北京
據韓國媒體報道，三星電子的第六代10納米級1c DRAM制程開發進度出現延遲，預計完成時間從2024年年底推遲至2025年6月。
這一延期意味著原計劃于2025年下半年量產的第六代高頻寬存儲器（HBM4）也面臨不確定性。
三星在2024年年底向市場交付了首個測試芯片，但后續生產良率未達預期，導致開發時間延長，據市場人士透露，三星計劃在未來六個月內將良率提升至約70%。
按照過往經驗，每一代制程的開發周期通常為18個月左右，然而，自2022年12月三星開發出第五代10納米級1b DRAM制程并宣布量產以來，關于1c DRAM的進展一直未有明確消息。
此次1c DRAM制程的延遲不僅影響了其核心產品DDR5內存的量產時間，也波及了高頻寬存儲器（HBM）的開發。
如果1c DRAM的量產推遲至2025年底，HBM的量產時間可能會在2025年之后，這與三星此前計劃在2025年下半年量產HBM4的目標相悖，進而影響三星在HBM市場的競爭力。
韓國半導體產業人士表示，三星正在修改1c DRAM制程技術的部分設計，以盡快達成量產目標，然而能否在預定時間內實現量產，仍存在不確定性。
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