近日，日本軟銀集團（SoftBank）與美國英特爾公司（Intel）已達成合作，共同開發(fā)一種新型的低功耗人工智能存儲芯片。這個名為“Saimemory”的合作項目，旨在研發(fā)出性能媲美當前主流高帶寬存儲器（HBM，High Bandwidth Memory），但功耗降低一半以上的創(chuàng)新產品，預示著 AI 硬件領域可能迎來一次重要的能效革命。

據報道，兩家公司為此合作已成立一個名為“Saimemory”的實體公司。The Register 通過公司注冊記錄發(fā)現，確有一家公司在 2024 年末更名為 Saimemory。Saimemory 的核心使命是研發(fā)一種創(chuàng)新的堆疊式動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM，Dynamic Random Access Memory）技術，它被定位為當前 AI 服務器中廣泛采用的 HBM 的有力替代品。盡管 HBM 在 AI 領域展現出卓越的性能，但其高昂的成本、巨大的功耗以及復雜的制造工藝一直是行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)。Saimemory 的目標則是在提供與 HBM 相媲美的高帶寬性能的同時，顯著降低能源消耗，力求達到現有產品能耗的一半甚至更低。

圖丨該公司注冊記錄（來源：Alarmbox）

項目的初步目標是在未來兩年內完成原型芯片的生產，并在 2027 年實現可行性演示，最終期望在 2030 年前實現商業(yè)化。軟銀在此合作中扮演了關鍵的投資者角色，已決定初期投入 30 億日元，成為最大的出資方。整個項目的總成本預計將達到 100 億日元（約合 7000 萬美元），除了英特爾和軟銀，日本的理化學研究所（Institute of Physics and Chemistry）和新光電氣工業(yè)（Shinko Electric Industry）等機構和企業(yè)也在考慮投資和技術合作，并可能尋求國家層面的財政支持。

當前，人工智能處理器，特別是用于大規(guī)模模型訓練和推理的 GPU，高度依賴 HBM 來滿足其巨大的數據吞吐需求。HBM 通過堆疊多層 DRAM 芯片并采用硅通孔（TSV，Through Silicon Via）技術實現極高的帶寬，但其制造成本高昂、工藝復雜、功耗較大且發(fā)熱嚴重。隨著 AI 應用的爆炸式增長，對 HBM 的需求激增，導致三星、SK 海力士和美光這三大主要供應商的產能持續(xù)緊張，價格也居高不下。

Saimemory 項目的核心目標，正是要攻克 HBM 在功耗和成本上的瓶頸。報道稱，通過優(yōu)化 DRAM 芯片的堆疊方式和內部連接線路的結構，Saimemory 旨在將存儲器在 AI 運算過程中的瞬時數據處理功耗降低至現有產品的一半以下。如果成功，這不僅能大幅降低 AI 數據中心的運營成本，尤其是在能源供應日益緊張的背景下，還將有助于構建更高效、更環(huán)保的 AI 基礎設施。

對于軟銀而言，此次合作的戰(zhàn)略意義尤為重大。日經新聞指出，一旦 Saimemory 的產品成功面市，軟銀將作為優(yōu)先客戶獲得供應。軟銀計劃將這種新型存儲器應用于其正在籌建的 AI 學習數據中心，以期實現高質量、低成本的 AI 運算服務。這對于正積極投身 AI 浪潮的軟銀來說，無疑是確保其未來競爭力的關鍵一步。

對英特爾來說，參與 Saimemory 項目標志著其在存儲器領域的一次重要回歸。英特爾曾在 2022 年決定退出其 Optane（傲騰）存儲業(yè)務，將其 NAND 閃存業(yè)務出售給 SK 海力士，但保留了 Optane 相關的 3D XPoint 技術和專利。盡管 Saimemory 專注于 DRAM 技術，與 Optane 的非易失性存儲技術路徑不同，但英特爾在先進封裝、芯片堆疊等領域的技術積累，無疑將為 Saimemory 的研發(fā)提供重要支持。即便目前英特爾財務狀況面臨一定壓力，但這筆約 7000 萬美元的投入對于其戰(zhàn)略布局而言仍在可承受范圍。

圖丨Intel Optane M10（來源：Intel）

有社交媒體評論猜測這是否意味著“Optane 2.0”的某種延續(xù)。雖然兩者技術基礎不同——Optane 的優(yōu)勢在于低延遲和持久性，而 AI 推理更側重帶寬——但英特爾保留的先進存儲技術和專利，以及在存儲架構上的經驗，可能為 Saimemory 項目帶來間接的裨益。Saimemory 的研發(fā)方向更側重于通過結構創(chuàng)新降低 DRAM 的功耗，這與三星、NEO Semiconductor 等公司主要致力于通過 3D 堆疊提升 DRAM 容量（如單模塊 512GB）的研發(fā)路徑有所區(qū)別。

從更宏觀的層面看，Saimemory 項目也承載了日本重振其半導體存儲器產業(yè)的期望。日本企業(yè)曾在上世紀 80 年代占據全球 DRAM 市場高達 70% 的份額，但隨后在韓國和臺灣地區(qū)競爭者的沖擊下逐漸式微。近年來，隨著全球對半導體供應鏈安全和自主可控的日益重視，日本政府也積極推動本土半導體產業(yè)的復興，并計劃到 2030 財年在半導體和 AI 領域投入超過 10 萬億日元的公共資金。Saimemory 若能成功，或許將是日本時隔 20 多年再次在主流存儲器市場占據一席之地的關鍵。

參考資料：

1.https://asia.nikkei.com/Business/Tech/Semiconductors/SoftBank-Intel-work-on-AI-memory-chips-that-use-half-as-much-power

2.https://www.theregister.com/2025/06/02/asian_tech_news_roundup/

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