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MEMS集成設計與制造技術進展

苑偉政, 常洪龍, 謝建兵

10.3901/JME.2023.19.176

引用本文：

苑偉政, 常洪龍, 謝建兵. MEMS集成設計與制造技術進展[J]. 機械工程學報, 2023, 59(19): 176-186.

YUAN Weizheng, CHANG Honglong, XIE Jianbing. Advances in MEMS Integrated Design and Manufacturing Technology[J]. Journal of Mechanical Engineering, 2023, 59(19): 176-186.

原文閱讀（摘要）

摘要：芯片技術已成為制約我國高質量發展的瓶頸，基于微機電系統(MEMS)技術的高性能微傳感器芯片更是備受歐美“卡脖子”的核心器件之一。“工欲善其事，必先利其器”，與微電子芯片類似，設計及制造技術也是制約MEMS芯片性能的關鍵。首先，從MEMS設計方法及工具出發，回顧MEMS設計方法從固定流程的結構化設計方法到任意流程的泛結構化設計方法的發展過程，介紹任意流程設計方法的優勢，同時介紹目前世界上主流的商用MEMS設計工具并對比典型設計工具的優缺點。其次，介紹MEMS制造技術的特點及面臨的挑戰，著重分析國際上及幾種典型的定制化制造技術以及西北工業大學提出的單掩膜與選擇性釋放制造方法。隨后分析批量化制造技術的優勢并給出了國內常見的批量化代工方法及典型批量化代工工藝。最后，指出高端MEMS設計與制造集成的必要性，以期為我國MEMS批量化制造發展提供參考。

關鍵詞：MEMS；集成設計；定制化制造；批量化制造

中圖分類號：TH122

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前言

芯片技術已成為制約我國高質量發展的瓶頸，探尋“后摩爾時代”顛覆性技術已成為我國芯片發展的戰略共識。不同于以往的微電子芯片，MEMS是以微電子芯片制造技術與精密機械相結合產生的可動微機械芯片為基礎的微系統，屬學科交叉特征鮮明的芯片新技術，為機電產品的微型化、集成化、智能化帶來變革性發展。基于MEMS技術發展的微傳感器、微致動器等，種類多、用途廣，是智能制造、物聯網、航空航天等領域不可或缺的基礎核心器件。

MEMS是在微納米尺度設計與制造的芯片產品，既有微電子芯片的精細，又有微機械多域耦合下的運動與控制，貫穿設計、加工、封裝、測試等多個技術環節，涉及廣、跨度大、難度高。其制造既不同于傳統機械制造模式的微小型化，也不能完全采用類似微電子制造的代工模式，長期以來人們一直探求MEMS批量制造技術的發展途徑。本文擬介紹MEMS設計與制造工具化和標準化相關技術，以期為我國MEMS批量化制造發展提供參考。

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MEMS設計技術及其工具

1.1 典型MEMS設計技術

“工欲善其事，必先利其器”。MEMS設計工具是高質高效實現MEMS產品開發的基礎，主要依賴于機械的計算機輔助設計工具(CAD)和微電子領域的電子設計自動化(EDA)軟件，以實現微尺度下多學科交叉的MEMS設計。長期以來各先進國家一直努力研究開發專用MEMS集成設計工具。

美國麻省理工學院的SENTURIA教授提出分層設計的思想，將MEMS的設計由低至高分為四個階層：工藝級、物理級、器件級和系統級。這樣，不同的設計階層分別由不同的設計者負責，稱為工藝工程師、物理工程師、器件工程師和系統工程師，各層級的工程師相互協調，完成整個MEMS設計。分層設計思想通過不同設計階層關注相對獨立的設計問題，降低了對各階層設計者的知識要求與設計復雜性。

工藝級設計基于版圖和工藝流程來仿真MEMS結構的加工過程，以保證能夠制造出合格的MEMS器件，其關注的重點是MEMS的可加工性，如材料參數、工藝參數、版圖結構與工藝順序等；其設計內容包括版圖設計、工藝流程設計和工藝流程仿真，對于一些關鍵工藝還應進行工藝物理仿真。

物理級設計基于器件或結構的三維實體開展仿真，重點關注MEMS器件結構，利用有限元、邊界元、有限差分或有限體積等數值方法研究MEMS器件或局部功能部件在三維連續空間中的行為特性。

器件級則是對物理級設計的補充，重點關注如何將三維實體模型或其仿真結果進行降階處理，并將降階結果導入系統級仿真，其目的是實現MEMS結構與接口電路的協同仿真。

系統級位于整個設計層級的頂部，重點是通過建模、仿真、綜合、優化等研究MEMS結構與接口電路構成的微系統的整體性能，以尋求相對合理的系統整體設計方案及系統性能參數。

分層設計的目的是將MEMS設計任務簡化。然而，完整的MEMS設計是一個集成化的設計過程，涉及各個層級的建模與仿真以及相互之間的數據交換。因此，設計層級之間的先后執行順序即設計方法或流程就成為影響MEMS設計質量的重要因素。MEMS設計方法及其相關技術的研究始于20世紀80年代，先后經歷了自底向上(Bottom-Up)設計，結構化設計(含Top-Down設計)和任意流程設計三個階段。

早期的MEMS設計通過借鑒微電子EDA的思想，形成了由工藝級-器件級的Bottom-Up設計方法，其基本思想如圖2所示。Bottom-Up設計方法從繪制MEMS器件的版圖開始，然后結合加工工藝進行三維實體建模及器件有限元物理場分析，進而通過提取各個物理域的宏模型以實現器件的多域耦合仿真，最終輸出用于加工的器件版圖和工藝流程。

Bottom-Up設計方法滿足了器件設計對于MEMS CAD的初步需求。

1995年美國國家自然科學基金委員會在加州工學院專門組織召開了MEMS結構化設計方法“Structured Design Method for MEMS”的研討會，大會形成的總結報告基本成為當時MEMS設計方法及設計工具研究的綱領性文件。其中Carnegie Mellon大學的Fedder教授提出的結構化MEMS設計方法，即強調自頂向下(Top-Down)的設計，同時又有自底向上(Bottom-Up)的驗證，比較符合當時MEMS的特點。其設計流程如圖3所示，核心思想是通過分層架構，標準化設計流程來提高設計效率。

然而，隨著MEMS制作工藝的長足發展以及產品市場的擴大，MEMS產品及設計者呈現復雜、多樣化特點。結構化設計方法在支持創新設計方面表現出不足，僅在Bottom-Up驗證階段和系統級示意圖與工藝版圖之間的綜合體現了“局部”優化思想。

自底向上的設計和結構化設計都采用了源于微電子EDA的設計方法，強調分層設計和流程標準化，以追求設計效率。然而，隨著MEMS技術的發展，MEMS器件正變得越來越復雜，單一、固定流程的設計方法已經無法滿足功能、原理、工藝各異的MEMS器件對設計方法的需求，必須在設計流程方面有所改進。

1.2 任意流程的MEMS設計技術

2005年，西北工業大學苑偉政課題組提出了支持任意流程的MEMS設計方法架構，如圖4所示。該架構包含系統級、器件級和工藝級三個設計層級，這三個層級同時也包含了MEMS建模與仿真的主要模塊。不同之處在于其提供了六個數據轉換接口用于任意兩個層級之間的數據自動傳遞。通過這六個接口用戶可以不必拘泥于某種固定流程的限制，設計者可從任意一個層級開始設計，選擇必要的設計環節，并完成整個設計循環，從而達到以任意流程進行設計的目的，最終提高設計效率。

其中，器件級→系統級→工藝級的流程，相比圖3所示的結構化設計思想更符合機械工程師的設計習慣和三維MEMS設計的需要，從器件級開始的設計可以使得系統級在宏模型的支持下，不再受模型庫的限制，從而滿足了設計者的自主創新設計需求，是一種完全從器件功能不斷進行綜合和優化直至生成器件版圖的設計流程。

與結構化設計方法相比，任意流程設計方法更符合MEMS的本質特點，提高了設計流程靈活性，支持設計者根據自身的知識背景和實際MEMS器件的具體需求，選擇最優設計流程完成設計，是對當前結構化設計方法的一個發展和 提高。

隨著MEMS制造技術的進步和MEMS應用領域的不斷擴大，MEMS器件也逐漸呈現復雜多樣化特點。從涉及的能量域看，MEMS是包含結構、靜電、光學和流體(空氣阻尼)的多域耦合系統。因此，設計方法必須支持多域耦合系統的統一建模與 仿真。

鑒于此，西北工業大學將任意流程與創成式 設計結合，提出了MEMS“泛結構化”集成設計方 法(圖5)，打破以往“固定流程、檢索式”的MEMS結構化設計模式，形成了“任意流程、創成式”的MEMS設計新模式，解決了微機械結構、芯片制造和驅動檢測電路多學科交叉設計難題，滿足了MEMS產品多樣化的發展需求，并開發出MEMS Garden設計軟件工具，已在國內40家單位得到推廣應用。

泛結構化的MEMS集成設計方法關鍵技術包括宏建模技術、參數化組件庫技術、方程自主定義技術、系統級異構建模與仿真技術、設計優化技術以及設計層級之間的數據接口技術。宏建模由于支持非常規MEMS結構的設計，符合MEMS器件多樣化對于設計方法的需求，對MEMS的創新設計具有決定性作用。參數化組件庫是系統級建模的基本手段，對于MEMS設計及優化具有關鍵作用。器件物理方程自主定義可以使特定領域的MEMS設計者根據其獨有的研究成果，直接將器件模型方程及其求解算法輸入設計環境，對于提高MEMS建模與仿真精度、激發新型器件的產生具有重要意義。系統級異構建模與仿真綜合參數化組件庫、宏模型和方程自主定義的特點，通過研究MEMS的系統級統一建模方法，解決MEMS多域、多尺度建模與仿真的難題。設計層級之間的數據接口支持器件的任意流程設計，從而為不同領域、不同知識背景的設計者提供最大的設計流程靈活性。

1.3 MEMS設計工具

目前泛結構化的MEMS集成設計方法中的宏建模技術等也廣泛用于國際主流MEMS商用軟件。國際上商用的MEMS CAD軟件主要包括美國Coventor公司的CoventorWare系列軟件以及中國英特神斯公司的IntelliSute軟件。

CoventorWare系列軟件模式與西北工業大學提出的“泛結構化”集成設計方法類似，基本實現了任意流程設計體系，如圖6所示。目前的主要功能進展是實現MEMS機械結構與接口電路協同設計功能。同時也在拓展其系統級仿真模型與Matlab等其他商用軟件的數據交互功能。

IntelliSute軟件更多的是一種模塊化的設計理念，如圖7所示。近年來也為專用客戶定制物理仿真、工藝仿真等模塊，同時也在積極拓展系統級仿真以及系統仿真與Cadence等商用軟件的數據交互功能。

對比典型的MEMS設計工具，可以發現鑒于MEMS器件具有結構復雜、多能量域耦合等特性，僅通過解析數學模型來完成系統級組件模型的構建是不現實的。模型降階技術為解決上述問題提供了一條捷徑。通過對有限元模型及求解結果進行降階，可以獲得描述MEMS器件行為的低階常微分/代數方程數學模型，該類數學模型在一定條件下具有較高的精度。利用硬件描述語言對其進行編碼即可獲得MEMS器件的低階系統級模型。降階模型建立的本質是器件級設計的過程，這需要設計者掌握有限元仿真、降階算法、系統級建模等技術，因此具有極高的難度。MEMS具有多能量域耦合、器件結構多樣、振動頻率高、接口電路復雜等特點，其設計也就具有多學科融合，設計周期長，采用方法復雜等特性。基于可重用IP法的振動式MEMS+IC協同設計具有快速構建模型，易于迭代等優點。國際上的MEMS設計工具都向著任意流程、MEMS與IC協同仿真方向發展。其中CoventorWare系列軟件在數據庫和協同仿真方面有較好優勢，IntelliSute軟件則在工藝仿真方面有很好的積累。

但總的來說，近年來MEMS專用CAD軟件市場發展乏力，這與MEMS總體應用體量明顯不符，但同時也反映出MEMS作為一個交叉學科，其設計工具功能復雜、涵蓋面廣，很難由一家企業獨立完成。隨著計算機云計算技術的發展，MEMS設計工具應逐漸向客戶端交互、云端計算的模式發展。這樣可以充分考慮客戶的利益，客戶只關心他感興趣的場景器件設計和分析，提高設計效率，降低了成本。而服務器端主要關注系統的維護、開發和服務，大幅降低了了客戶端服務的要求。

與此同時，隨著美國政府對中國高科技產業進行的前所未有的打壓，從半導體制造設備、先進材料逐步蔓延到芯片設計的核心—— EDA 工具，繼而將從 EDA 蔓延到整個中國工業軟件領域。該事件應該引發我們對集成電路、傳感器等高科技產業國產化替代的深入思考。對于 MEMS 設計工具而言，中國起步并不算晚，但由于近十多年來對于工業軟件的重視程度不夠，導致我國 MEMS 設計軟件基本停滯不前，因此為了提升我國 MEMS 傳感器芯片設計水平，亟需加大力度發展具有自主知識產權的國產 MEMS 設計工具。

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MEMS定制化制造技術

MEMS制造技術是在微電子的半導體制造技術基礎上發展起來的。由于MEMS涉及機械、電子、光學、流體、生物等不同領域，其制造工藝五花八門，MEMS制造曾有“One Product, One Process.”的說法，即一種MEMS產品需要一種MEMS制造工藝的定制化制造技術。

這種定制化制造技術對多品種、小批量、有特殊需求的MEMS產品十分適合，特別是針對航空航天等領域中有著高性能、高環境適應性要求的特種MEMS器件而言，其批量通常不大，但性能要求高，因此定制化制造技術能夠發揮其最大的作用。

MEMS制造技術經歷了表面硅工藝、體硅工藝等方法。目前，體硅工藝與表面硅工藝相結合的SOI工藝已逐漸成為高端MEMS的主流制造技術。相對于微電子芯片的平面電路加工，MEMS芯片要加工出運動的立體微機械結構，需要“刻得準、動的好”。例如，諧振式MEMS的典型結構由數以千計的驅動檢測梳齒和敏感大質量塊構成(圖8)。梳齒寬度僅為3 μm，間距2 μm，刻蝕深寬比達30：1以上,且垂直度要求高達90°±1°。加工過程中產生的應力極易引起大幅度形變，降低產品精度。敏感大質量塊多為薄壁懸置結構，間隙僅為2～4 μm，極易吸合粘附，造成產品失效。SOI基MEMS的主要制造難點在于克服Footing(根側蝕)、Lag(窄槽刻蝕遲滯)效應等限制，實現高深寬比結構可控刻蝕、可動結構的無粘附釋放、機電結構協調互聯以及微結構應力形變控制等，這對制造技術提出了巨大的挑戰。

針對上述問題，國際上眾多研究機構開展了MEMS定制化加工技術研究。

2000年，密歇根大學安阿伯分校Khalil Najafi教授提出了一種針對微慣性器件的定制化加工技術，HARPSS(High aspect-ratio combined poly and single-crystal silicon)工藝，HARPSS(High aspect ratio polisilicon structures)工藝針對微慣性器件，重點在于實現高深寬比刻蝕與結構快速釋放，其加工工藝如圖9所示：首先在硅片表面制作氮化硅掩模，并在硅片上通過DRIE刻蝕出溝槽(圖9a)；其次將硅片氧化，并在溝槽內部填充多晶硅材料(圖9b)；然后圖形化多晶硅材料(圖9c)；最后去除多晶硅與硅片之間的氧化層，獲得懸浮結構(圖9d)。該工藝能夠實現超過50∶1深寬比結構制備，但由于需要通過多晶硅填充獲得高深寬比結構，其填充工藝具有極大的挑戰。

土耳其中東理工大學、北京大學等也相繼開展了基于硅-玻璃鍵合工藝的定制化加工技術。土耳其中東理工大學采用的工藝流程如圖10所示。(1)濕法腐蝕玻璃，形成鍵合臺階；(2) 硅片下表面制作金屬用以防止footing效應；(3) 硅-玻璃陽極鍵合及減薄；(4) 硅片上表面制備金屬和光刻膠；(5) 硅片深刻蝕形成結構；(6) 去除光刻膠和硅片底部的金屬。

上述硅-玻璃鍵合工藝可以針對高深寬比慣性器件開展定制化加工，特別是可以定制從30 μm到100 μm的結構厚度，但該工藝由于硅-玻璃陽極鍵合存在較大的殘余應力，使得該工藝應用領域受到一定的限制。

西北工業大學歷經10余年，建立了成套的MEMS制造平臺，研究開發出以諧振式MEMS為代表的3套典型的制造工藝，形成了高端MEMS定制制造模式，滿足了航空航天特種MEMS多品種、小批量的需求，并主持制訂出“硅基MEMS制造技術-基于SOI硅片的MEMS工藝規范”國家標準(GB/T 32814—2016)，適用于基于SOI硅片的慣性、光學、壓力等多種MEMS器件的標準化加工，開辟出基于SOI芯片的航空航天特種MEMS制造新途徑。

其中，提出了獨特的單掩膜刻蝕與懸置結構選擇性釋放方法，干濕法刻蝕相結合選擇性釋放犧牲層，有效解決運動微結構界面的吸合、粘附等難題，實現了懸置微結構精準釋放、大異寬高深寬比微結構可控刻蝕、微結構應力應變控制及單層橫向電絕緣窄溝道抗干擾隔離等，形成了具有自主知識產權的系列化SOI基MEMS制造技術(圖9)。

區別于以往單晶硅片的SOI硅片是一種三明治結構，通過去除中間犧牲層釋放結構層運動結構，具有工藝過程短，可控性高等優點。但以往雙面刻蝕法必須使用直罩式雙面光刻機，工藝兼容性差，制造成本高，且加工的結構易變形；正面單掩膜干法刻蝕法易產生Footing效應，降低根部強度，且采用的氣態氫氟酸釋放使結構層和基底層表面易產生靜電吸合和粘附造成工作失效。

西北工業大學的單掩膜與選擇性釋放制造方法(圖11)，利用等離子干法刻蝕過程中Footing效應產生的密集納米尖凸具有超疏水性的特性，采用干法刻蝕釋放運動結構，有效解決在釋放過程中常見的吸合和粘附難題；采用濕法刻蝕釋放支撐結構，保證支撐結構強度，制備的傳感器如圖12所示。形成的干濕法相結合的釋放工藝，實現了正面單掩膜高深寬比結構可控刻蝕，加工高品質微結構，結構完好率達到95%，且長期工作穩定性好；簡化了1/3工序，大幅降低了結構應力和變形。

等離子干法刻蝕是硅微結構加工的最重要手段，但受Lag效應影響，在刻蝕不同寬度結構時常出現刻蝕時間相同但深度不同的現象，從而難以保證結構形狀和的設計要求，影響產品精度等性能指標。因此，大異寬、高深寬比結構同步精確可控刻蝕加工具有極高的挑戰性，一般加工的結構等深異寬比一般不高于3∶1，結構深寬比不高于100∶1。

西北工業大學提出的大異寬高深寬比結構同步可控刻蝕方法，闡明了硅深反應離子刻蝕過程中等離子體濃度、速度等參數的耦合效應對Lag效應的影響規律，通過錯位光刻及可控同步刻蝕，消除Lag效應等不利影響，實現了優于2 μm間距的精確刻蝕，垂直度高達90±1；加工出異寬比達10∶1的等深異寬(圖13、14)微結構和深寬比達120∶1的高品質納結構(圖15、16)，大幅提高了結構靈敏度等性能指標。

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MEMS批量化制造技術

隨著MEMS制造技術的不斷發展，以及MEMS市場規模的不斷增大，在消費電子、汽車電子等領域，中低端的MEMS陀螺、MEMS加速度計、MEMS壓力傳感器、MEMS麥克風等產品已經占據了絕大多數市場，這一類產品對于產品精度、環境適應性一般沒有苛刻要求，而對產品的成本和體積有著嚴格的限制，這就需要針對上述產品的批量化制造技術以滿足大批量、低成本的市場需求。

MEMS產品一般經歷研發、中試、量產三個階段。國際上已經出現了眾多MEMS設計、制造相關的公司。而目前我國的MEMS產業剛剛步入產業化初期，MEMS批量化制造技術以成為MEMS發展的關鍵。

我國MEMS批量化制造模式主要包括：整合元件制造(IDM，Integrated Device Manufacture)模式、無工廠加工(Fabless)模式、代工(Foundry)模式以及外購芯片封測模式等，如圖17～19所示。每種加工模式特點不同。

國際上主流的MEMS企業大多采用IDM模式，如BOSCH(博世)、STMicroelectronics(意法半導體)、Texas Instruments(德州儀器)、Analog Devices(ADI)、InvenSense(應美盛，已被TDK收購)等。上述IDM企業大多具有各自獨特的工藝或lisence授權，且不對外提供代工服務。而國內如士蘭微、美新、美泰科技、芯動聯科等企業也有部分IDM能力，但大多數企業在標準化制造工藝上與國外還有很大差距。

近年來隨著Fabless的崛起，MEMS代工廠迎來了良好的發展機遇。當前國際上著名的代工企業包括賽威電子(Silex Microsystems AB)、Teledyne DALSA、臺積電(TSMC)、X-FAB等。另外隨著MEMS傳感器空前的需求，國際主流MEMS廠商也在建設新的生產工廠進行代工。目前國際上主流MEMS代工廠均為8英寸(1英寸=2.54 cm)晶圓代工，預計到2026年左右實現12英寸MEMS晶圓代工。

近年來在國際上的MEMS代工企業中，中國賽微電子旗下全資子公司瑞典Silex Microsystems AB連續三年排名世界第一，加拿大Teledyne DALSA緊隨其后。

圖20為Silex Microsystems的MEMS工藝示意圖，其主要由三層硅結構構成，中間硅材料通過深刻蝕實現可動結構，再通過TSV技術和Cavity SOI技術實現MEMS器件的電信號傳輸和結構運動。

圖21為Teledyne DALSA的MEMS工藝示意圖，其與Silex Microsystems最大的區別在于在沒有上下電極的情況下，可以通過不等高梳齒實現MEMS器件Z方向運動檢測，更容易實現多軸器件集成制造。

從當前國際上MEMS代工企業發展可以發現，我國嚴重缺乏MEMS代工企業，特別是純粹的MEMS代工企業。同時我國僅有的幾家大規模MEMS代工企業如SMIC(中芯國際)、華潤微電子等代工門類不全，對高性能MEMS器件支撐不足。如SMIC是中國最大的MEMS晶圓代工企業，主要從事MEMS和功率器件領域的晶圓代工和封裝測試。華潤微電子有國內領先水平的MEMS表面和體硅加工技術，用于制造壓力、硅麥克風、光電、溫濕度等MEMS傳感器。上述代工企業對于高性能微機械陀螺、高性能諧振式壓力傳感器等器件均缺乏可靠的工藝支撐(表2)。

另外我國MEMS發展中也出現了眾多企業采用外購芯片封測模式開發MEMS產品。這種模式的企業不掌握核心傳感器芯片及電路芯片設計，因此技術門檻較低、產品開發周期短，對于我國早期缺乏自主設計制造能力時具有一定的促進作用。但隨著我國MEMS設計制造能力的不斷提升，更多的企業逐步轉為Fabless模式或IDM模式。

綜上所述，MEMS產品可分為以成本驅動的消費類產品和以性能驅動的航空航天等高端產品。前者品種少、批量大，往往采用類似微電子的批量化制造模式；后者品種多、批量小，更適合采用定制化制造模式。

目前，我國MEMS企業發展迅速，除傳統的大學和研究院所外，企業已經超過500家，各類模式俱全。但是產業化程度低，資源運用不夠合理有效。西北工業大學根據我國MEMS發展的特點，實現了設計與制造集成、產學研結合、多地平臺融合，形成了實驗室4/6英寸晶圓的MEMS研發，企業6英寸晶圓的MEMS中試代工，8英寸晶圓的高端MEMS 產品量產的系列產品開發體系，開辟出群落式(Cluster)MEMS制造模式。其中，研制的MEMS產品應用于我國3個國家重大專項和16個型號工程；已為國內外150家單位代工MEMS芯片；研發的微掃描鏡產品為寬視場、大景深目標的快速三維建模提供了關鍵核心器件，海內外用戶超過400家，廣泛用于深度相機、激光打印機、激光雷達等。

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結論

MEMS不同于微電子技術，高端MEMS必須設計與制造集成。國產MEMS集成設計工具是高質高效發展MEMS的急需，當前我國工業軟件正處于快速發展階段，在此背景下，大力發展國產化有限元求解器、機電耦合協同仿真平臺、多能量域耦合數據交互接口等是發展MEMS設計工具的最佳 時機。

MEMS制造技術是解決MEMS芯片“卡脖子”的關鍵，對于消費電子、汽車電子等領域具有大批量需求的MEMS傳感器芯片，需要大力發展批量化制造技術，而對于航空航天等領域的高端MEMS芯片則需要發展其定制化制造技術，以期獲得滿足特殊需求的MEMS芯片。

未來十年，是MEMS芯片高速發展及推廣應用的關鍵階段，與EDA工具類似，MEMS設計工具也必將成升MEMS發展的倍增器。對于國產MEMS芯片而言，制造技術仍然是其最為關鍵的核心技術，近年來我國大力建設的眾多MEMS中試線、代工廠，只有充分明確市場需求和定位，有針對性的研發各具特色的制造工藝才是正確的發展道路。

作　　者：苑偉政

責任編輯：趙子祎

責任校對：惲海艷

審　　核：張　強

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