近日，美媒公開了阿斯麥公司的最新一代極紫外光刻機，造價超4億美元。

眾所周知，光刻機是半導體產業鏈中最精密的設備，也是制造芯片的核心裝備。

光刻過程簡單來說，是把設計好的芯片圖案印在掩膜上，再用激光穿過掩膜和物鏡，最后把芯片的圖案精準地投射到晶圓表面。

形象點說，可以把光刻機，比作是高級的“投影儀”。

只不過，它使用的不是一般的光，而是特定的光源。

按光源波長的不同，光刻機主要分為深紫外DUV和極紫外EUV。

DUV光刻機采用波長為193納米的紫外光，而更先進的EUV光刻機，則將波長縮短至13.5納米。

波長越短，雕刻出來的電路越精細，芯片的制程也就越短。

在DUV領域，市場被荷蘭阿斯麥、日本尼康和佳能三巨頭共同瓜分；

而在EUV領域，阿斯麥完全獨領風騷。

有了EUV光刻機，芯片廠商們可以研制出5nm、3nm芯片，在先進芯片制程可以領先一步。

如果說，EUV光刻機是人類半導體工業皇冠上的明珠，那么阿斯麥就相當于握著最亮明珠的那個廠商。

而其最新發布的高數值孔徑High-NA EUV光刻機，更是將這一地位推向了新的巔峰。

跟傳統EUV光刻機相比，High-NA有兩項革命性的重大突破。

首先，增大了數值孔徑NA，從之前標準EUV光刻機的0.33提升到了0.55。

簡單來說，這個值越大，就能實現更小的分辨率和更高的分辨能力，制造出來的芯片也會更精細，性能也更強大。

其次，High-NA避免了傳統工藝中繁瑣的多次圖形化步驟，顯著減少了多次曝光次數。

不僅能讓生產出的芯片運行速度更快，還能提高生產效率和良率。

舉個例子，之前可能每小時才能生產150片晶圓，但現在可以提高到300片。

據悉，High-NA光刻機造價超4億美元，迄今為止，總共只交付了5臺。

目前支持2nm量產，到2029年可以支持1nm的量產。

更令人驚嘆的是，如果采用多重曝光，理論上甚至能夠實現0.5nm（即5埃米）制程的芯片制造，逼近原子級別的極限。

據了解，由于體積非常的龐大，想要運輸這臺光刻機，需要大約7架波音747和25到30輛卡車。

而安裝和調試過程同樣復雜，需要極高的精度和技術，任何微小的誤差都可能導致光刻質量的下降。

保守估計，需要一年左右的時間。

值得一提，光刻機上的絕大部分零部件，并不是阿斯麥自己的。

而是來自于全球超過5000家供應商企業，而且都是業內頂尖的技術水平。

比如德國的蔡司鏡頭，日本的特殊復合材料，瑞典的工業精密機床，美國的先進控制軟件、光源等等。

而阿斯麥正是憑借“集全球最頂尖技術”這一法寶 ，在光刻機領域，可以說是全球實力最雄厚的。

然而，在阿斯麥的股權中，有超過50%的股份都被美國資本所掌控。

換句話說，阿斯麥也被美國卡脖子。

這就導致世界上任何想生產先進芯片的國家，不僅要過阿斯麥這一關，更要過“美國允許不允許”的那一關。

正因如此，有人調侃：“阿斯麥握著明珠，但明珠鏈子的另一頭，卻綁在美國腰上”。

如果大家以為High NA EUV光刻機，應該就是阿斯麥的壓軸菜，那還是低估了它的水平。

據悉，更厲害的Hyper-NA EUV光刻機，正在加緊研發。

據說，其數值孔徑（NA），從0.55進一步提高到0.75。

更高的數值孔徑，意味著更精細的制程能力，這將進一步推動芯片性能的飛躍。

從DUV到EUV，從標準EUV到High-NA，再到未來的Hyper-NA，阿斯麥正在不斷的挑戰人類制造的極限。