發布8款750V SiC MOS，導阻覆蓋60mΩ-2Ω，并提供DFN、TO、裸片等多種封裝規格，為客戶提供更多選擇。

相較于GaN，SiC器件具耐高溫特性，相比GaN和Si MOS，SiC MOS在125℃時導阻減少40%，同時還兼具更小的器件尺寸、性能與成本優勢。因此英嘉通推薦以×1.5倍的方式選擇替換Si MOS和GaN方案。

英嘉通750V SiC MOS擊穿電壓超 50V，比 D-GaN、E-GaN 產品更安全，能避免耐壓過量設計，降低成本。

GaN材料1在軟開關條件下全電壓動態特性良好，材料2在低壓段動態電阻問題大但高壓段較優，可見GaN在高壓硬開關及CCM模式應用上存在較大挑戰，而SiC MOS沒有動態電阻問題。

SiC MOS器件通過設計能應對超過 15μs 的短路時間，而GaN 器件在短路能力上面臨很大挑戰。其中，英嘉通750V SiC MOS 系列短路時間設計值為2.5μs，是在性能和應用需求之間權衡后的結果，從芯片結構圖和輸出特性曲線還進一步說明其短路耐受能力及工作特性。

目前，SiC產業逐步成熟，促使晶圓成本下降，英嘉通750V SiC產品對比GaN產品在成本品質因數上具優勢，且在等效規格下，Si 產出相比GaN、CoolMOS、VDMOS都有顯著提升，彰顯其成本競爭力。

通過對GaN-on-Si、GaN-on-QST、GaN-on-Sapphire和SiC的缺陷密度，可見SiC缺陷密度相比硅基氮化鎵低6個數量級，相比藍寶石基氮化鎵低4個數量級。其已廣泛應用于工業級、車規級領域，且具備與VDMOS相似的應用特性，如雪崩能力等，在應用上更可靠。

英嘉通基于YJT 750V 300mohm SiC開發65W PD快充系統，在18V開啟，0V關斷條件下，波形干凈，且和硅MOS一樣，開關速度通過柵極電阻可調。另外，對比英嘉通自家GaN器件在效率、滿載溫度方面均有優勢。

英嘉通計劃25年Q4季度在6英寸晶圓量產750V 60-1200mΩ消費級SiC產品，并計劃26年Q1季度在8英寸晶圓量產上述產品，以擴大生產規模，提升產品競爭力。

白強表示，D-GaN適用于中高壓場景，需搭配低壓硅MOS，封裝復雜度較高；E-GaN適合低壓應用，具有雙向器件優勢，但高壓場景性能不足；SiC MOS以高溫特性、高可靠性和高性價比著稱，消費級應用需要控制器支持。英嘉通計劃通過綜合運用這三種技術，推動技術革新，滿足不同客戶需求。

英嘉通主推器件主要分為氮化鎵功率器件、碳化硅功率器件、氮化鎵射頻器件三類，分別在PD快充、適配器、移動儲能、鋰電保護等多個領域批量出貨。

關于英嘉通半導體

英嘉通半導體有限公司成立于2019年2月，位于深圳南山區科技園和蘇州相城區高鐵新城。公司組建了一支由華為、中興、國內外知名公司工作多年的團隊，在第三代半導體領域深耕十多年，具有堅實的芯片設計能力及豐富的半導體產品銷售經驗。

公司愿景：引領射頻和功率半導體的技術革新服務人類。

公司使命：始終堅持做客戶滿意和用戶喜歡的好產品。

英嘉通半導體主要聚焦第三代半導體的研發和銷售，主要產品包括GaN功率器件、SiC功率器件和GaN射頻器件等。產品應用于消費、工業和汽車等領域。國家高新技術企業，蘇州潛在獨角獸企業，江蘇省雙創企業，廣東省科技進步二等獎等榮譽。累計獲得專利等知識產權100多項。

英嘉通功率器件家族包括D-GaN、E-GaN和SiC，廣泛應用在PD快充、適配器、儲能和數據中心等領域，具有高功率密度、高效率、低成本、低待機功耗等特點，公司種類齊全，客戶選擇多多。

以上便是以上便是英嘉通750V SiC MOS：消費級應用的新選擇主題演講的全部內容，感謝您的閱讀！