前沿導讀

在國際平臺YouTube上，有印度網友對中國之前發布的干式光刻機進行了評價。該產品是193nm波長的氟化氬設備，分辨率為65nm，與ASML在2003年推出的1460k光刻機類似。

有印度網友對其進行了嘲諷稱：這說明中國的光刻機業務落后世界20年的時間，等中國開發出更先進的10nm設備后，世界早就進入下一個技術時代了。

產業發展

中國的光刻機產業起步于1977年，國家科研部門成功研制了中國第一臺接觸式曝光機。但是受制于時代因素，這臺設備只存在于實驗室和紙質報告上面，并未投入生產線商用，能否制造產品，良品率多少，都是無從考證的。

隨著改革開放的大力推進，中國市場與國際企業接軌，大量海外的先進設備進入中國市場，壓縮了中國自主設備的發展進度。彼時還出現了“造不如買，買不如租”的技術風氣，這更加阻礙了中國在高端設備上面的研發進展。

2002年，在上海市副秘書長江上舟的推動下，國家開始重新布局光刻機產業，布局微電子產業。由江上舟牽頭，國家政府和上海市政府進行政策扶持，吸引社會資本注資，成立上海微電子公司，開始進行國產光刻機設備的整體研發。

到目前為止，上海微電子的官方平臺早已經停止了信息更新，官網所公布的產品只有600系列光刻機，最先進的SSA600光刻機波長為193nm，分辨率為90nm。

與上海微電子類似的還有中芯國際，中芯國際在官網上面最開始只下架了14nm工藝的介紹，后來又下架了所有制程工藝，并且在財報當中也是以Fin FET技術代替制程工藝的命名。

這種在官方平臺下架最新消息的做法，被國際半導體觀察者馬克·海金克解讀為不引起國際上面的過多關注，屬于悶頭干大事的風格。除了在設備上面保持低調，中國企業還以14nm技術為節點，將其命名為N，通過N+1、N+2等命名方式，來代表最先進的國產芯片技術。

華為現在的手機芯片，已經被Techinsights等國際機構證實，采用的是中芯N+2技術，等效7nm工藝，但是該芯片的制造來源并未確定。

中國大陸企業擁有Fin FET生產線的工廠屈指可數，大多都集中在中芯國際旗下的一些子公司中。于是美國便將中芯國際的子公司列入實體清單當中，既然無法確定真實的制造地，那就直接一竿子全打死。

穩步推進

復旦大學的沈逸教授曾經在線上對話中談論到了中國光刻機產業的情況，沈教授認為，中國部門公開的干式光刻機確實在硬件參數上面與ASML現在的設備無法相提并論，但是這給國際層面釋放了一個關鍵的信息，那就是中國在被美國重重制裁的情況下，依然還在研發光刻機設備。

盡管這臺光刻機的性能并不優秀，而且也解決不了中國在先進芯片上面被卡脖子的難題，但是這標志著中國已經在干式光刻機上面實現了自主技術的發展，下一步就是要攻克浸潤式技術和極紫外線技術。

一旦中國將自主的光刻機產業建設完成，接下來就是給到這些海外的芯片企業機會，讓他們自己選擇站隊的位置。是選擇與中國企業合作，在未來擁抱中國的技術市場，還是選擇與美國站在一起，繼續向中國市場說不？

不管選擇哪一個方向，都已經無法阻止中國企業要自力更生的決心。從產業和市場的角度來說，我國選擇公布這臺干式光刻機，一方面可以給國際企業提個醒，另一方面也是在激發起國內芯片企業的自信心。

ASML前CEO 彼得·溫寧克在接受采訪時表示：

ASML致力于推動全球的芯片產業向前發展，中國市場是ASML未來最重要的國際市場，也是國際芯片產業的核心競爭市場。全球的芯片企業可以依靠與中國市場的合作獲得豐厚的回報，但是美國的制裁限制打破了這種平衡，不但重創了美國企業，同時也對ASML的發展造成了嚴重影響。

美國正在逼迫中國企業去開發自己的制造設備，這給了中國本土設備企業一個極好的發展機會。按照如今中國在芯片產業上面的投入情況來看，說不定在未來的某一天內，中國企業會突然變得羽翼豐滿，完成全產業鏈的自給自足。