完全自主的EUV光刻機即將從實驗室走向量產線

1、完全自主的EUV量產昇騰、麒麟芯片只是起點

新凱來高調亮相上海會展，EUV這事就“落袋為安”了。

中國制造2025收官之年，EUV光刻機該落地產芯片了。

一年多前，多篇文章及評論區評論涉及EUV.光刻機，是基本上被“搞掉”。

現在也是猜測，然官方愛理不理。

成功了！

中國的半導體產業正迎來歷史性轉折點：完全自主的EUV光刻機即將從實驗室走向量產線。

2025年第三季度的試產線啟動，將是中國半導體工業的“原子時刻”。當國產EUV光束首次穿透晶圓量產出片，意味著華為麒麟、昇騰AI芯片從此擁有“不被斷供的產線”。盡管良率爬坡與生態完善仍需時間，但技術鐵幕已被撕開裂口。

科技戰、芯片戰爭的攻守之勢，正在逆轉。

戰略相持，到戰略反攻。

自2019年5月16日至2025年7月22日，6年又2月又六天。

過去6-7年，僅華為智能手機出貨量，減少12億臺，華為終端營收損失3萬億左右。

中國EUV上產線，小規模量產，這不僅意味著“卡脖子”清單上又少了一項關鍵技術，更標志著中國高端芯片的制造體系初步完成閉環，一場靜默而深刻的技術革命正在展開。

2、技術突圍：LDP路徑實現“換道超車”

歐美技術封鎖，認為DUV和EUV光刻機塑造成“不可逾越的高峰”，但中國選擇了一條顛覆性路線——激光誘導放電等離子體（LDP）技術，與ASML的激光等離子體（LPP）分道揚鑣：

（1）原理差異：LDP通過電極間高壓放電將錫蒸氣轉化為等離子體，直接生成13.5nm極紫外光，省去ASML方案中復雜的高能激光轟擊錫滴環節；

（2）性能優勢：試產數據顯示，國產光源效率達3.42%，優于ASML的2.25倍；晶圓處理速度250片/小時，超越同級別ASML設備的195片；功耗降低40%，體積縮小30%；

（3）專利自主：LDP技術完全繞開ASML的專利壁壘，成本僅為進口設備的1/3。

關鍵技術指標已實現反超：

（1）光源穩定性連續100小時波動僅0.8%，優于ASML最新機型；

（2）光刻鏡壽命延長至1000小時，顯著降低維護成本；

（3）設備體積縮小至傳統機型1/3，適配現有晶圓廠空間。

3、產業化進程：2025Q3試產啟動，產業鏈協同加速

（1）量產時間表明確

? 2025年第三季度：首臺國產EUV光刻機在華為東莞基地進入試產，代號“Hyperion-1”；

? 2026年：升級版“Hyperion-2”功率提升至150W，目標實現商業化量產，支撐5nm芯片（如華為Ascend 930）制造。

（2）產業鏈已全面響應

? 中芯國際：預留產能靜待國產EUV設備落地，以擺脫對DUV多重曝光的依賴（此前5nm成本高出國際50%）；

? 材料端突破：華特氣體高純鉬訂單激增5倍，鍺烷通過三星5nm認證，乙硅烷送樣14nm以下制程；

? 設備國產化：長江存儲2025年啟動純國產設備試產線，目標2026年全球NAND份額達15%。

4、挑戰仍存：從試產到量產的“最后一公里”

盡管進展迅猛，國產EUV仍需攻克三大瓶頸：

一是光學系統精度：多層反射鏡良率僅70%，而德國蔡司鏡組良率達99%。

二是設備集成穩定性：當前試產機每小時僅處理10片晶圓（ASML為150片），產能差距顯著。

三是供應鏈成熟度：光刻膠、前驅體等材料國產化率不足20%，高端市場仍被日美企業壟斷。

ASML的警示：其高管公開表示“中國EUV量產仍需多年”，側面印證技術壁壘尚未完全突破。

本文不信阿斯麥爾高管瞎說。

5、重塑全球半導體權力結構——未來3-4年，全世界又多了中國賣“白菜”

EUV光刻機重大戰略意義！現階段堪比“兩彈一星”的突破。

EUV將重塑全球半導體權力結構

國產EUV光刻機的意義遠超設備本身：

? 技術自主：徹底打破ASML壟斷，中國成為全球唯二掌握EUV技術的國家；

? 成本革命：5nm芯片制造成本預計降低50%，華為、中芯國際高端芯片競爭力躍升；

? 產業輻射：拉動電子特氣（華特氣體）、前驅體（雅克科技）、真空設備（匯成真空）等百家供應鏈企業升級。

正如網友所言：“盾構機的逆襲劇本在光刻機重演”。從“給圖紙也造不出”到“換道超車”，中國再次以自主創新證明——封鎖清單終將變成技術攻堅的路線圖。