前言

碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，具備高禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場強以及高電子飽和漂移速率等諸多優異特性。在高功率、高壓、高頻率以及高工作溫度等應用場景中，碳化硅器件相較于傳統硅基器件，能夠顯著提升能源轉換效率，降低能量損耗，實現更緊湊的系統設計，在新能源汽車、通信、工業、軌交、電網、數據中心等高能耗領域，換用碳化硅器件，對于推動能源轉型、提升電力電子系統性能以及在實現節能減排層面具有不可替代的戰略價值。

最近，充電頭網了解到，重慶擁有一家碳化硅功率器件企業——平創半導體。公司于2019年11月13日成立，位于重慶璧山國家級高新技術開發區。平創半導體專注于功率半導體領域，業務涵蓋半導體材料、功率芯片、功率器件、驅動IC到應用解決方案，致力于為客戶提供定制化器件及解決方案。

平創半導體的發展定位是成為全球領先的功率半導體革新者與應用解決方案提供商，憑借先進的技術優勢和專業團隊，在功率器件領域快速崛起，助力重慶打造功率半導體產業高地，其自身實力過硬，具備諸多核心競爭力。

平創半導體碳化硅器件

SiC MOSFET

平創半導體的碳化硅MOSFET產品涵蓋650V-1700V電壓范圍，適用于多種應用場景。其封裝形式多樣，包括TO、TOLA、TOLT、DSCTOLL等，具備高開關頻率、高耐壓、低導通電阻、高工作溫度與耐輻射等優勢。

SiC MOSFET模塊

平創半導體還供應650V-1700V系列的工業級及車規級SiC MOSFET模塊，采用PC62D封裝，運用低雜感封裝結構設計和 AMB 陶瓷基板。客戶可選擇納米銅燒結工藝、端子超聲焊接，以及鋁線鍵合/銅線鍵合/Clip Bonding工藝等，其提供的SiC功率模塊產品兼具低成本與高可靠性。

SiC SBD

此外，平創半導體的碳化硅肖特基勢壘二極管產品同樣覆蓋650V-1700V應用場景，有多種TO 封裝可選。該系列器件無反向恢復電荷且寄生電容極低，實現了低正向電壓、低反向漏電流以及極低的開關損耗，可在更高溫度下比硅二極管更可靠地運行，憑借低損耗優勢，是車載充電器、功率因數校正整流器以及其他對高壓、高頻有苛刻要求應用的理想之選。

技術優勢

先進芯片架構

平創半導體在芯片架構方面不斷創新，其650V/1200V雙電壓平臺通過AEC-Q101第三方車規可靠性認證。同時，公司還聯合開發超薄SiC晶圓減薄工藝，并提出SiC-XFET和SiC JGBT等創新性芯片架構。

高性能高可靠功率模塊

平創半導體在功率模塊封裝方面技術先進，實現功率模塊全銅互聯工藝，優化封裝設計，提高功率模塊的性能和可靠性。

定制化驅動技術

平創半導體為客戶提供全套多功能定制化驅動解決方案，包括設計制造、驅動IC、集成驅動核、定制化驅動器等，滿足不同客戶的需求。

研發實力

平創半導體擁有一支高素質的研發團隊，研發人員以博士和碩士為核心引領，以優秀本科為主要支撐。公司高度重視核心技術研發，申請知識產權386項、超百項發明專利以及數十項外觀/軟著/實用新型專利，并已完成全球化商標布局。

企業榮譽與體系認證

平創半導體獲得諸多榮譽，榮獲重慶技術創新示范企業、重慶市知識產權優勢企業等多項榮譽，并通過ISO14001、ISO/IEC 27001等多項體系認證，產品質量和企業管理規范性有目共睹。

企業理念

平創半導體始終堅持“一切以客戶為中心，為客戶持續創造價值”的理念，構建了超過30+國家的全球化客戶基礎，與光伏、新能源汽車等領域的眾多標桿企業建立了合作關系。

平創半導體為重慶功率器件產業注入了新的活力。未來，平創半導體將繼續加大研發投入，提升產品性能和服務質量，為推動功率器件產業的發展構建貢獻力量。