上海
據報道，近日，諾天碳化硅半導體設備與基材生產基地項目投產儀式舉行。上述項目總投資約1.5億元，于2024年2月簽約落戶株洲高新區，項目主要生產碳化硅半導體設備與基材，產品廣泛應用于碳化硅單晶生長與襯底制造、半導體材料石墨化純化處理、先進陶瓷與復合材料研發、光伏、鋰電領域高溫燒結等。
相較于硅基半導體，以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導體在材料端至器件端的性能優勢突出，具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫等特點，是未來半導體行業發展的重要方向。其中，碳化硅的高禁帶寬度、高擊穿電場強度、高電子飽和漂移速率和高熱導率等特性，使其在電力電子器件等應用中發揮著至關重要的作用。碳化硅材料在功率半導體器件、射頻半導體器件及新興應用領域具有廣闊的市場應用潛力。光大證券指出，隨著AI數據中心、AR眼鏡等行業的增長，碳化硅行業將隨之快速增長。國內碳化硅襯底企業持續投資擴張產能，有望持續擴大市場份額。
據財聯社主題庫顯示，相關上市公司中：
天岳先進碳化硅襯底可廣泛應用于電動汽車、AI數據中心、光伏系統、AI眼鏡、軌道交通、電網、家電及先進通信基站等領域。
芯聯集成8英寸碳化硅產線順利推進中，相關產品已陸續通過相關驗證，預計下半年開始量產。
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