浙江
據 TrendForce 援引 Sedaily 報道，三星在其先進內存技術方面取得了更佳的成果。該公司第六代 10 納米 DRAM（稱為 1c DRAM）的測試良率目前已達到 50% 至 70%，較去年不到 30% 的良率有了顯著提升。
三星與其競爭對手走上了不同的道路。SK海力士和美光堅持使用 1b DRAM 技術生產 HBM4 產品，而三星則選擇生產更新的 1c DRAM。這種選擇風險更大，但也有可能帶來更大的回報，因為生產率的提高使三星能夠擴大其制造業務。該公司計劃在其華城和平澤工廠提高 1c DRAM 的產量，預計擴產活動將于今年年底前開始。
這些進展也支持了三星的 HBM4 生產計劃，因為該公司計劃在今年晚些時候開始量產 HBM4 產品。然而，業內專家指出，該產品仍處于早期階段，需要持續關注。
三星原計劃于2024年底開始量產第六代10納米DRAM。然而，該公司選擇重新設計芯片。這一決定導致芯片生產延遲了一年多，但其目的是為了實現更高的性能和良率。新的DRAM產品將在三星平澤4號線工廠生產，因為這些芯片將同時用于移動和服務器應用。此外，HBM4相關的生產將在平澤3號線工廠進行。
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