經濟觀察報記者 鄭晨燁

一款按照技術迭代規律本應逐步淡出主流市場的半導體產品——DDR4內存（第四代雙倍數據速率內存），近期卻在存儲芯片現貨市場呈現出反常的價格走勢。

7月11日，經濟觀察報記者以采購商身份在深圳華強北電子市場走訪時，注意到了一種矛盾現象：一方面，前來為工控、安防等特定訂單詢價DDR4內存條的需求仍然存在；另一方面，多數柜臺仍向記者推薦新一代的DDR5（第五代雙倍數據速率內存，系DDR4的換代產品）相關產品，但商家對DDR4的報價普遍謹慎，并頻繁以“沒現貨”“價格一天一變”為由婉拒需求。

根據市場研究機構閃存市場（CFM）7月8日發布的數據，DDR4 16Gb eTT顆粒的價格已調漲至4.50美元，甚至超過了同日DDR5 16Gb eTT顆粒4.00美元的報價。所謂內存顆粒，指從一整塊硅晶圓上切割、封裝好的獨立芯片，是組裝成內存條前的核心半成品；eTT顆粒則特指其中未經過原廠完整、嚴格測試的顆粒，主要在渠道現貨市場流通。

上一代產品的價格反超新一代產品，存儲市場出現了罕見的“價格倒掛”現象。

對于產生這種異常現象的深層原因，TrendForce集邦咨詢分析師許家源在接受經濟觀察報記者采訪時表示，當前三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）正處在制程轉換期，并且“產能優先保障生產Server DRAM（服務器動態隨機存取存儲器）及HBM（高帶寬存儲器），導致PC DRAM及mobile DRAM的位元產出受限”。

他認為，供給端因HBM而收縮，需求端又未同步下降，這種“供需錯配”是DDR4此輪漲價行情的直接原因。

多位受訪者告訴記者，DDR4作為上一代產品，之所以價格不降反升，甚至超過了新一代產品，其根本邏輯在于，上游原廠為聚焦高利潤的HBM而主動削減DDR4供給，造成了供給端的短缺；但在下游市場中，部分特定行業（如工控、安防）因其產品周期和認證成本，對DDR4仍存在無法替代的“剛性需求”。

此外，閃存市場分析師楊伊婷亦向記者表示，DDR4產品之所以出現供應緊俏的情況，是因為“近期原廠相繼發布了DDR4 EOL（生命周期結束）通知”，但服務器和PC等終端對DDR4產品仍有一定長尾需求，下游在緊急建立DDR4庫存。

當持續的“剛需”遭遇急劇收縮的“供給”，便最終催生了這場反常識的“價格倒掛”。

根據公開信息，自今年二季度起，三星、SK海力士已陸續向其客戶發出部分DDR4產品的EOL（End-of-Life，產品生命周期結束）通知，而美光科技（Micron）高管亦在6月的公開活動中確認了針對PC及服務器用DDR4的停產計劃。而這三家公司，占據了全球DRAM市場超過95%的供應份額。

原廠此舉的商業邏輯十分清晰：將寶貴的晶圓產能與研發資源，優先投入到以HBM為代表的、面向AI服務器的高附加值產品中。財報信息顯示，SK海力士在其2025年第一季度實現了高達42%的營業利潤率，并預計HBM銷售額在2025年將占其總內存銷售額的50%以上。

這場自上而下的產能切換，迅速將壓力傳導至產業鏈中下游。

“打個比方，（DDR4）你今天問我4塊錢，過幾天可能就4塊5了，越問越貴。”7月10日，深圳一家存儲模組廠商的市場負責人向記者如是表示。

另外，閃存市場在其最新報告中亦指出，服務器等企業級客戶對高價DDR4已產生強烈的“抵觸心理”，除零星急單外，客戶普遍拒絕“高位接盤”，消費類市場則因此被迫加速向DDR5平臺遷移。

那么，在市場表象之下，HBM的產能需求究竟如何引發了這場波及整個傳統存儲供應鏈的“蝴蝶效應”呢？

“最后通牒”

DDR，全稱為“雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲器”，是決定電腦、服務器等電子設備運行速度與多任務處理能力的關鍵核心組件之一。作為其第四代產品，DDR4自2014年問世以來，在長達十年的時間里，一直扮演著市場絕對主流的角色，是支撐上一代PC與服務器運算體系的基石。

從產品歸屬上看，DRAM（動態隨機存取存儲器）是一個大的技術品類，而市場通常所說的DDR4、DDR5，是DRAM技術在PC和服務器領域應用最廣泛的主流迭代產品；HBM（高帶寬內存）則是DRAM技術為了滿足AI服務器等高性能計算場景，而衍生出的一種特殊的高價產品。

按照半導體行業的技術演進規律，新一代產品DDR5的出現，本應依循慣例對DDR4形成替代，因為相較于DDR4，DDR5在傳輸速率、帶寬、單顆芯片容量及功耗控制上均有顯著提升，能夠更好地滿足新一代CPU及AI應用對海量數據吞吐的需求。

因此，從2023年開始，整個存儲市場便已進入從DDR4到DDR5的代際轉換周期。然而，這場本應平穩的代際轉換過程，在2025年二季度之后，逐漸走向了失序。

“DRAM的漲價很猛，尤其部分型號的DDR3、DDR4漲幅接近100%了。”前述深圳一家存儲廠商的市場負責人向記者直言。閃存市場7月8日發布的研究報告亦稱，近期部分供應商對DDR4 eTT顆粒的官價進行了“暴力拉漲，漲幅接近五成”。

市場的瘋狂最終體現在服務器內存這一關鍵產品上，閃存市場方面指出，服務器用的DDR4 RDIMM（帶寄存器的雙列直插式內存模組，是服務器內存的常用規格）內存條現貨價格，在經歷連續快速拉漲之后，已較今年一季度低點呈現翻倍式增長。一位華強北的檔口老板在7月上旬的走訪中告訴記者，目前市場中“炒貨行為居多且價格虛高”，進一步加劇了價格的混亂。

要理解這場價格風波的傳導機制，首先需要厘清存儲芯片的產業鏈結構。

這條產業鏈大致可以分為三個環節：上游，是技術與資本壁壘最高的晶圓原廠（IDM），如三星、SK海力士和美光這三大巨頭，它們掌控著從設計、制造到封裝測試的全過程，并直接生產出最核心的原材料——內存顆粒；中游，則是數量眾多的存儲模組廠商和渠道商，它們向上游采購內存顆粒，再結合自研或第三方的主控芯片與固件算法，將其設計、組裝成消費者和企業能直接使用的最終產品，比如，國內A股市場上的江波龍（301308.SZ）、佰維存儲（688525.SH）、德明利（001309.SZ）以及朗科科技（300042.SZ）等均是這一環節的代表性企業；下游，則連接著廣大的終端應用市場，包括PC、服務器、智能手機等品牌制造商，以及最終在零售渠道購買產品的普通消費者。

因此，對于身處產業鏈中下游的模組廠商和渠道商而言，上游原廠的每一個動作都牽動著他們的神經。

閃存市場分析師楊伊婷告訴經濟觀察報記者：“近期原廠相繼發布了DDR4 EOL（生命周期結束）通知，考慮到服務器和PC等終端對DDR4產品仍有一定長尾需求，下游緊急建立DDR4庫存，令近期DDR4產品出現供應緊俏的情況。”

在采訪中，記者還了解到，所謂EOL通知，是半導體行業中一份具有“最后通牒”意味的官方文書，它意味著上游原廠將正式停止該型號產品的接單和生產，并給出一個“最終采購（Last Time Buy）”的截止日期。

對于下游客戶而言，這無異于一道選擇題：要么精準預估未來數年的產品需求，投入巨額資金進行一次性的戰略備貨；要么，立刻投入同樣高昂的研發成本和時間成本，對現有產品進行硬件重新設計，以適配新一代的元器件。

無論是哪種選擇，都充滿了風險與不確定性。上述深圳一家存儲廠商的市場負責人就向記者表示：“部分原廠正是通過控制晶圓原材料的供應節奏和價格，對市場價格走勢產生了顯著影響。”

許家源也給出了相同的判斷，即原廠的EOL時程規劃，推動了模組廠積極備貨DDR4顆粒。

作為產業核心玩家之一，存儲模組龍頭江波龍亦在其近期發布的一份投資者交流紀要中指出：“近期受存儲晶圓原廠決定戰略性部分退出DDR4業務的影響，部分DDR4價格在短期內明顯上揚。”

于是，恐慌性的備貨潮，疊加部分炒家的囤積居奇，迅速抽干了市場的流動性，并最終導致了“有價無市”的僵局。

在7月上旬于華強北走訪過程中，記者了解到，自6月以來，渠道DDR4價格在連續上漲后，市場開始有所降溫，個別產品因前期漲幅過大，買賣雙方陷入持續的拉鋸和僵持階段，出現了成交乏力的情況。

但事實上，在二季度價格反轉之前，整個存儲行業剛剛經歷了一輪殘酷的下行周期。

根據佰維存儲在其一季報中的描述，存儲市場價格在2025年第一季度達到了“階段性低點”。這種市場低谷也直接反映在了產業鏈中游廠商的業績上，根據公開財報，佰維存儲當季凈虧損達1.97億元，而另一家存儲模組龍頭江波龍同期亦出現1.52億元的凈虧損。

前述存儲廠商的市場負責人告訴記者，盡管DDR5是未來趨勢，但在工業控制、安防監控、電視機頂盒等對性能要求不高、但對穩定性和兼容性要求極高的利基市場，DDR4仍是更具性價比的選擇。此外，記者亦了解到，部分仍在服役的英特爾舊款CPU平臺僅支持DDR4，也構成了其需求的底層支撐，正是這部分剛性需求，為市場的詢價提供了熱度基礎。

這種需求的“剛性”，根植于利基市場本身的產品特性：與快速迭代的消費電子不同，一套工業控制系統、一個車載娛樂模塊或是一個安防攝像頭主板，其生命周期往往長達5至10年。在此期間，任何核心元器件的微小改動，都可能意味著整個硬件方案的重新設計、軟件的重新適配，以及一整套漫長且昂貴的行業認證流程，因此，對于這些領域的制造商而言，在產品生命周期內維持供應鏈的穩定性，其重要性遠高于追逐最新的技術參數，一次性地高價備貨舊款DDR4，其綜合成本，往往仍低于更換平臺、重新認證的隱性成本。

閃存市場方面亦指出，高昂的DDR4 RDIMM價格已經使得服務器終端客戶“抵觸心理日漸強烈”，除了無法避免的“零星急單”外，大客戶們普遍不愿在這個時點“高位接盤”。

而在對價格更為敏感的消費類市場，大部分終端客戶則選擇了“松手”并轉換賽道。對此，閃存市場分析稱，DDR4與DDR5之間日益縮小的價差乃至“倒掛”，正在“倒逼”PC市場的渠道客戶“從DDR4升級至DDR5”。一位華強北的商家也向記者表示，在DDR4現貨短缺的情況下，會主動推薦客戶轉向供應更穩定、價格差距不大的DDR5產品。

至此，一幅復雜的市場圖景得以呈現：上游暴力拉漲，中游恐慌搶貨，下游則在剛需、抵觸與被迫轉向之間分化。而這一切看似混亂的市場行為，最終都指向了同一個源頭——HBM。

“虹吸效應”

深圳華強北的柜臺上，DDR4的報價單日日更新，而在千里之外的韓國與美國，全球三大存儲原廠的業績說明會上，這個曾經的利潤支柱，卻幾乎沒有被提及，所有人的目光，都聚焦在了一個新的名字上。

比如，美光科技（Micron）總裁兼CEO桑杰·梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）在該公司2025財年第三季度業績報告中，將公司創紀錄的營收表現，直接歸因于對“人工智能驅動下日益增長的內存需求”的滿足。他所說的“內存需求”，其核心正是HBM。作為AI服務器中高算力GPU芯片不可或缺的“左膀右臂”，HBM已成為當前這場AI浪潮中最確定的增量市場之一。

事實上，存儲巨頭們對HBM的戰略傾斜，已經體現在了實實在在的財務數據和經營目標上。美光的財報顯示，其2025財年第三季度實現了創紀錄的營收，其中“HBM營收實現了近50%的環比增長”；SK海力士則在其2025年第一季度業績說明中，維持了其2025年HBM需求“同比增長2倍”的展望，并已在今年3月向客戶交付了“全球首批HBM4 12Hi樣品”，以彰顯其技術領導力；三星電子同樣在其2025年一季度業績說明中，將“擴大增強型HBM3E 12H產品的銷售”列為核心目標 。

許家源告訴記者，正是這種超高的市場增長預期，才使得原廠做出“產能優先保障生產Server DRAM及HBM”的決策。當然，對HBM的資源聚焦，也直接導致了對傳統產品線產能的“計劃性”壓縮，這是一項貫穿原廠所有產品線的全局性戰略。

根據閃存市場7月2日發布的存儲市場展望報告，DRAM方面，LPDDR4X在手機中的需求占比仍然較大，在原廠產線切換后，預計手機LPDDR4X整體存在約15%～20%的供應缺口，尤其6GB及以下低容量LPDDR4X供應十分有限，將推動三季度LPDDR4X合約出現20%以上的環比漲幅，并且逼近LPDDR5X的ASP（Average Selling Price，平均銷售價格）。

眼下，無論是PC用的DDR4，還是手機用的LPDDR4X，這些上一代的、利潤空間相對微薄的產品，都在為HBM和DDR5“讓路”。但存儲原廠的晶圓產能并非可以無限擴張，一座先進的晶圓廠投資動輒百億美元，其總產能在一個時期內是相對固定的，而在有限的總產能下，生產決策就成了一道關于成本的數學題。

更重要的是，與傳統DRAM相比，HBM的制造工藝更為復雜，不僅需要占用更多的晶圓面積，還需要額外的硅通孔（TSV）和先進封裝工藝，這意味著生產一片HBM晶圓所要消耗的綜合產能和資源，遠高于一片同尺寸的DDR4晶圓。

在這道數學題面前，當HBM能帶來數倍的利潤時，技術成熟、利潤空間早已被嚴重壓縮的DDR4，便成了那個最先從產能規劃中被“優化”掉的選項。但另一方面，存儲三巨頭的此次戰略上的調整，在為自身開創HBM高利潤時代的同時，也客觀上在DDR4等傳統市場留下了一個巨大的、有待填補的真空。

“國際大廠如美光、三星等逐步退出部分中低階或特定類型產品的市場競爭，客觀上為本土廠商提供了寶貴的市場空間和客戶導入機會。”前述深圳存儲廠商的市場負責人向記者表示。

在企業級市場，江波龍在近日發布的投資者交流紀要中亦稱，隨著AI應用的不斷加速，客戶基于“本地化、信息安全和供應安全等因素，也將會考慮更多地采用國產企業級存儲產品”。該公司已具備“eSSD+RDIMM”（即企業級固態硬盤與服務器內存條，均為數據中心的核心存儲部件）的產品設計與規模供應能力，并正積極推進TCM（技術合約制造）模式，以“部分地降低價格波動產生的影響”。

佰維存儲則在其近日披露的投資者交流紀要中表示，公司正依托“研發封測一體化”的布局，在AI手機、AI PC、AI眼鏡等新興AI端側領域獲得先發優勢，其ePOP（一種將閃存與內存芯片集成封裝的嵌入式存儲技術，因其小尺寸、低功耗，并可通過堆疊節省大量內部空間，被廣泛應用于智能手表、AI眼鏡等小型智能設備）系列產品已進入Google、Meta、小米等知名企業的供應鏈體系。

“目前國內存儲晶圓廠、存儲模組廠、存儲控制芯片廠、封測廠正通力合作，營造存儲產業生態，形成產業閉環。”德明利在其5月份舉辦的業績說明會上也表示，隨著國內存儲器產業鏈的逐步發展和完善，“國內下游存儲模組及控制芯片廠商迎來重要發展機遇”。

眼下，對于中國的存儲產業鏈而言，三大原廠的“HBM產能大遷徙”，或許不僅僅是一次市場重構，也為已具備技術實力和市場準備的本土廠商提供了難得的機遇。但前述深圳存儲廠商的市場負責人在接受記者采訪時也坦言，盡管國際大廠的退出讓出了市場空間，但本土廠商依然面臨許多現實上的挑戰。比如，目前國內企業與國際巨頭在HBM以及最先進的DRAM制程等高性能存儲領域，“仍存在一定差距，研發和生產能力還需要進一步提升”。

與此同時，一位長期關注半導體產業的分析師也向記者表示，供應鏈的自主可控能力，特別是上游關鍵的制造設備、核心材料等，仍是制約部分本土企業發展的關鍵瓶頸。因此，能否在抓住DDR4這一輪結構性市場機遇的同時，補上在HBM等下一代技術上的核心短板，將是中國存儲廠商在這場由AI帶來的產業重構中，亟待回答的考題。

（作者 鄭晨燁）

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鄭晨燁

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