雖然從美芯禁令到現在，芯片話題在國際社會上已經火熱很久了，可是如今芯片依然是中美科技戰和貿易戰的核心焦點，美國依然沒有放棄對中國芯片半導體產業鏈的圍追堵截。不僅如此，美國還不斷的擴大芯片禁令，限制諸多芯片半導體企業出口先進芯片到中國市場。

為了能夠獲得更多美國芯片市場，拿到更多來自于美國芯片半導體企業的代工訂單，臺積電的屁股可以說一直是歪的不能再歪了。不僅配合美國限制了諸多中國芯片半導體企業的代工，同時還在芯片半導體領域不斷針對中國大陸，此前臺積電的創始人張忠謀更是大放厥詞“卡死中國芯片半導體產業鏈”。

可是如今張忠謀恐怕要開始后悔了，在中國限制稀土等材料的出口之后，臺積電似乎也開始頂不住了，臺積電的生產線已經開始告急，不知道張忠謀還能夠嘴硬到什么時候呢？

在7納米及以下的先進芯片領域。臺積電幾乎壟斷了全球90%的7納米以下芯片市場，并且依賴著美國、日本和荷蘭等國家的聯合封鎖，尤其是對關鍵技術和設備如光刻機的出口限制。然而，時隔兩年，中國大陸的半導體行業卻展現出超乎想象的成長與突破。大陸芯片自給率已經從15%飛躍至30%，28納米技術的國產化程度也已達到70%。更令人震驚的是，中芯國際的產能逐漸擴大，特斯拉與比亞迪等企業紛紛搶單，而張忠謀昔日的“鎖喉論”似乎已經不再成立。

張忠謀曾毫不留情地宣稱，中國需要50年的時間才能趕上世界領先的半導體技術。然而，現實卻是，中芯國際在短短五年內便走完了臺積電花了15年才完成的技術突破。2020年，美國禁止荷蘭ASML公司向中國出口光刻機，然而上海微電子已經成功突破了28納米光刻機技術并開始量產。臺積電宣布切斷對華為的供應時，華為憑借自研的麒麟9010芯片成功搭載在Mate 60系列手機上，顯示出中國在面對技術封鎖時的堅韌與反擊。

中國大陸的半導體戰略可以總結為“你卡我高端，我掏你根基”。以稀土材料為例，鎵和鍺這兩種稀土元素是導彈雷達和高端芯片制造不可或缺的材料，而中國掌握著全球98%的鎵產量和85%的精煉產能。2025年6月，中國宣布禁止高純度稀土技術出口，直接影響了臺積電的最先進3納米生產線。為了尋找替代材料，臺積電甚至將目光投向越南，但他們在當地工廠里依然能看到“中國總稀”的商標，意味著中國依舊掌握了稀土產業的核心技術。

張忠謀曾警告，中國將面臨光刻機的技術瓶頸，無法突破EUV光刻機的限制。然而，出人意料的是，中國并未在這一領域死磕，而是另辟蹊徑，開發了光子芯片。光子芯片的處理速度比傳統電子芯片快上千倍，且完全不依賴光刻機。中科院在上海的實驗室已經成功量產鉭酸鋰光子芯片，而無錫市也已建成了首條光子芯片的中試線。華為的昇騰910B AI芯片，其算力逼近英偉達的A100，為國內的AI大模型訓練提供了強大支撐。甚至美國的《芯片戰爭》一書的作者也不得不承認：“封鎖反而激發了中國的創新動力，促使其實現了換道超車。”

中國大陸的另一項成功戰略是以28納米芯片為核心。雖然這一技術看似已經落后，但實際上它支撐著全球80%的汽車、家電和工業機器人市場。中芯國際在北京的工廠每月生產10萬片28納米芯片，其良率和成本已經與臺積電持平，成功奪取了全球35%的物聯網芯片市場份額。而長江存儲的232層閃存芯片也于2024年開始量產，其成本比三星低了19%，這迫使三星主動尋求與中國企業的專利合作。此外，長電科技的2.5D封裝技術在高效集成芯片方面取得了顯著成效，其良率高達99.99%，并且實現了等效5納米技術的性能。臺積電的7納米生產線則因需求減少而不得不降價，產能利用率一度大幅下滑。

面對中國的技術進步，臺積電選擇在美國投資1650億美元，前往亞利桑那州建設新廠。然而，這一決定卻未能帶來預期的效果。美國工人拒絕加班，臺灣的工程師也因水土不服而難以適應工作環境，導致這座新廠在四年內竟未生產出一顆合格的芯片，成本更是比臺灣高出50%。更為諷刺的是，特朗普政府威脅臺積電，如果不在美國建廠，將加征100%的關稅，甚至指責臺積電“竊取美國技術”。這一系列事件，使得臺積電在美國的投資可謂是“自毀長城”，而2025年，臺積電不得不拉攏英偉達和AMD，合資接盤英特爾的爛攤子，臺積電也因此被戲稱為“美積電”。

中國的芯片崛起不僅僅依靠資金和技術的積累，更重要的是人才的優勢。在美國，華人工程師已經成為芯片研發的重要力量。美國的芯片領域有25萬華人研發人員，而中國則在不斷吸引這些海外人才，推動國內半導體產業的快速發展。華為以200萬年薪招聘“天才少年”，而中科院的量子芯片團隊平均年齡僅為32歲。美國芯片企業面臨著7萬名工程師的短缺，甚至英特爾的工廠也不得不從臺灣調派3000名技工來補充勞動力缺口。這種人才差距不僅體現在數量上，更表現在中國在面對挑戰時的靈活應對。中芯國際在14納米工藝的研發過程中，采取了多條技術路線同步推進，最終取得了突破。

中國半導體行業的崛起，打破了過去幾乎所有人的預期。張忠謀的“鎖喉論”不僅沒能阻止中國的崛起，反而激發了中國在技術、材料和人才等多方面的突破。從光刻機技術的突破到光子芯片的崛起，再到成熟制程28納米芯片的市場逆襲，中國半導體產業的“農村包圍城市”戰略，展現了一個強大、靈活、創新的工業體系。而臺積電的“自毀長城”和美國的壓力，反而成為了中國逆襲的催化劑。如今，中國已經不僅僅是一個跟隨者，更是全球半導體行業中的重要競爭者。