先進ASIC領導廠創(chuàng)意電子今(2日)宣布成功完成HBM4控制器與實體層(PHY)硅知識產(chǎn)權(quán)(IP)的投片。該芯片采用臺積電最先進的N3P制程技術,并結(jié)合CoWoS-R先進封裝技術實現(xiàn)。
創(chuàng)意表示,HBM4 IP支持高達12Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率。通過創(chuàng)新的中介層(interposer)布局設計,優(yōu)化了信號完整性(SI)與電源完整性(PI),確保HBM4在各類CoWoS技術下皆能穩(wěn)定運行于高速模式。相較于HBM3,HBM4 PHY實現(xiàn)了2.5倍的帶寬提升,并將功耗效率提升1.5倍,面積效率提升2倍。
創(chuàng)意指出,將延續(xù)與proteanTecs在HBM、Glink與UCIe IP的技術合作,HBM4 IP也集成了proteanTecs的互聯(lián)監(jiān)測解決方案,提供HBM連接信號的可觀測性與電氣特性分析,進一步提升終端產(chǎn)品的實際運行性能與可靠度。
創(chuàng)意進一步指出,這項里程碑進一步強化在先進IP領域的完整布局,將HBM4納入HBM3/3E、32Gbps UCIe-A及UCIe-3D IP等解決方案之列,共同構(gòu)成完整的2.5D與3D解決方案,為客戶提供強大支持,以應對AI、高性能計算(HPC)等最具挑戰(zhàn)性的應用需求。
創(chuàng)意總經(jīng)理戴尚義強調(diào),很自豪成為全球首家成功投片12Gbps HBM4控制器與PHY IP的公司。將持續(xù)致力于提供業(yè)界領先的2.5D/3D IP與服務。通過集成HBM4、UCIe-A與UCIe-3D IP,為半導體產(chǎn)業(yè)提供全面性的解決方案,以滿足市場不斷演進的需求。
(首圖來源:科技新報)
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